消息称三星计划量产的 1c DRAM 使用 MOR 光刻胶

消息称三星计划量产的1cDRAM使用MOR光刻胶三星正在考虑在其下一代DRAM极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。MOR被业内认为是下一代光刻胶（PR），会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。三星正考虑在第6代10纳米DRAM（1cDRAM）中使用MOR，主要在六层或七层上使用EUVPR，相关产品将于今年下半年投入生产。(科创板日报)

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证为EUV光刻胶开发做技术储备且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。上述具有自主知识产权的光刻胶体系在产线上完整了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425913.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425913.htm

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”

三星、SK 海力士股价上涨 台湾地区地震停工料提振 DRAM 价格

三星、SK海力士股价上涨台湾地区地震停工料提振DRAM价格三星电子和SK海力士股价上涨，由于地震使得台湾的DRAM工厂停工，芯片价格有望获得提振。此外，SK海力士表示将斥资39亿美元建立它的第一家美国芯片工厂。SK海力士一度上涨逾4.8%，三星电子一度上涨近1.7%。行业研究机构集邦咨询(TrendForce)周三发布报告称，台湾地震后，美光科技、三星电子和SK海力士已暂停了DRAM芯片的报价。花旗在一份报告中表示，停工“可能导致部分DRAM生产中断”，并为记忆芯片制造商在价格谈判中带来优势。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星 稳居第一

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星稳居第一市场份额计算不包括主要用于人工智能（AI）服务器的高带宽内存（HBM），如果包括HBM在内，SK海力士和三星电子之间的差距估计会更大。据悉，服务器DRAM约占整个DRAM市场的35%-40%，SK海力士在服务器DRAM市场份额激增超越三星电子，主要因为SK海力士在模块类产品竞争中的领先地位，其中包括最新标准服务器DRAM以及第五代双倍数据速率内存（DDR5）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401677.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401677.htm