2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机ASMLTwinscanNXE:3800E代表了低数值孔径EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在30mJ/cm^2剂量下处理超过195个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至220wph。此外，新工具还提供小于1.1nm的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML在X上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和3nm级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高TwinscanNXE:3800E机器的经济效益。ASMLTwinscanNXE:3800E的性能改进预计将显着缓解EUV技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖EUV的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和SK海力士等内存制造商也至关重要。此外，TwinscanNXE:3800E的增强性能对于采用2nm以及需要EUV双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于3nm以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像NXE:3800E这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为1.8亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于ASML的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入NXE:3800E等更先进、更高效的EUV扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以TwinscanNXE:4000F的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径EUV扫描仪，预计于2026年左右发布。这一持续开发强调了ASML致力于推进低数值孔径的承诺-NAEUV制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423976.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423976.htm

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆ASML初始产能，获得今年全部高数值孔径EUV光刻机https://www.ithome.com/0/766/399.htmTheElec表示，ASML截至明年上半年绝大部分高数值孔径EUV设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。———2023-12-222024-04-18

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NAEUV光刻机搞不掂在业内，比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品的是比利时微电子研究中心（IMEC），虽然名气不大，但其实它是世界上最大的半导体专门研究机构。因为离得近，ASML的原型试做机，往往在完工后就第一时间送交IMEC评估尝鲜。日前，IMEC首席执行官LucVandenhove在公开路线图时表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过，想要超越，必须要靠下一代高NAEUV光刻机。他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，进而增加光刻分辨率，以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。一切顺利的话，ASML会在明年推出其首款高NAEUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel下手最快。这款光刻机价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302961.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302961.htm

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机 单价翻番到26亿

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机单价翻番到26亿ASML（荷兰阿斯麦）正抓紧研制其下一代高NA（0.55数值孔径）的EUV极紫外光刻机，在发布最新财报期间，AMSL透露，其存量EUV客户均订购了新一代设备。具体来说，在Intel和台积电之后，三星、SK海力士、美光等也下单高NAEUV光刻机了。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329261.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329261.htm

阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案

阿斯麦High-NAEUV光刻机取得重大突破，成功印刷10纳米线宽图案https://www.ithome.com/0/762/554.htmASML公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径EUV系统首次印刷出10纳米线宽（denseline）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台HighNAEUV光刻机，买家身份成谜https://www.ithome.com/0/762/592.htm然而，ASML对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径EUV光刻机，用于其即将推出的14A制程节点。正如ASML在提交给美国证券交易委员会的文件（第13页）中提到的，英特尔在2024年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台TWINSCANEXE:5200系统。台积电和三星也已经确认有意采用ASML的高数值孔径EUV光刻机。