铠侠发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存 最高512GB容量

铠侠发布业界首款车载UFS4.0嵌入式闪存最高512GB容量铠侠表示，新产品采用了小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统。铠侠称，新款内存顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%，提升幅度明显。由于性能的提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。这次发布的新型UFS4.0设备将BiCSFLASH3D闪存和控制器集成在JEDEC标准封装中，其中UFS4.0采用MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0技术，支持每条通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度，同样能够兼容UFS3.1。此外，新产品支持高速链路启动序列（HS-LSS）功能，设备和主机之间的传输链路启动（M-PHY和UniPro初始化序列）能够以快于传统UFS的HS-G1RateA（1248Mbps）执行。与传统方法相比，预计这将使链路启动时间缩短约70%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415543.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415543.htm

Kioxia 出样最新一代 UFS v4.0 嵌入式闪存设备

Kioxia出样最新一代UFSv4.0嵌入式闪存设备新UFS产品的增强性能可优化5G连接的利用率，从而加快下载速度、减少延迟并提升用户体验。更小的封装尺寸有助于提高电路板空间效率和设计灵活性。Kioxia最新的UFSVer.4.0器件在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCSFLASH3D闪存和控制器。UFS4.0整合了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0，支持每通道23.2Gbps或每器件46.4Gbps的理论接口速度，并且UFS4.0向后兼容UFS3.1。其它主要技术特征包括：读/写速度比上一代产品提高：连续写入速度提高约15%，随机写入速度提高约50%，随机读取速度提高约30%。封装尺寸比上一代减小：封装尺寸为9毫米x13毫米，封装厚度为0.8毫米（256GB和512GB）和0.9毫米（1TB），与传统封装尺寸（11毫米x13毫米）相比缩小了约18%。更多信息，请访问产品页面。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428347.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428347.htm

铠侠正在出样符合JEDEC eMMC Ver 5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品

铠侠正在出样符合JEDECeMMCVer5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品铠侠（Kioxia）美国公司今日宣布，其符合JEDECeMMCVer5.1标准、适用于消费级市场的最新一代嵌入式闪存产品已开始出样。即使UFS的参数更加引人注目，但随着平板电脑、物联网等设备对中端存储容量的需求持续增长，铠侠也适时地推出了新一代eMMC产品。据悉，作为消费类应用/移动存储产品的业内领先供应商，铠侠自2007年以来就一直积极支持e-MMC方案，并于2013年初成为了售价推出更高性能的e-MMC后续解决方案（UFS）的供应商。时至今日，铠侠的e-MMC和UFS解决方案已得到相当广泛的运用，涵盖4GB~1TB的各种存储密度。而今日发布的中端容量新品，不仅提供了64/128GB的容量选项，还于单个封装中整合了闪存+主控。以下是基于最新一代BiCSFLASH3D闪存的消费级e-MMC新品的主要特点：●改进架构，减少内部写入放大，实现更稳定的持续写入性能。●预编程用户数据，在客户制造过程/发送回流前具有更高的可靠性。●闲置到自动休眠时间较上一代减少100×6，有助延长电池续航。●通过访问设备内的多个裸片，以实现更快的性能。●支持更快接口速率的JEDECeMMC5.1标准（HS400）。铠侠北美公司存储业务部副总裁ScottBeekman表示：随着新一代e-MMC设备的推出，铠侠可通过提供广泛的高性能产品系列，来巩固自身的市场领先地位。展望未来，铠侠将继续为基于e-MMC嵌入式存储器解决方案的各类应用提供全力支持。目前该公司已在出样下一代e-MMC存储产品，预计将于今年10月全面上市。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310695.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1310695.htm

Galaxy S23憋大招逆袭：全系骁龙8 Gen2+UFS 4.0

GalaxyS23憋大招逆袭：全系骁龙8Gen2+UFS4.0虽然三星依然把持着全球智能机出货第一的位置，但在很多重要市场，份额早已猛烈下滑，中国市场自然不用说，最新数据显示其在印度也已经跌至第四名。显然，三星需要拿出一些让人眼前一亮的产品来重新吸引这部分消费者，除了即将发布的GalaxyFold4/Flip4折叠屏手机，更大的看点还有GalaxyS23系列。通过对AOSP的代码挖掘发现，S23对应的型号如SM-918、SM-S918BDS、SM-S918U、SM-S918U1、SM-S918W均已现身，其内部代号为DM3。S23的主要看点之一是这次全系搭载骁龙8Gen2芯片，不在韩国、欧洲等地铺货Exynos芯片，据说Exynos团队正在反思重建，等待2024年三星第二代3nm工艺成熟后再推出迭代处理器。另一个看点则是UFS4.0闪存，三星已经确认，UFS4.0闪存本月投入量产。UFS4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s，比当前最快的UFS3.1翻番还要多。在提速的同时，UFS4.0闪存的优势还有单位功耗更低、封装尺寸更小、单芯片容量可做到1TB。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302573.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302573.htm

JEDEC宣布UFS 4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新

JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新作为微电子行业标准开发的全球领导者，JEDEC固态技术协会刚刚宣布了最新的UFS4.0通用闪存存储标准。作为补充，该组织还更新了JESD223EUFSHCI4.0标准，以及面向UFS3.1和更高版本的“基于文件的优化”（JESD231FileBasedOptimization）。上述三项标准更新均可从JEDEC官网下载据悉，UFS4.0专为需要高性能和低功耗的移动应用程序和计算系统而开发。与早期版本的标准相比，其带来了显着的带宽和数据保护改进。作为一种高性能接口，通用闪存标准（UFS）专为需要最小化功耗的计算与移动系统而设计，比如智能手机和平板电脑。得益于高速串行接口和优化协议，UFS可显著提升吞吐量和移动设备的性能。现在，UFS4.0和UFSHCI4.0共同定义了相较于先前标准的如下改进：●此前为兼顾最佳性能和节能的数据传输，JEDECUFS接纳了来自MIPI联盟、业内领先的规范来构建其互连层。●这项合作在UFS4.0新标准上得到了延续，并借助M-PHY5.0和UniPro2.0版规范将UFS接口带宽加倍、支持约4.2GB/s的高速读写吞吐量。●其次新标准为需要更高存储I/O模式的应用场景，引入了对多循环队列（Multi-CircularQueue）的定义自持。●此外高级RMPB接口可在增加带宽的同时，保护数据的安全。然后UFS4.0提供了多项旨在提升设备整体功能与能效的增强特性，辅以与未来领先解决方案的轻松集成：●VCC电压从3.3V降低到了更高效的2.5V；●借助高速链路启动、乱序数据传输和BARRIER命令来改善系统延迟；●通过引入具有主机可配置时间戳和增强型的M-PHYEyeMonitor设备错误历史记录来简化系统集成；●保留与UFS3.0/3.1标准的向后兼容性，以允许在混合系统应用程序中使用。最后，最为UFS3.1及更高版本的可选扩展，JESD231标准更新带来了“基于文件的优化”，允许通过主机提供的文件系统信息来加速读取数据流。JEDEC董事会主席兼JC-64嵌入式存储器/可移动存储卡委员会主席MianQuddus表示：JEDEC成员致力于开发支持未来移动设备的所需标准，而针对UFS及其配套标准的持续努力，又可反向促进设备性能的显著改进、以及用户体验的增强。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305849.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305849.htm

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm