三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm
三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的,这些年一直是半导体制造工艺的根基,接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上,都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面,三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding),将铜层与铜层直接互连。事实上,这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术,仍在研发之中。显然,这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽,但成本也将居高不下,注定它不会和普通用户产生多大关联,依然是HPC、AI领域的专属。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm
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