2025重返CPU王者 Intel“1.8nm”工艺传喜讯：已测试流片

2025重返CPU王者Intel“1.8nm”工艺传喜讯：已测试流片现在Intel7工艺已经在12代、13代酷睿上量产了，Intel中国研究院院长宋继强在会议上透露了最新工艺进展。接替Intel7的Intel4工艺已经准备就绪，为投产做好了准备，预计2023年下半年在新一代酷睿MeteorLake上首发，也就是14代酷睿。Intel3工艺则是Intel4的改进版，正在按计划进行。在之后的20A、18A工艺对Intel来说尤为重要，预计在2024年上半年及下半年量产，是Intel2025年重夺半导体王者的关键工艺。宋院长透露，20A及18A工艺已经有测试芯片流片，不过具体是什么芯片就没有透露了，很大可能是Intel自家CPU，也有一定可能是Intel的代工客户，此前Intel确认18A工艺会有多家半导体设计公司感兴趣。Intel还会在20A、18A上首发两大突破性技术，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1346249.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1346249.htm

Intel 18A/20A工艺已经流片 潜在代工客户达43家

Intel18A/20A工艺已经流片潜在代工客户达43家事实上，Intel此前规划20A2024年上半年投产，18A2024年下半年投产，流片进度说来也算正常。另一个振奋的消息是，Intel的代工服务IFS已经有43家潜在合作伙伴正测试芯片，其中至少7家来自全球TOP10的代工客户。当然，在20A和18A之前，Intel还会推出Intel4和Intel3，其中Intel4由下半年的MeteorLake（14代酷睿）首发，全面引入EUV极紫外光刻和新的封装技术，Intel3则主要服务企业级计算产品。至于20A的看点则是首发RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术，每瓦性能提升15%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1348171.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1348171.htm

Intel PowerVia背面供电测试成功 “2nm”工艺见、频率提升6％

IntelPowerVia背面供电测试成功“2nm”工艺见、频率提升6％传统的正面供电技术，信号走线、供电走线都位于晶圆的正面，需要共享甚至争夺每一个金属层的资源，必须竭力扩大金属层引脚间距，进而增加成本和复杂度。背面供电技术，则将信号走线、供电走线分离，后者转移到晶圆背面，可以分别单独优化，带来更高性能、更低成本，不过也面临良品率、可靠性。散热、调试等各方面的挑战。为了加速研发，Intel选择了PowerVia、RibbonFET两项技术分开研发的方式，率先推进的就是PowerVia。Intel通过测试证实，PowerVia技术确实能显著提高芯片的使用效率，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％，同时晶体管体积大大缩小，单元密度大大增加，因此能显著降低成本。同时，PowerVia已在测试中达到了相当高的良率和可靠性指标，证明了这一技术的预期价值。测试还显示，PowerVia将平台电压降低了30％，并带来了6％的频率增益。为了应对这种全新的晶体管供电方式，Intel开发了全新的散热技术，展示了良好的散热特性，可避免出现过热。同时，调试团队也开发了新技术，确保这种新的晶体管设计结构在调试中出现的各种问题都能得到适当解决。根据此前披露的信息，IntelPowerVia技术的测试芯片采用了Intel4制造工艺，22个金属层，单个核心面积仅为2.9平方毫米，1.1V电压下达到了3GHz频率。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1363683.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1363683.htm

酷睿Ultra首发 Intel首款EUV工艺比肩友商3nm

酷睿Ultra首发Intel首款EUV工艺比肩友商3nm酷睿Ultra不仅会升级Intel4工艺及新的架构，还会首次使用多芯片整合封装，CPU、核显、输入输出等各自独立，制造工艺也不尽相同。MeteorLake的CPUTile模块是Intel4工艺生产的，IOETile以及SoCTile模块则是台积电6nm工艺生产的，GraphicsTile显卡模块则是台积电5nm工艺生产，还有个BaseTile则是Intel自家的22nm工艺生产。在酷睿Ultra上，Intel做到了5个芯片合一，融合了4种不同的逻辑工艺。与此同时，这代处理器也是Intel在工艺上追上甚至超越对手同级别工艺的开始，台积电当前最好的工艺也就是刚刚量产的3nm，首发于苹果iPhone15系列所用的A17处理器。Intel4工艺的高性能库的晶体管密度可达1.6亿晶体管/mm2，是目前Intel7的2倍，高于台积电的5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2，接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378965.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378965.htm

Intel 20A工艺杀手锏之一惊艳首秀 反超台积电就靠它

Intel20A工艺杀手锏之一惊艳首秀反超台积电就靠它Intel20A工艺将引入两种全新的工艺，PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面，与信号传输层分离，通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电，可以大大降低供电噪声、电阻损耗，优化供电分布，提高整体能效。计划6月11-16日举办的VLSISymposium2023研讨会上，Intel将首次展示PowerVia技术，不过用的不是20A工艺，而是基于Intel4工艺的一颗测试芯片，架构则是E核。这颗核心的面积仅为2.9平方毫米，得益于PowerVia技术，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％(图中橙色区域)，其余的也基本都在80％之上(图中绿色区域)。同时，PowerVia技术还带来了超过5％的频率提升，吞吐时间略高但可以接受，功耗发热情况符合预期。除了用于自家产品，Intel也将使用PowerVia技术为客户代工，这也是提前展示其能力的一个原因。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358389.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358389.htm

Intel“4nm EUV”工艺再下一城：x86之外也生产了RISC-V处理器

Intel“4nmEUV”工艺再下一城：x86之外也生产了RISC-V处理器Intel今年的13代酷睿处理器还会继续使用Intel7工艺，14代酷睿MeteorLake则会升级到Intel4工艺——这是Intel对标友商4nm的工艺，而且首次使用EUV光刻技术，今年下半年已经试产，其晶体管的每瓦性能将提高约20%。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1317927.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1317927.htm