三星电子开发出业界首个12nm工艺的DDR5 DRAM

三星电子开发出业界首个12nm工艺的DDR5DRAM利用最新的DDR5标准，三星的12纳米级DRAM将有助于释放每秒7.2Gbps的速度。这相当于在一秒钟内处理两部30GB的UHD电影。与新DRAM的速度相匹配的是更高的电源效率，与之前的DRAM相比，12纳米级DRAM的功耗降低了23%。三星电子DRAM产品和技术执行副总裁JooyoungLee对此表示："12纳米级DRAM将成为推动DDR5DRAM在市场上广泛采用的关键因素。凭借卓越的性能和电源效率，预计我们的新DRAM将成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续的运营基础。""创新往往需要与行业伙伴密切合作，以推动技术的发展，"AMD高级副总裁、企业研究员和客户、计算和图形首席技术官JoeMacri说。"我们很高兴能再次与三星合作，特别是在推出在"Zen"平台上优化和验证的DDR5内存产品方面。"随着2023年开始量产，三星计划将基于这种尖端的12纳米级工艺技术的DRAM阵容扩大到广泛的细分市场。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1335825.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1335825.htm

三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布，该公司采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前，三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示："凭借我们的12nm级32GbDRAM，我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位（Kb）DRAM以来，三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前，使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，通过使用三星的32GbDRAM，现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，与使用16GbDRAM的128GB模块相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础，三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

三星计划在DRAM行业"反弹"之际提高DDR5产量

三星计划在DRAM行业"反弹"之际提高DDR5产量三星和SKHynix等行业领军企业已经大幅削减了产能，但这仅限于较老的DDR4内存，公司现在正将重点转向未来的内存标准，即DDR5。DRAM行业第二季度报告图片来源：TrendForceTrendForce台湾《经济日报》报道称，三星已决定加强在DDR5技术中使用的电源管理IC，以应对未来的需求。三星是为数不多的专门从事IC生产的制造商之一，它认为在未来几个月内，DDR5将得到更广泛的应用，需求有望达到新的水平。这一预测并没有错，因为英特尔和AMD等CPU制造商在未来的产品线中均将完全转向DDR5，如ArrowLake将结束与DDR4的兼容。此外，AMD明年将更加重视AM5产品线，最新的Ryzen8000"GraniteRidge"APU将用于台式机，"Strix/HawkPoint"将用于笔记本电脑。事实上，英特尔和AMD等主要PC平台制造商已经预计明年推出的新平台将开始支持DDR5规格的DRAM，这意味着对DDR4的需求将逐渐下降。除消费者外，由于英特尔第五代至强"EmeraldRapids"也将仅支持DDR5，因此预计服务器计算行业也将迅速采用DDR5。这表明，DRAM行业的需求可能会因为行业向DDR5标准的转变而大幅提升。此外，如果我们从DDR5开始以来的成本趋势来看，情况要好得多，它正在缩小与传统DDR4的价格差距，使消费者确信要转用新标准。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388749.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388749.htm

三星谈论下一代DRAM解决方案：GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND

三星谈论下一代DRAM解决方案：GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND三星公布了其下一代DRAM和内存解决方案的计划，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作为先进半导体技术的全球领导者，三星电子今天在2022年三星技术日上展示了一系列尖端的半导体解决方案，这些解决方案将在十年内推动数字转型。自2017年以来的年度会议，该活动在三年后回到了圣何塞希尔顿酒店的SigniabyHilton酒店亲自出席。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1324271.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1324271.htm

消息称三星计划量产的 1c DRAM 使用 MOR 光刻胶

消息称三星计划量产的1cDRAM使用MOR光刻胶三星正在考虑在其下一代DRAM极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。MOR被业内认为是下一代光刻胶（PR），会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。三星正考虑在第6代10纳米DRAM（1cDRAM）中使用MOR，主要在六层或七层上使用EUVPR，相关产品将于今年下半年投入生产。(科创板日报)

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E12-Hi、128GBDDR5、64TBSSD和第9代V-NAND二季度量产首先，三星已开始量产其HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货8-Hi堆栈，随后将在第二季度推出12-Hi变体。下一代内存解决方案将在8模块芯片（如AMD的MI300X）上提供每个堆栈36GB的容量，最高可达288GB的产品。据报道，AMD已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供HBM3EDRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在DDR5DRAM方面，三星将于2024年第二季度推出1b(nm)32Gb内存模块，并投入量产。这些内存IC将用于开发高达128GB的模块。三星已经向客户交付了下一代DDR5解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘V-NAND领域推出64TB数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于2024年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第9代V-NAND固态硬盘。第9代V-NAND固态硬盘将采用QLC（四层单元）设计。有报道称，TLCV-NAND（第9代）将于本月开始生产，其传输速度将提高33%，达到3200MT/s。这些固态硬盘将采用最新的PCIeGen5标准。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429185.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429185.htm