日本政府将向 Rapidus 额外提供2600亿日元补贴，用于兴建2纳米芯片工厂

日本政府将向Rapidus额外提供2600亿日元补贴，用于兴建2纳米芯片工厂https://www.jiemian.com/article/9300718.html不只2nm，日本Rapidus要兴建1nm等级晶片厂https://www.moneydj.com/kmdj/news/newsviewer.aspx?a=4cbdcce9-ebcd-4593-9128-be2957616119

日本弯道超车向美国取经 最先进的2nm EUV工艺学到手

日本弯道超车向美国取经最先进的2nmEUV工艺学到手Rapidus公司将派出100名工程师到IBM公司学习，将获得2nm工艺生产所需的GAA环绕栅极晶体管技术，这是实现2nm的关键。此前的4月份Rapidus已经派出一批工程师到IBM商谈合作了。根据Rapidus公司的建设计划，他们将在日本北海道地区建立晶圆厂，2023年9月份开工，2024年6月份完成厂房基础设施，并开始洁净室建设。2025年4月开始运营一条试验性生产线，并引进EUV光刻机等设备，目标是2027年开始大规模量产2nm工艺——这个进度比台积电、三星及Intel量产2nm节点工艺只晚了1-2年。不仅要量产2nm工艺，Rapidus公司还计划在2030年代实现每年1万亿日元的营收，约合人民币510亿或者72亿美元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362777.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362777.htm

和IBM合作 日本将研发2nm芯片Chiplet先进封装技术

和IBM合作日本将研发2nm芯片Chiplet先进封装技术左为Rapidus总裁兼首席执行官小池淳义，右为IBM日本副总裁森本典繁该协议是日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）开展的“2nm半导体芯片和封装设计与制造技术开发”项目框架内国际合作的一部分，并建立在Rapidus与IBM共同开发2nm制程节点技术的现有协议基础上。作为协议的一部分，Rapidus与IBM的工程师将在IBM位于北美的工厂，合作开发和制造高性能计算机系统的半导体封装技术。多年来，IBM积累了用于高性能计算机系统的半导体封装的研发和制造技术。与此同时，IBM与日本半导体制造商以及半导体、封装制造设备和材料制造商在联合开发方面也有着非常丰富的经验。Rapidus的目标是利用IBM的这些专业知识，快速开发尖端的芯片封装技术。此前有报道称，Rapidus已经向IBM派遣了大概100名员工，目前正在美国纽约的奥尔巴尼纳米技术中心，专注于2nm工艺技术的开发工作。此外，Rapidus的员工还在向IBM的技术人员学习如何使用极紫外（EUV）光刻设备。Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。Rapidus早在2022年底与IBM签署了技术授权协议，在日本北海道千岁市新建晶圆厂，计划2025年启动生产线，试产2nm芯片，并在2027年开始实现批量生产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434491.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434491.htm

成立一年的日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻机 计划2025年试产2nm工艺

成立一年的日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻机计划2025年试产2nm工艺Rapidus社长小池淳义日前在采访中透露，他们已经完成了1台EUV光刻机的筹备，不过具体的型号及进度没有说明，不确定是ASML的哪款EUV光刻机，何时安装、测试也没公布。Rapidus公司成立了仅仅9个月多，不到一年时间就筹备完成EUV光刻机，进度确实很快。小池淳义表示，通常大规模量产先进工艺需要至少1000名工程师，但他们引入了AI和自动化技术，现在有500名工程师了，用一半的资源就能完成。根据该公司的计划，他们2025年试产2nm工艺，2027年量产，2030年代预计营收将达到1万亿日元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360153.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360153.htm

Rapidus和Tenstorrent宣布合作 推动基于2nm制程的AI边缘设备领域发展

Rapidus和Tenstorrent宣布合作推动基于2nm制程的AI边缘设备领域发展除了人工智能处理器和服务器之外，Tenstorrent还构建并拥有世界上性能最强的RISC-VCPUIP，并将该技术授权给全球客户。通过与Rapidus的技术合作，Tenstorrent将加快尖端设备的开发，以满足不断发展的数字社会的需求。今年9月，Rapidus开始在北海道千岁市建设IIM（创新制造集成）项目。这将是日本第一家生产2纳米及以上最先进逻辑半导体的工厂。与此同时，Rapidus还向世界上最先进的半导体研究中心之一--美国纽约奥尔巴尼纳米技术园区派遣研究人员，与IBM合作开发2纳米逻辑半导体的生产技术。该公司还计划从imec购买生产尖端半导体所必需的EUV光刻技术。利用这些技术，公司计划于2025年4月在IIM-1开始试生产，并于2027年开始量产。Rapidus将通过实现最先进的LSI代工厂，与国内外的材料和设备行业建立合作框架，并与IBM、imec及其他合作伙伴开展国际合作，为提高日本的产业实力做出贡献，此外还将积极推进知识产权(IP)领域的合作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1397997.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1397997.htm

2nm决战2025

2nm决战2025争先恐后来看看“不约而同”的2nm时间轴进程。作为行业老大，台积电称将如期在2025年上线2nm工艺，2025年下半年进入量产。2nm可谓是台积电的一个重大节点，该工艺将采用纳米片晶体管（Nanosheet），取代FinFET，意味着台积电工艺正式进入GAA时代。有报道称，台积电在前不久已开始了2nm工艺的预生产，英伟达和苹果有望成为首发客户。一直在“坐二望一”的三星在3nm率先以GAA开局，在2nm层面自然也志在必得：在其最新公布的第二季度财报中表示，2nmGAA的开发已步入正轨并进展顺利。在之前三星也公布了2nm量产的具体时间表：自2025年起首先将该技术用于移动终端；到2026年将适用于采用背面供电技术的高性能计算；2027年将其用途扩至汽车芯片。反观英特尔亦快马加鞭。自宣布实施IDM2.0战略以来，英特尔不遗余力四面出击，着力向“四年五个制程节点”的目标迈进，其中Intel20A和Intel18A分别对应2nm和1.8nm制程，英特尔对此寄予厚望，激进宣布Intel20A计划于2024年上半年投入使用，进展良好的Intel18A也将提前至2024年下半年进入大批量制造，在时间上誓要先发制人。作为后来者，承载日本代工业复兴大计的Rapidus亦不甘示弱，前不久公布了最新的生产计划，预计将在2025年试产2nm，采用IBM2nmGAA技术，目标是2027年大规模量产。2025年，或将开启2nm的“华山论剑”大戏。不过业内人士许然（化名）对集微网表示，谁家率先量产不是最重要的，就如三星率先量产3nm，但首先只是在挖矿芯片上采用，意义不太大，而且每家的2nm也涉及物理尺寸的不同，不能一概而论。反超机会？瞄准2nm决战，对于三星还是英特尔来说的重要性还在于，他们均将2nm工艺视为其超越竞争对手并重返先进制程领先地位的关键。是什么给了他们底气？从三星来看，由于率先3nm制程中采用GAA架构，在GAA用于先进制程方面拥有了率先量产和磨合的先发优势。此外，三星还开发了MBCFET晶体管专利技术，为其2nm工艺竞争力再添筹码。三星表示，与7nmFinFET相比，MBCFET可将功耗降低50%，性能提高30%，并将晶体管占用面积减少45%，提供了卓越的设计灵活性。如果说每一代工艺有每一代的“绝活”，那么无疑背面供电（BSPDN）技术将是影响2nm对决之势的一大因素，据称，与FSPDN前端供电网络相比，BSPDN的性能提高了44%，能效提高了30%，三大巨头也纷纷排兵布阵。英特尔在这一技术层面看似先行破发。不仅将在Intel20A制程率先采用RibbonFET架构（相当于GAA架构），还将结合另一突破性技术背面供电PowerVia，这对晶体管微缩至关重要，可解决日益严重的互连挑战，提升芯片性能和能效。通过两大技术的“联合”，英特尔认为这将是新的FinFET时刻——参考英特尔2012年在22nm引入FinFET的荣光。值得一提的是，英特尔在第二季度宣布率先在产品级测试芯片上已实现PowerVia，相比台积电和三星领先两年，将为英特尔的反超提供巨大的优势。有消息称，台积电计划在2026年推出N2P工艺，这一工艺将采用背面供电技术，而且三星也将在2nm工艺采用BSPDN技术。相较之下，2nm是台积电首次从FinFET转至GAA，在架构迁移上相当于“落后”于三星。尽管台积电宣称，已在N2硅的良率和性能方面都取得了“扎实的进展”，但业内也有质疑说台积电的2nmGAA工艺有良率“翻车”的风险。前知名分析师陆行之在媒体直言，如果台积电研发速度太慢，2nm再跟3nm一样，离5nm间隔3~4年，就很可能被超车，并称“一些设备商比较看好英特尔2nm/1.8nm进度，台积电内部也挺紧张的，到处打探消息”，但他同时也认为台积电有强大的执行力。饶是如此，台积电的综合实力依旧不容小觑。以赛亚调研(IsaiahResearch)认为，台积电和三星有更大的机会率先实现2nm量产，因为这两大巨头过去在先进制程的良率和量产方面表现相对出色。