SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”

SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破 良品率已达56.1%

SK海力士5层堆叠3DDRAM新突破良品率已达56.1%SK海力士透露，目前其5层堆叠的3DDRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3DDRAM单元，其中超过一半（即561个）为良品，可用于实际应用。此外，SK海力士的实验性3DDRAM在性能上已展现出与现有2DDRAM相媲美的特性。尽管3DDRAM技术拥有巨大的市场潜力和技术优势，但SK海力士也坦诚地指出，在实现商业化之前，仍需进行大量的技术验证和优化工作。值得一提的是，与2DDRAM的稳定运行不同，3DDRAM在性能上还存在一定的不稳定性。因此，SK海力士认为，要达到广泛应用的目标，需要进一步提升3DDRAM的堆叠层数，实现32层至192层堆叠的存储单元。这一目标的实现，将极大地推动3DDRAM技术的商业化进程。在当前的DRAM市场中，三星、SK海力士和美光等少数几家主要参与者依然占据主导地位，共同占据了全球市场份额的96%以上。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436079.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1436079.htm

消息称 SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 制造良率已达 56.1%

消息称SK海力士5层堆叠3DDRAM制造良率已达56.1%SK海力士报告称，其5层堆叠的3DDRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约1000个3DDRAM中，约有561个可行器件被生产出来。实验性的3DDRAM显示出与目前使用的2DDRAM相似的特性，这是SK海力士首次披露其3DDRAM开发的具体数字和特性。

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm

SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成 下半年整体内存供应可能面临不足

SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成下半年整体内存供应可能面临不足SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm