晶盛机电：目前 6、8 英寸碳化硅衬底片已实现批量销售

晶盛机电：目前6、8英寸碳化硅衬底片已实现批量销售晶盛机电在互动平台表示，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征，在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等领域的应用有着不可替代的优势。2023年11月4日，公司举行了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着公司在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。公司积极推进项目进度与产能提升，目前6、8英寸碳化硅衬底片已实现批量销售。

士兰微：签署 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目投资合作协议

士兰微：签署8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目投资合作协议5月21日晚间，杭州士兰微电子股份有限公司（士兰微，600460.SH)公告，公司拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.5亿元并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”，以项目公司负责作为项目主体建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。第一期项目总投资70亿元，第二期投资50亿元。

郑州合晶：12 英寸大硅片已获硅晶圆头部供应商签单 部分订单排到 2026 年

郑州合晶：12英寸大硅片已获硅晶圆头部供应商签单部分订单排到2026年河南郑州航空港区官微消息，上海合晶全资子公司郑州合晶硅材料有限公司，已实现高纯度单晶硅的量产，代表着河南省半导体生产水平已迈进国际先进行列。郑州合晶相关负责人表示，该公司生产的产品已得到台积电、中芯国际、华润微电子等全球硅晶圆头部供应商的认可和青睐，改变了我国长期以来对进口产品的依赖状况，并为我国自主研发和生产“中国芯”提供了坚实的后盾和有力的支撑。目前，公司正积极推进12英寸大硅片的小批量生产，并已成功吸引全球硅晶圆头部供应商签单，部分订单已排到2026年。据介绍，郑州合晶通过自主研发，已成功生产出了12英寸大硅片，不仅大幅拓展了应用领域，更将产品推向了高端市场，如手机、计算机、通信等领域。公司全年24小时不停工，年产能将达到180万片。

士兰微：签署 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议

士兰微：签署8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议士兰微公告，公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司于2024年5月21日在厦门市签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”，以项目公司负责作为项目主体建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%；银行贷款27.9亿元，占约40%。第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施（第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款。

士兰微电子 8 英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目今日开工

士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目今日开工据证券时报，6月18日，士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（士兰集宏）在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币，分两期建设，两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片（6万片/月）的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元，预计在2025年三季度末实现初步通线，2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标；2026年—2028年持续进行产能爬坡，最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

上海微系统所：开发了可批量制造的新型光学 “硅” 与芯片技术，新硅聚合已具备异质晶圆量产能力

上海微系统所：开发了可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术，新硅聚合已具备异质晶圆量产能力中国科学院今日官网消息，5月8日，中国科学院上海微系统所的欧欣研究员团队联手瑞士洛桑联邦理工学院TobiasJ.Kippenberg团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展，相关成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》为题发表于国际学术期刊《自然》。其中，钽酸锂光子芯片所展现出的极低光学损耗、高效电光转换和孤子频率梳产生等特性有望为突破通信领域速度、功耗、频率和带宽四大瓶颈问题提供解决方案，并在低温量子、光计算、光通信等领域催生革命性技术。据悉，该团队孵化的上海新硅聚合半导体有限公司已经具备异质晶圆量产能力，并开发出8英寸异质集成材料技术，为更大规模的国产光学和射频芯片的发展奠定了核心材料基础。