铠侠成功研制出HLC闪存 SSD容量暴增：速度/耐用性比QLC还拉跨

铠侠成功研制出HLC闪存SSD容量暴增：速度/耐用性比QLC还拉跨日前，铠侠（原东芝）研究人员已经成功开发出更新的存储颗粒，HLC闪存（Hepta-level），也就是7bits/cell，单位密度比QLC几乎翻倍。铠侠透露，它们使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，运行时的电流噪声据说也得到降低。HLC的研制成功意味着，即便堆叠技术没有任何改进，SSD的容量也能实现直接翻倍。当然，HLC也有一些天然劣势，除了速度和带宽会有所牺牲，更重要的是耐用性。QLC况且被一些用户嗤之以鼻，PLC和HLC可想而知了。()投稿：@ZaiHuabot频道：@TestFlightCN

QLC尚未普及HLC又来 写入寿命堪忧

QLC尚未普及HLC又来写入寿命堪忧从原理看，数据是以电荷的方式存储在NAND FLASH的存储单元中。如果说NANDFLASH是一个容器，存储单元就可看做容器中的一个个“格子”，根据格子中存储数据的位数不同，就有了大家熟知的SLC、MLC、TLC、已经在市面有销售但未全面普及的QLC，以及铠侠（原东芝）刚刚开发出来的HLC。其实，从SLC到HLC，都是为了满足用户大量存储数据的需求，其中SLC每个存储单元可储存1bit数据，MLC可储存2bit数据，TLC可储存3bit数据，QLC可存储4bit数据，PLC可存储5bit数据。而铠侠HLC（Hepta-level）使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，可存储数据达到了7bits，比QLC几乎翻倍。由此可见，可见单个存储单元存储的数据的位数越高，NAND闪存颗粒的容量就越大，PCB上的存储芯片数量也随之减少，极大降低固态硬盘的制造成本。而HLC的研制成功，则意味着即使闪存堆叠技术没有任何改进，固态硬盘的容量也能实现直接翻倍，以后千元左右的M.2固态硬盘容量做到了8TB、16TB也不是什么奇怪的事。当然，闪存容量的提升也是要做出一些牺牲和妥协的。首先是读写速度，简单来说SLC最快、价格最贵，但早已停售；MLC次之，相关产品也基本绝迹。目前市场主流产品为TLC，也有部分低价产品采用QLC，当然QLC的缓外速度已经被人嗤之以鼻了。其次是写入寿命，依然是SLC最高、MLC其次，然后是TLC，QLC依然被鄙视，而HLC也就可想而知了。不过我们也不用过于担心，毕竟QLC都开始应用于企业级了。为了保证QLC和HLC颗粒的性能和耐久度，将来的固态硬盘主控芯片也会带来更先进的损耗平衡和错误校正算法，以及更大的SLC缓存，毕竟缓外速度还不及机械硬盘，恐怕这是谁都不希望看到的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357577.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1357577.htm

厂商称99%的SSD终生仅写入15% 耐用性已提升5倍

厂商称99%的SSD终生仅写入15%耐用性已提升5倍比如被问到QLC闪存颗粒会磨损较快时，Rahman表示，一代又一代的改进后，如今的第四代PCIe4.0QLC闪存SSD的耐用性，已经是早期的5倍了。他还援引统计数据表示，大约85%的数据中心SSD，每天全盘写入次数（DWPD）都在1次甚至以下。大规模的样本显示，99%的存储系统即便在退役时，也仅仅写入了理论值的15%。Rahman指出，对比TLCSSD，QLC的使用使得总拥有成本降低20%，对于用户来说，是更高效的选择。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1354941.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1354941.htm

