SK 海力士预测存储未来:3D NAND 600 层以上,DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来:3DNAND600层以上,DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说:“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构,并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础,并取得创新,将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”

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SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破 良品率已达56.1%

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