PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究

PLC闪存远非终点铠侠已投入HLC和OLC颗粒研究https://www.cnbeta.com/articles/1160067.htm铠侠最近披露表示,PLC(pentalevelcell)之后,还有存储6电位的HLC(hexalevelcell)和存储8电位的OLC(octalevelcell)。目前,铠侠已经在-196°C的液氮环境中,实现了HLC闪存1000次P/E。预计量产后,恐怕会降到100次P/E。当然,大家不用太担忧,因为HLC时代,存储容量将非常夸张,堆叠层数也会在600~1000次甚至更多,这意味要写满一次SSD,需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。(论日本的科技树)

相关推荐

封面图片

铠侠成功研制出HLC闪存 SSD容量暴增:速度/耐用性比QLC还拉跨

铠侠成功研制出HLC闪存SSD容量暴增:速度/耐用性比QLC还拉跨日前,铠侠(原东芝)研究人员已经成功开发出更新的存储颗粒,HLC闪存(Hepta-level),也就是7bits/cell,单位密度比QLC几乎翻倍。铠侠透露,它们使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料,运行时的电流噪声据说也得到降低。HLC的研制成功意味着,即便堆叠技术没有任何改进,SSD的容量也能实现直接翻倍。当然,HLC也有一些天然劣势,除了速度和带宽会有所牺牲,更重要的是耐用性。QLC况且被一些用户嗤之以鼻,PLC和HLC可想而知了。()投稿:@ZaiHuabot频道:@TestFlightCN

封面图片

西数、铠侠宣布218层闪存:技术很像中国长江存储 但有232层

西数、铠侠宣布218层闪存:技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是,西数、铠侠开发了新的CBA技术,也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray),每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造,再键合到一起,从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错,妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据,新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps,比上代提升多达60%,同时在写入性能、读取延迟方面改善了20%,整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新,成本方面也进一步优化。闪存类型方面,TLC、QLC都可以。不过,西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用,会首先用在哪些产品上。事实上,长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层,还有2400MT/sI/O速度,并应用于致态TiPlus7100SSD系列,但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份,美光第一家公开了232层闪存,但受市场需求疲软影响,官方称暂时不会商用。随后,SK海力士宣布了238层堆叠,三星一般认为做到了236层。现在看来,NAND闪存这一轮的竞争,西数、铠侠不但速度最慢,反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm

封面图片

铠侠发布第二代XL闪存 超耐写的SLC、MLC回来了

铠侠发布第二代XL闪存超耐写的SLC、MLC回来了由于成本更低,近年来闪存逐渐过渡到了TLC、QLC类型,只不过这些闪存的性能及可靠性是不如SLC、MLC的,后者写入寿命可达5000次甚至1万次以上,好在铠侠日前推出了第二代XL-Flash闪存,这次就增加了MLC,有望大幅提升容量。铠侠的XL-Flash闪存虽然也是基于BiCSNAND闪存技术,但它的定位不同于常见闪存,而是跟Intel的傲腾、三星Z-NAND竞争的,定位于存储类内存,性能要比常见闪存高得多,成本也要高得多。铠侠在2020年推出了XL-Flash闪存,当时主要有SLC类型的,核心容量128Gb,比主流TLC、QLC的512Gb、1Tb容量小得多,但是延迟超低,只有普通闪存的1/20,性能非常强。这次推出的第二代XL-Flash闪存没有公布详细的规格,但除了SLC之外多了MLC,因此容量轻松翻倍,核心容量可达256Gb,显著降低了成本。第二代XL-Flash闪存也会用于数据中心、企业服务器等市场,未来还会有CXL标准的新产品。根据铠侠的计划,第二代XL-Flash闪存今年11月份出样,2023年开始量产。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1301815.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1301815.htm

封面图片

铠侠成功研制出HLC闪存 单位密度比QLC几乎翻倍

铠侠成功研制出HLC闪存单位密度比QLC几乎翻倍铠侠透露,它们使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料,运行时的电流噪声据说也得到降低。HLC的研制成功意味着,即便堆叠技术没有任何改进,SSD的容量也能实现直接翻倍。当然,HLC也有一些天然劣势,除了速度和带宽会有所牺牲,更重要的是耐用性。QLC况且被一些用户嗤之以鼻,PLC和HLC可想而知了……...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352805.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1352805.htm

封面图片

与铠侠合并未果,西部数据宣布将分拆为闪存和硬盘两家公司

与铠侠合并未果,西部数据宣布将分拆为闪存和硬盘两家公司美国半导体巨头西部数据30日宣布,将把该公司分拆为两家公司,分别开展闪存业务和硬盘驱动器(HDD)业务。西数此前力争与存储器业务上的合作伙伴铠侠实现经营合并,但首席执行官格克勒暗示磋商已经终止。铠侠(原东芝存储)与西部数据自2021年以来就一直在进行合并谈判,而这一合并案遭到了SK海力士的反对,因此在10月26日中止合并谈判。硬盘驱动器业务将维持“西部数据”的公司名并剥离出存储器业务,拆分后的两家公司将作为独立的上市公司。目标是在2024年下半年完成分拆。——、

封面图片

铠侠正在出样符合JEDEC eMMC Ver 5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品

铠侠正在出样符合JEDECeMMCVer5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品铠侠(Kioxia)美国公司今日宣布,其符合JEDECeMMCVer5.1标准、适用于消费级市场的最新一代嵌入式闪存产品已开始出样。即使UFS的参数更加引人注目,但随着平板电脑、物联网等设备对中端存储容量的需求持续增长,铠侠也适时地推出了新一代eMMC产品。据悉,作为消费类应用/移动存储产品的业内领先供应商,铠侠自2007年以来就一直积极支持e-MMC方案,并于2013年初成为了售价推出更高性能的e-MMC后续解决方案(UFS)的供应商。时至今日,铠侠的e-MMC和UFS解决方案已得到相当广泛的运用,涵盖4GB~1TB的各种存储密度。而今日发布的中端容量新品,不仅提供了64/128GB的容量选项,还于单个封装中整合了闪存+主控。以下是基于最新一代BiCSFLASH3D闪存的消费级e-MMC新品的主要特点:●改进架构,减少内部写入放大,实现更稳定的持续写入性能。●预编程用户数据,在客户制造过程/发送回流前具有更高的可靠性。●闲置到自动休眠时间较上一代减少100×6,有助延长电池续航。●通过访问设备内的多个裸片,以实现更快的性能。●支持更快接口速率的JEDECeMMC5.1标准(HS400)。铠侠北美公司存储业务部副总裁ScottBeekman表示:随着新一代e-MMC设备的推出,铠侠可通过提供广泛的高性能产品系列,来巩固自身的市场领先地位。展望未来,铠侠将继续为基于e-MMC嵌入式存储器解决方案的各类应用提供全力支持。目前该公司已在出样下一代e-MMC存储产品,预计将于今年10月全面上市。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310695.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1310695.htm

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人