对此集微咨询也分析，台积电和三星在先进工艺技术领域一步一个脚印，积累更全面、更扎实，向2nm推进过程中相对率先实现的概率更高。英特尔虽实现了7nm，但在5nm和3nm节点层面尚需积累量产和磨合经验，直接跳至2nm扭转局面仍面临一定挑战。先进封装的X因素看起来2nm是工艺的决战，但其实先进封装的重要性已然不可忽视。先进封装与制程工艺可谓相辅相成，其在提高芯片集成度、加强互联、性能优化的过程中扮演了重要角色，成为助力系统性能持续提升的重要保障。为在工艺节点获得更大的赢面，押注先进封装已成为三大巨头的“显性”选择。近些年来，英特尔、三星和台积电一直在稳步投资先进封装技术，各自表现也可圈可点。综合来看，在先进封装领域，台积电的领先地位依旧凸显。据了解，台积电在先进封装上已获得了可观的收入体量，技术布局也进入关键节点，未来投入规模将持续加码。尤其是在AI产能需求持续升级之下，台积电正积极扩充第六代2.5D先进封装技术CoWoS产能，将投资约28亿美元打造先进封装厂，预计2026年底建厂完成、2027年第三季开始量产，月产能达11万片12英寸晶圆，涵盖SoIC、InFO以及CoWoS等先进封装技术。半导体知名专家莫大康就表示，台积电在CoWoS的产能大增，将十分有利于其争取2nm讨单。而时刻保持“两手抓”，也让台积电的护城河愈加深厚。英特尔也不逞多让。通过多年技术探索，相继推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多种先进封装技术，在互连密度、功率效率和可扩展性三个方面持续精进。在今年5月，英特尔发布了先进封装技术蓝图，计划将传统基板转为更为先进的玻璃材质基板，以实现新的超越。而且，英特尔也在布局硅光模块中的CPO（共封装光学）技术，以优化算力成本。在先进封装领域，英特尔或可与台积电同台竞技。三星自然也紧追不舍。针对2.5D封装，三星推出的I-Cube封装技术可与台积电CoWoS相抗衡；3DIC技术方面，三星2020年推出X-Cube封装。此外，三星计划在2024年量产可处理比普通凸块更多数据的X-Cube封装技术，并预计2026年推出比X-Cube处理更多数据的无凸块型封装技术。对此许然认为，三星在2.5D先进封装方面虽已布局多年，但是前道代工业务较弱，在一定程度上影响了其先进封装业务的进展，客户相对较少。不过随着台积电CoWoS短期内难以满足客户需求，三星有希望能接到部分订单，而且它还拥有唯一拥有从存储器、处理器芯片的设计、制造到先进封装业务组合的优势。以赛亚调研指出，在先进封装领域，目前更加强调的是异构芯片的整合能力。例如，MI300封装将3nmGPU与5nmCPU芯片整合在一块，这种整合能力对于提高芯片性能和效能至关重要。因而，未来的比拼也将围绕这一能力展开。全面考验尽管看似巨头们各有伯仲，但2nm的考验绝不止首发那么简单。莫大康提及，尽管上述巨头技术进阶的路径基本相同，且都采用ASML的高NA光刻机，但无论是良率、客户粘性和服务均将影响2nm量产的进程。以赛亚调研也提及，各家厂商的量产进程受到多种因素的影响，包括技术难度、资金投入、设备与材料支持等。“根据目前的评估，台积电与三星将继续是2nm制程的主要代工厂商，因在先进制程的良率和量产规模方面表现出色。英特尔在技术研发方面虽具有一定的优势，但其晶圆代工主要专注于自家产品，对外部客户的合作较为有限，这对突破先进制程的良率和量产稳定性带来了挑战。而日本Rapidus虽拥有强大的研发资源，但主要专注在AI及超级计算机等相关产品，以在日本建立自己的先进工艺供应链、服务日本客户为优先，经济规模的量产还在其次。”以赛亚调研详细解读...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1375035.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1375035.htm