消息称 SK 海力士将在 1c DRAM 生产中采用新型 Inpria MOR 光刻胶

消息称SK海力士将在1cDRAM生产中采用新型InpriaMOR光刻胶SK海力士计划在第6代（1c工艺约10nm）DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称，SK海力士量产的1cDRAM上有五个极紫外(EUV)层，其中一层将使用MOR绘制。他还补充说，不仅SK海力士，三星电子也将追求这类无机PR材料。(TheElec)

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶相关媒体在报道中表示，东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻胶，是为了满足阿斯麦这一类极紫外光刻机大量投产之后的需求。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，是他们在推出TWINSCANNXE:3400C、TWINSCANNXE:3600D等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200两个型号。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值孔径将由0.33增至0.55，用于2nm及以下的制程工艺，首台交由客户用于制程工艺研发的产品，计划在今年年底出货，用于大规模生产的，预计2025年开始在客户的工厂全面投入运营。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367465.htm

三星电子12纳米DDR5 16Gb DRAM开始量产 效率提升23%

三星电子12纳米DDR516GbDRAM开始量产效率提升23%三星之所以能够开发出12纳米级的工艺技术，是因为使用了一种新的高κ材料，有助于提高电池电容。高电容会使数据信号出现明显的电势差，从而更容易准确区分这些信号。公司在降低工作电压和减少噪音方面的努力也有助于提供客户需要的解决方案。三星的12纳米级DDR5DRAM阵容拥有每秒7.2Gbps的最高速度，也就是大约一秒钟内可以处理两部30GBUHD电影的速度，这使得它可以支持越来越多的应用，包括数据中心、人工智能和下一代计算。三星公司去年12月完成了与AMD兼容的16千兆位DDR5DRAM评估，并继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360335.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360335.htm

三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存

三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MRMUF工艺，与TCNCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存(HBM)，但非常适合3DSRDIMM，而目前3DSRDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造，主要用于服务器。(TheElec)

瑞联新材：TFT 平坦层光刻胶美国的专利正在申请中

瑞联新材：TFT平坦层光刻胶美国的专利正在申请中瑞联新材近期接受投资者调研时称，关于TFT平坦层光刻胶，公司已经于2023年取得南非的专利，近期取得了中国的专利授权通知书，美国的专利正在申请中。这个产品不同的厂家技术指标要求不一样，同一个厂家不同产线的指标也有一定的差异，面板厂在产线上做验证也要考虑他们的排产情况，整体验证周期较长，另外这个产品规模化生产需要取得特定资质，公司也在加紧办理中，预计今年会有少量供应。

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量

三星为下一代3DDRAM做准备堆叠16层大幅提升容量在韩国首尔举行的2024年国际内存研讨会（IMW）上，三星电子副总裁LeeSi-woo展示了新的3DDRAM技术，称随着市场的快速发展，尤其是人工智能领域，对先进DRAM技术的需求比以往任何时候都更加迫切。在3DDRAM架构的基础上，三星通过DRAM集成和性能的大幅提升，成功地大幅缩小了单元面积。图片来源：Samsung/Memcon三星/Memcon新的工艺采用了著名的"4FSquare"单元结构，但DRAM晶体管是垂直安装的，这就是所谓的VCT（垂直通道晶体管）技术。通过结合4FSquare和VCT来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，并以16层为目标，该公司很可能见证巨大的内存容量和性能提升。由于人工智能的炒作和消费者的需求，DRAM市场出现了潜在的经济好转，看到市场上出现这样的发展令人兴奋，因为这不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3DDRAM目前仍是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格高昂。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431789.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431789.htm