三星研发全新4F2内存芯片：首次到达10nm以下 面积缩减30%

三星研发全新4F2内存芯片：首次到达10nm以下面积缩减30%新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影，对比上代功耗降低了多达23％，同时晶圆生产率提高了20％。12nm之后呢？去年有消息称三星还在开发11nm工艺的内存，但即便11nm内存搞定了，内存行业迟早还要面对10nm以下的内存如何制造的难题，这就需要全面改进内存芯片架构了。日前韩国媒体爆料称，三星已经组建了一个团队，负责研发4F2结构（下图中WL与BL的乘积，数字越小意味着面积越小）的新一代DRAM内存芯片，与现在的6F2结构相比，即便工艺不变，面积也能减少30%，进一步提高存储密度。按照三星的想法，4F2架构的内存芯片有望成为10nm以下工艺节点的关键，工艺提升+架构改进双管齐下进一步推进内存芯片容量、性能等提升。不过4F2结构的内存芯片早在10多年前就有研发了，刚进入DDR3时代就有厂商计划使用，只是一直没有取得实际的进展，制造难度也是非常大的。除了4F2结构的内存之外，其他厂商还在计划别的技术路线，SK海力士的目标就是3DDRAM内存，但是这些新技术都有制造成本高的问题，需要时间来解决。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1361867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1361867.htm

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量

三星为下一代3DDRAM做准备堆叠16层大幅提升容量在韩国首尔举行的2024年国际内存研讨会（IMW）上，三星电子副总裁LeeSi-woo展示了新的3DDRAM技术，称随着市场的快速发展，尤其是人工智能领域，对先进DRAM技术的需求比以往任何时候都更加迫切。在3DDRAM架构的基础上，三星通过DRAM集成和性能的大幅提升，成功地大幅缩小了单元面积。图片来源：Samsung/Memcon三星/Memcon新的工艺采用了著名的"4FSquare"单元结构，但DRAM晶体管是垂直安装的，这就是所谓的VCT（垂直通道晶体管）技术。通过结合4FSquare和VCT来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，并以16层为目标，该公司很可能见证巨大的内存容量和性能提升。由于人工智能的炒作和消费者的需求，DRAM市场出现了潜在的经济好转，看到市场上出现这样的发展令人兴奋，因为这不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3DDRAM目前仍是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格高昂。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431789.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431789.htm

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发

三星电子：正按计划推进eMRAM内存制程升级，8nm版本基本完成开发三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nmeMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程

台积电3nm产能被苹果等包圆苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程目前，三星电子是唯一一家商业化GAA3nm芯片加工技术的芯片制造商，并于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。这也被解读为AMD将与三星合作开发3nmGAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。长期以来，三星与AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432939.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432939.htm