台积电CTO预计高NA光刻后时代的芯片制造成本会暴涨

台积电CTO预计高NA光刻后时代的芯片制造成本会暴涨在接受Bits&Chips采访时,台积电首席技术官MartinvandenBrink预计——在不远的将来,半导体光刻技术或走到尽头。按照现有的路线图,台积电将在极紫外光刻(EUV)之后转向高数值孔径。该公司现正携手Imec,准备2023年迎来其首台研究型High-NA扫描仪。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1321049.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1321049.htm

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ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示,在未来十年内,ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性,指出它能够简化复杂的双重图案工艺,降低生产难度。他解释说,这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是,高数值孔径EUV(high-NA)光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具,目前仅英特尔一家采用,而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用,ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室,该实验室将与Imec共同运营,为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上,该实验室的系统已经投入使用,并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新,该系统已经能够产生8nm线阵图案,接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

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2nm芯片研发遭遇瓶颈:没ASML下一代NAEUV光刻机搞不掂在业内,比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品的是比利时微电子研究中心(IMEC),虽然名气不大,但其实它是世界上最大的半导体专门研究机构。因为离得近,ASML的原型试做机,往往在完工后就第一时间送交IMEC评估尝鲜。日前,IMEC首席执行官LucVandenhove在公开路线图时表示,当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平,不过,想要超越,必须要靠下一代高NAEUV光刻机。他督促ASML在未来3年内,全力投产高NA光刻机。所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55,进而增加光刻分辨率,以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。一切顺利的话,ASML会在明年推出其首款高NAEUV光刻机,Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂,其中Intel下手最快。这款光刻机价值高达4亿美元(约合26亿元人民币),组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302961.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1302961.htm

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台积电推出A16新型晶片制造技术预计将于2026年量产台湾积体电路制造公司(简称台积电)公布,所推出的A16新型晶片制造技术,A16晶片预计将于2026年下半年量产。据路透社报道,台积电星期三(4月24日)在美国加州圣克拉拉举行的一场技术论坛上,做出上述宣布。台积电高管说,人工智能晶片制造商将比智能手机制造商更早采用上述技术。台积电说,这项新科技将允许电力从晶片背面输送到计算晶片,有助于加快人工智能晶片的运算速度,而这是台积电与美国竞争对手英特尔一直在竞争的领域。台积电商业发展高级副总裁张晓强对记者说,因应人工智能晶片公司的需求,公司比预期更早完成A16新型晶片制造技术的开发,但未具体说明是为哪些人工智能晶片公司制造这些晶片。张晓强说,台积电不认为需要荷兰半导体巨头阿斯麦(ASML)出产的高数值孔径(High-NA)极紫外光刻机(EUV)制造A16晶片。英特尔上周宣布,将向阿斯麦购买制造每台售价3亿7300万美元(约5亿800万新元)的高数值孔径紫外光刻机,用于制造14A晶片。英特尔今年2月称,公司所推出的14A新型晶片制造技术,将让他们超越台积电,生产出全世界运算速度最快的晶片。2024年4月25日3:04PM

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ASML:所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机单价翻番到26亿ASML(荷兰阿斯麦)正抓紧研制其下一代高NA(0.55数值孔径)的EUV极紫外光刻机,在发布最新财报期间,AMSL透露,其存量EUV客户均订购了新一代设备。具体来说,在Intel和台积电之后,三星、SK海力士、美光等也下单高NAEUV光刻机了。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329261.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1329261.htm

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传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问:NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息,台积电并没有为A16制程准备High-NA(高数值孔径)EUV光刻机,而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下,英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术,英特尔原本计划在20A(2nm)制程导入,称其为“PowerVia”,但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN,根据早些时候消息,三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机,并完成组装。业界认为,台积电选择在这时推出A16制程,给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步,但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机,也展现了其技术实力,可以在不采用最新设备的情况下,将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上,去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式,在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时,还降低了缺陷密度。台湾分析师表示,台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求,尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限,如何在三大晶圆代工巨头之间分配,势必成为一大挑战。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm

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