ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASMLHighNAEUV光刻机晶圆制造速度提升150%可打印8nm线宽根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的MartinvandenBrink的说法，新的HighNAEUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NAEUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NAEUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NAEUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。MartinvandenBrink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对HighNAEUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行HighNAEUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成HighNAEUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel14A节点制程的大量生产当中。MartinvandenBrink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NAEUV光刻机了，以进一步扩展其High-NAEUV光刻机的潜在路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432933.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432933.htm

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台HighNAEUV光刻机，买家身份成谜https://www.ithome.com/0/762/592.htm然而，ASML对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径EUV光刻机，用于其即将推出的14A制程节点。正如ASML在提交给美国证券交易委员会的文件（第13页）中提到的，英特尔在2024年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台TWINSCANEXE:5200系统。台积电和三星也已经确认有意采用ASML的高数值孔径EUV光刻机。

英特尔完成世界首台商用High NA EUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术

英特尔完成世界首台商用HighNAEUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的FabD1X研发晶圆厂完成了世界首台商用HighNA（0.55NA）EUV光刻机的组装。这台型号为TWINSCANEXE:5000的光刻机是ASML的首代产品，价值约3.5亿美元。目前，该光刻机已进入光学系统校准阶段。High-NAEUV光刻机相较于现有的0.33NAEUV光刻机，在一维密度上拥有1.7倍的提升，意味着在二维尺度上可以实现190%的密度提升。这将允许在更精细的尺度上制造半导体，从而继续推动摩尔定律的发展。英特尔计划从2025年的18A新技术验证节点开始，在其先进芯片的开发和制造中同时使用0.55NA和0.33NA的EUV光刻机。线索：@ZaiHuabot投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NAEUV光刻机搞不掂在业内，比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品的是比利时微电子研究中心（IMEC），虽然名气不大，但其实它是世界上最大的半导体专门研究机构。因为离得近，ASML的原型试做机，往往在完工后就第一时间送交IMEC评估尝鲜。日前，IMEC首席执行官LucVandenhove在公开路线图时表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过，想要超越，必须要靠下一代高NAEUV光刻机。他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，进而增加光刻分辨率，以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。一切顺利的话，ASML会在明年推出其首款高NAEUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel下手最快。这款光刻机价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302961.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302961.htm

先进工艺过剩 台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电

先进工艺过剩台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，只有ASML公司才能生产，单台售价约10亿人民币，之前三星、台积电等公司还要抢着买，然而今年半导体形势已经变了，EUV光刻机反而因为耗电太多，台积电计划关闭省电。来自产业链的消息人士手机晶片达人的消息称，由于先进制程产能利用率开始下滑，而且评估之后下滑时间会持续一段周期，台积电计划从年底开始，将部分EUV设备关机，以节省EUV设备巨大的耗电支出。据了解台积电目前拥有大约80台EUV光刻机，主要用于7nm、5nm及以下的先进工艺，今年9月份还会量产3nm工艺，都需要EUV光刻机，然而随着PC、手机、显卡等产品的需求下滑，先进工艺生产的芯片势必会受到影响。苹果今年的iPhone14Pro系列的A16处理器也没有急着上3nm工艺，还在用4nm工艺，此外苹果还因为3nm能效问题，取消了初代3nm生产芯片的计划。相比之前的DUV光刻机，EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，早期效率只有0.02%，现在量产的说是可以达到2%效率，但也意味着绝大多数电力都要消耗掉。EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度，是十足的电老虎。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1311049.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1311049.htm

日耗电3万度 EUV光刻机要关机省电？台积电回应

日耗电3万度EUV光刻机要关机省电？台积电回应此前有消息称由于先进工艺产能过剩，台积电计划今年底将部分EUV光刻机关机，以便节省电费支出，台积电日前也回应了，表示不评论市场传闻。台积电称，本公司针对机台设备皆有年度规划，并依循计划，在不影响正常营运的前提下，进行例行维护与升级。上周来自产业链的消息人士手机晶片达人的消息称，由于先进制程产能利用率开始下滑，而且评估之后下滑时间会持续一段周期，台积电计划从年底开始，将部分EUV设备关机，以节省EUV设备巨大的耗电支出。据了解台积电目前拥有大约80台EUV光刻机，主要用于7nm、5nm及以下的先进工艺，今年9月份还会量产3nm工艺，都需要EUV光刻机，然而随着PC、手机、显卡等产品的需求下滑，先进工艺生产的芯片势必会受到影响。相比之前的DUV光刻机，EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，早期效率只有0.02%，现在量产的说是可以达到2%效率，但也意味着绝大多数电力都要消耗掉。EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度，是十足的电老虎。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1313301.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1313301.htm