铠侠发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存 最高512GB容量

铠侠发布业界首款车载UFS4.0嵌入式闪存最高512GB容量铠侠表示，新产品采用了小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统。铠侠称，新款内存顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%，提升幅度明显。由于性能的提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。这次发布的新型UFS4.0设备将BiCSFLASH3D闪存和控制器集成在JEDEC标准封装中，其中UFS4.0采用MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0技术，支持每条通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度，同样能够兼容UFS3.1。此外，新产品支持高速链路启动序列（HS-LSS）功能，设备和主机之间的传输链路启动（M-PHY和UniPro初始化序列）能够以快于传统UFS的HS-G1RateA（1248Mbps）执行。与传统方法相比，预计这将使链路启动时间缩短约70%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415543.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415543.htm

铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片：连读写入速率提升 15%、封装面积减小 18%

铠侠出样最新一代UFS4.0闪存芯片：连读写入速率提升15%、封装面积减小18%https://www.ithome.com/0/763/614.htm铠侠今日宣布出样最新一代UFS4.0闪存芯片，提供256GB、512GB、1TB容量可选，专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。———2024-02-272022-05-04

Kioxia推出符合5.1版规范的下一代e-MMC嵌入式闪存

Kioxia推出符合5.1版规范的下一代e-MMC嵌入式闪存随着市场继续向UFS转移，在某些情况下仍可能使用e-MMC。这包括具有中端存储需求的消费类产品，如平板电脑、个人电脑、销售点设备和其他便携式手持设备，以及智能电视和智能网卡。与上一代器件相比，新的Kioxia器件的连续和随机写入性能提高了约2.5倍，随机读取性能提高了约2.7倍。此外，与上一代器件相比，TBW[5]提高了约3.3倍，这与整个e-MMC区域的增强区域设置是一致的。Kioxia目前正在对其下一代e-MMC器件进行样品测试，预计将于2024年春季量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386617.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1386617.htm

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS 4.0存储芯片

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS4.0存储芯片美光推出这种小型解决方案的主要原因是，智能手机原始设备制造商反馈说他们希望有更大的空间放置更大的电池。这家美国公司在美国、中国和韩国的联合客户实验室开发了这一产品，并采用了其232层3DNAND技术。与去年6月推出的11x13毫米解决方案相比，UFS4.0芯片的占地面积缩小了20%。这将在不影响整体性能的情况下降低功耗。美光带来了HPM（高性能模式），这是一项专有功能，可优化智能手机高强度使用时的性能，启用HPM后，速度可提高25%。美光现在出货的新UFS4.0存储样品有三种规格：分别是256GB、512GB和1TB。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421169.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1421169.htm

美光推出首款UFS 4.0模块 存储速度达4300MB/s

美光推出首款UFS4.0模块存储速度达4300MB/s美光的UFS4.0存储设备有三种容量——256GB、512GB和1TB——依赖于该公司自己的控制器。512GB和1TBUFS4.0产品采用美光232层六平面1Tb3DTLCNAND器件，可提供4300MB/s的顺序读取速度以及4000MB/s的顺序写入速度，这使它们成为迄今为止智能手机性能最高的UFS存储模块。256GB单元速度稍慢，因为它使用四平面3DNAND设备。美光的新型UFS4.0存储模块完全符合该规范，并使用两个M-PHYGear5通道进行数据传输。此外，它们还支持数据流分离（分离设备上经常使用和很少使用的数据，以减少后台垃圾收集）、AutoReadBurst（通过在长时间使用后使用设备碎片整理来提高读取性能）、EyeMonitoring（确保信号完整性）等专有固件功能。除了提供比前代产品更高的性能外，美光的UFS4.0模块还通过更高的性能和节能功能的结合，将能效提高了25%。使用大容量232层3DTLCNAND器件也使美光能够使其UFS4.0模块变得相当薄。该公司表示，其高度不超过0.8–0.9毫米，这将使手机制造商能够使他们的产品变得更轻薄，或者留出空间安装更高容量的电池。美光目前正在向主流智能手机制造商提供UFS4.0存储模块样品，预计这些产品将在下半年开始量产后的未来几个月或几个季度投入使用。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1366683.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1366683.htm