美光发布SLC闪存数据中心SSD 全盘日写60次5年不死

美光发布SLC闪存数据中心SSD全盘日写60次5年不死性能方面，连续读写分别是6.8GB/s和5GB/s，随机读写分别是1000K和200KIOPS。耐用性方面，质保五年，每天可128KB持续写入一次全盘（30TB），4K随机写入0.3次全盘（9TB）。市场主要对手瞄准的是SolidigmD5-P5316，同样30.72TB，但美光号称TLC更耐用、速度更快、功耗也更低。至于XTRNVMeSSD，则是罕见的176层SLC产品，走PCIe4.0x4通道，U.3接口，提供960GB和1.92TB容量，主打的就是超高耐用性。质保五年，连续负载每日可全盘写入60次、4K随机负载每日可全盘写入35次，连续读写速度分别能到到6.8GB/s和5.6GB/s，随机读写也有900K和350KIOPS。你问价格？对不起，大客户单独报价，本月起陆续出货。值得一提的是，前不久，官方宣布对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360015.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360015.htm

GOODRAM推出IRDM Ultimate PCIe Gen 5 M.2 SSD 传输速度10000MB/s

GOODRAM推出IRDMUltimatePCIeGen5M.2SSD传输速度10000MB/s本月早些时候，波兰公司GOODRAM在IFA2022上披露了新的IRDMUltimateSSD的原型，这是该公司的首款PCIeGen5M.2SSD。GOODRAM的新PCIeGen5接口是在制造商采用新标准以确保固态硬盘能达到高达14GB/s的读取速度时出现的。虽然该公司仍在努力实现突破规范速度上限的目标，但GOODRAM推出的IRDMUltimate将提供10000MB/s的读取速度和9500MB/s的写入速度。该公司的这款新固态硬盘自然成为了他们制造的最快的固态硬盘。GOODRAM的新款存储设备采用了PhisonE26控制器，可以访问3D三层单元闪存（TLC）模块。3DTLC闪存是一种NAND闪存，每个数据单元存储三个比特。这种闪存还有X3、MLC-3和3bit-MLC等名称。3DTLC闪存模块最常见的用途是消费类固态硬盘、手机存储卡、数码相机存储、USB驱动器和商业级固态硬盘。这种内存模块比单级和多级单元闪存更具成本效益。存储单元在芯片上垂直堆叠，比以前的2DNAND闪存有更多的数据级别。3D闪存还允许以对消费者和企业更有利的成本金额实现更高的密度。提供3DNAND闪存的三星公司也将其技术称为V-NAND。GOODRAM没有透露新固态硬盘的上市日期。该公司报告说，它将提供两种容量的IRDMUltimate，最低为1TB，最高为4TB。IRDMUltimate的原型在2022年的IFA展会上展出。其中包含尺寸较大的散热器。预计各家激素那几硬件公司最早将于2022年11月开始提供PCIeGen5相关的组件和外设。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1314077.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1314077.htm

西部数据推出迄今容量密度最大的2Tb闪存芯片 基于3D QLC技术打造

西部数据推出迄今容量密度最大的2Tb闪存芯片基于3DQLC技术打造虽然各位看到QLC就摇头但按照发展趋势来看QLC颗粒占据市场是无法回避的事情，毕竟容量大而且价格相对来说确实足够便宜。西部数据在最新的投资者会议上展示了该公司研发的最新3DQLC闪存芯片，该芯片容量达到2Tb也是目前全球单芯片中容量最高的。WD2Tb3DQLC闪存芯片基于西部数据的218层BiCS8生产，具有体积小和功耗低的特点，图片中可以看到闪存芯片放在指尖，因此OEM可以基于这些闪存芯片快速制造大容量的固态硬盘。西部数据称在同类型闪存芯片中，2Tb3DQLC无论是功耗、存储密度还是I/O性能方面都领先于竞争对手，而这些芯片至少现阶段主要是面向数据中心和AI存储的需求，并不是面向消费级市场的。在数据中心和AI行业中目前对大容量和高性能存储的需求非常高，QLC确实在寿命方面不如TLC等，但对数据中心来说只要经过合理的配置也可以使用，这样可以提供更大的容量并降低成本。单芯片容量为2Tb也就是256GB，OEM可以使用4块芯片打造1TB的固态硬盘，使用8块芯片打造2TB的固态硬盘，或者使用16块芯片直接封装4TB的固态硬盘。随着时间的推移这些闪存芯片最终还是会面向消费级市场推出的，用户对于QLCSSD的选择才是最重要的，如果价格真的足够便宜的话，相信在消费级市场还是会有订单的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434739.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434739.htm