铠侠成功研制出HLC闪存 SSD容量暴增：速度/耐用性比QLC还拉跨

铠侠成功研制出HLC闪存SSD容量暴增：速度/耐用性比QLC还拉跨日前，铠侠（原东芝）研究人员已经成功开发出更新的存储颗粒，HLC闪存（Hepta-level），也就是7bits/cell，单位密度比QLC几乎翻倍。铠侠透露，它们使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，运行时的电流噪声据说也得到降低。HLC的研制成功意味着，即便堆叠技术没有任何改进，SSD的容量也能实现直接翻倍。当然，HLC也有一些天然劣势，除了速度和带宽会有所牺牲，更重要的是耐用性。QLC况且被一些用户嗤之以鼻，PLC和HLC可想而知了。()投稿：@ZaiHuabot频道：@TestFlightCN

美国公司宣布全球首款3D内存：64倍容量提升 追上SSD不是梦

美国公司宣布全球首款3D内存：64倍容量提升追上SSD不是梦NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前推出的3DX-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次推出的3DX-DRAM又号称全球首款类3DNAND的内存技术，将内存带入3D时代，要做内存行业的游戏规则改变者。3DX-DRAM技术的思路跟3DNAND闪存类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，因此良率高，成本低，密度大幅提升。NEO公司承诺，2025年推出的第一代3DX-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2DDRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。这还不算，NEO公司的目标是每10年将3DX-DRAM容量提升8倍，到2035年的时候推出1Tb核心容量的3DX-DRAM，相比现在总计64倍容量提升。按照他们的说法，未来的内存不仅轻松TB容量起步，追上SSD硬盘也很容易，要知道当前3D闪存的核心容量也就512Gb到1Tb。不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂，因此3DX-DRAM投入生产还要靠合作，他们计划寻找授权厂商，包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358355.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358355.htm

发烧友将QLC SSD转换为SLC 大幅提高了耐用性和性能

发烧友将QLCSSD转换为SLC大幅提高了耐用性和性能他使用的是美光CrucialBX500512GB固态硬盘，主控是SiliconMotionSM2259XT2单核ARC32位CPU，主频为550MHz，双通道运行速度为800MT/s（400MHz），不带DRAM缓存。这款特殊的固态硬盘使用了四个美光公司生产的NAND闪存芯片，部件编号为NY240。每个通道控制两个芯片。这些NAND闪存芯片的设计工作频率为1600MT/s（800MHz），但在实际应用中，该硬盘的工作频率仅为525MT/s。在NANDsFortisFlash中，这些硬盘的平均耐用性为1500P/E周期，在Mediagrade中约为900P/E周期。在pSLC中，同一硬盘的耐用性将分别提高到100000次和60000次。如何实现这一目标才是最棘手的部分，要做到这一点，必须从USBdev.ru网站下载SiliconMotionSM2259XT2控制器的MPtools，并找到固态硬盘中使用的正确芯片。然后，仔细修改软件，修改配置文件以允许SLC模式，迫使芯片作为SLCNAND闪存芯片运行。最后，还需要触及固件文件夹，并将存档文件从目录向上移动，这在视频中可以看到。硬盘启动后，容量从512GB降至114-120GB。不过，固态硬盘的耐用性跃升至4000TBW（写入循环），增幅约为3000%。此外，性能也有所提高，更多详情可查看下面的视频。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429178.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429178.htm

QLC闪存进入移动SSD 写入速度都不敢公开

QLC闪存进入移动SSD写入速度都不敢公开相比于Pro版本，英睿达X9将外壳材质从金属改成ABS塑料，长宽尺寸仍然是65x50毫米，保留挂绳孔，功能方面去掉了AES-256加密，没有了LED指示灯，不支持防水防尘，只有2米高防跌落。闪存是美光的176层堆叠3DQLC，容量1TB、2TB、4TB，搭档群联U17原生闪存主控，接口是USB3.2Gen2，也就是USB3.110Gbps。性能方面，读取速度是1050MB/s，1TB版本读取300GB需要5分钟。写入速度未公开，只说150GB、300GB写入分别需要2.5分钟、14.2分钟——显然前者依赖缓存可达到约1GB/s的写入速度，后者耗尽了缓存平均速度仅为350MB/s。英睿达X91/2/4TB的价格分别为90/140/280美元，约合人民币660/1020/2050元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386709.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1386709.htm

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E

长江存储突破QLC闪存寿命做到4000次P/E不过，长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计，走出了属于自己的特色道路，闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC3DNAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。根据官方介绍，长江存储X3-6070QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同时读取、写入速度都有着接近100％的提升。更不可思议的是可靠性和寿命，它的P/E居然能做到惊人的4000次，是普通QLC闪存的4倍！据长江存储的工作人员透露，他们的QLC闪存之所以能做到这一点，一方面来自独特的Xtacking晶栈架构，另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然，不是所有的QLC都能达到这么高的水平，一要看具体品质和良品率，而要看用在什么领域，比如企业级SSD上使用的肯定寿命更长一些。比如说去年9月份发布的致态Ti600，是长江存储首款采用QLC闪存的SSD产品，面向消费级市场，其性能可媲美高端的PCIe4.0SSD。它的具体P/E次数没有公开。考虑到这类产品的写入放大一般在3-5倍，再加上固件算法设置等因素，倒推致态Ti600SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的两倍左右，相当可靠了。同时，致态Ti6001TB版本的最大写入量多达400TBW，按照五年保质期计算，平均每天可以写入219GB，完全能够满足消费级用户的使用。值得一提的是，在OEM领域，长江存储的下一代PC41QSSD也将引入QLC，可用于笔记本、台式机、一体机等设备。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4，读写带宽5.5GB/s，动态功耗低于4W，PS4待机功耗低于2mW。可靠性和数据保持能力方面也足以媲美TLC闪存，比如说平均故障间隔时间达200万小时，可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。可以说，QLC闪存已经到了真正可以普及的新阶段，尤其是长江存储的QLC，完全可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用，无论性能还是寿命都无需任何顾虑。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425929.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425929.htm

美光推出Crucial英睿达P3系列NVMe SSD

美光推出Crucial英睿达P3系列NVMeSSDhttps://www.cnbeta.com/articles/tech/1289573.htmCrucial英睿达P3PlusSSD产品系列顺序读取速度最高可达5000MB/秒，顺序写入速度最高可达4200MB/秒，而具备下一代性能的Crucial英睿达P3SSD的读取速度最高可达3500MB/秒，写入速度最高可达3000MB/秒。两款SSD均采用了Micron美光自家的176层3DNAND和创新控制器技术—————p3+是pcie4.0p3是pcie3.0p3系列大概可以认作为p2的小幅升级版虽然镁光没公布颗粒存储类型我猜测还是qlc(好像镁光176layer3dnand就是qlc？