铠侠成功研制出HLC闪存 单位密度比QLC几乎翻倍

铠侠成功研制出HLC闪存单位密度比QLC几乎翻倍铠侠透露，它们使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，运行时的电流噪声据说也得到降低。HLC的研制成功意味着，即便堆叠技术没有任何改进，SSD的容量也能实现直接翻倍。当然，HLC也有一些天然劣势，除了速度和带宽会有所牺牲，更重要的是耐用性。QLC况且被一些用户嗤之以鼻，PLC和HLC可想而知了……...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352805.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1352805.htm

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究

PLC闪存远非终点铠侠已投入HLC和OLC颗粒研究https://www.cnbeta.com/articles/1160067.htm铠侠最近披露表示，PLC(pentalevelcell)之后，还有存储6电位的HLC(hexalevelcell)和存储8电位的OLC(octalevelcell)。目前，铠侠已经在-196°C的液氮环境中，实现了HLC闪存1000次P/E。预计量产后，恐怕会降到100次P/E。当然，大家不用太担忧，因为HLC时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在600~1000次甚至更多，这意味要写满一次SSD，需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。（论日本的科技树）

厂商称99%的SSD终生仅写入15% 耐用性已提升5倍

厂商称99%的SSD终生仅写入15%耐用性已提升5倍比如被问到QLC闪存颗粒会磨损较快时，Rahman表示，一代又一代的改进后，如今的第四代PCIe4.0QLC闪存SSD的耐用性，已经是早期的5倍了。他还援引统计数据表示，大约85%的数据中心SSD，每天全盘写入次数（DWPD）都在1次甚至以下。大规模的样本显示，99%的存储系统即便在退役时，也仅仅写入了理论值的15%。Rahman指出，对比TLCSSD，QLC的使用使得总拥有成本降低20%，对于用户来说，是更高效的选择。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1354941.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1354941.htm

铠侠发布第二代XL闪存 超耐写的SLC、MLC回来了

铠侠发布第二代XL闪存超耐写的SLC、MLC回来了由于成本更低，近年来闪存逐渐过渡到了TLC、QLC类型，只不过这些闪存的性能及可靠性是不如SLC、MLC的，后者写入寿命可达5000次甚至1万次以上，好在铠侠日前推出了第二代XL-Flash闪存，这次就增加了MLC，有望大幅提升容量。铠侠的XL-Flash闪存虽然也是基于BiCSNAND闪存技术，但它的定位不同于常见闪存，而是跟Intel的傲腾、三星Z-NAND竞争的，定位于存储类内存，性能要比常见闪存高得多，成本也要高得多。铠侠在2020年推出了XL-Flash闪存，当时主要有SLC类型的，核心容量128Gb，比主流TLC、QLC的512Gb、1Tb容量小得多，但是延迟超低，只有普通闪存的1/20，性能非常强。这次推出的第二代XL-Flash闪存没有公布详细的规格，但除了SLC之外多了MLC，因此容量轻松翻倍，核心容量可达256Gb，显著降低了成本。第二代XL-Flash闪存也会用于数据中心、企业服务器等市场，未来还会有CXL标准的新产品。根据铠侠的计划，第二代XL-Flash闪存今年11月份出样，2023年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1301815.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1301815.htm

铠侠发布写不死的数据中心TLC SSD 最高容量7.7TB

铠侠发布写不死的数据中心TLCSSD最高容量7.7TB想要写不死的SSD硬盘的玩家注意了，铠侠日前推出了面向数据中心的新一代XD7P系列硬盘，目前还是PCIe4.0的，明年说是会推PCIe5.0的，最高容量7.68TB，尽管是TLC闪存，但5年时间中每天擦写一遍都没问题。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328485.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1328485.htm

发烧友将QLC SSD转换为SLC 大幅提高了耐用性和性能

发烧友将QLCSSD转换为SLC大幅提高了耐用性和性能他使用的是美光CrucialBX500512GB固态硬盘，主控是SiliconMotionSM2259XT2单核ARC32位CPU，主频为550MHz，双通道运行速度为800MT/s（400MHz），不带DRAM缓存。这款特殊的固态硬盘使用了四个美光公司生产的NAND闪存芯片，部件编号为NY240。每个通道控制两个芯片。这些NAND闪存芯片的设计工作频率为1600MT/s（800MHz），但在实际应用中，该硬盘的工作频率仅为525MT/s。在NANDsFortisFlash中，这些硬盘的平均耐用性为1500P/E周期，在Mediagrade中约为900P/E周期。在pSLC中，同一硬盘的耐用性将分别提高到100000次和60000次。如何实现这一目标才是最棘手的部分，要做到这一点，必须从USBdev.ru网站下载SiliconMotionSM2259XT2控制器的MPtools，并找到固态硬盘中使用的正确芯片。然后，仔细修改软件，修改配置文件以允许SLC模式，迫使芯片作为SLCNAND闪存芯片运行。最后，还需要触及固件文件夹，并将存档文件从目录向上移动，这在视频中可以看到。硬盘启动后，容量从512GB降至114-120GB。不过，固态硬盘的耐用性跃升至4000TBW（写入循环），增幅约为3000%。此外，性能也有所提高，更多详情可查看下面的视频。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429178.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429178.htm