三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上

三星计划2027年推出UFS5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了UFS4.04和UFS5.0。三星表示，近年来，端侧(End-to-End)人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升UFS接口速度。三星正在研发一款新产品，这款产品使用UFS4.0技术，但将通道数量从目前的2路提升到4路同时，预计2025年量产，顺序读取速度达到8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。新品路线图还显示，三星计划2027年推出UFS5.0产品，顺序读取速度有望提升至10GB/s以上。——、

三星电子半导体将首次参加北京车展，计划展出 “业界最快” LPDDR5X DRAM 等产品

三星电子半导体将首次参加北京车展，计划展出“业界最快”LPDDR5XDRAM等产品三星电子半导体中文官网显示，三星电子半导体将于今年4月25日至27日期间首次参加北京车展。据悉，三星电子计划分成存储器、系统LSI、代工领域等三大展区，展示用于高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载信息娱乐（IVI）等的最新产品。三星电子有望在存储器展区展出支持高达10.7Gbps的LPDDR5XDRAM、第七代图形用双倍数据传输率存储器（GDDR7）、AutoSSD（车载固态硬盘）和通用闪存（UFS）3.1内存等产品。

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

三星电子加速晶圆代工产能扩张 平泽P3工厂生产线计划Q4量产

三星电子加速晶圆代工产能扩张平泽P3工厂生产线计划Q4量产外媒在报道中表示，即使在全球半导体市场不景气的大背景下，三星电子也在集中精力投资尖端代工设施，今年一季度他们在半导体生产设施上的投资就达到了9.8万亿韩元，同比增长24%，用在晶圆代工上的部分，据说也不低。三星电子在芯片制程工艺上虽然处在行业前列，但在芯片领域，他们是以存储芯片见长，在NAND闪存和DRAM方面的市场份额均靠前，存储芯片在他们半导体营收中所占的比例也在60-70%。去年下半年开始的芯片需求下滑，也对三星电子造成了影响，存储芯片业务的营收已连续三个季度同比环比大幅下滑，所在的设备解决方案部门的营收及营业利润也均有下滑，今年一季度更是出现了4.58万亿韩元的营业亏损。业界人士透露，存储芯片需求下滑，在4月份已宣布减产的三星电子，也在放缓存储芯片产能的扩张，但晶圆代工方面的投资却在加速进行。外媒在报道中还提到，业内人士透露，三星电子在加速平泽P3工厂新晶圆代工生产线的扩张，计划在今年四季度量产，也有报道称最快计划在5月份开始试运行。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1359331.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1359331.htm

获“无限期豁免”后 三星西安工厂将升级236层NAND技术

获“无限期豁免”后三星西安工厂将升级236层NAND技术△三星1TbitGen8V-NAND芯片报道引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层，相比其第7代V-NAND的176层数增长了34%。这也被业界视为在当前全球NANDFlash闪存需求疲软，导致产能下降的应对计划。根据公开数据显示，三星中国半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。其中，三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外内存半导体生产基地，于2014年开始运营，并在2020年增建第二座工厂后，主要以生产128层堆叠NANDFlash闪存为主，月产能达20万片12寸晶圆，占三星NANDFlash产总量的40%以上。资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3DNAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391579.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391579.htm

三星电子在同索尼探讨汽车芯片合作 索尼CEO已到访三星

三星电子在同索尼探讨汽车芯片合作索尼CEO已到访三星从外媒的报道来看，此前就已表明将积极发展汽车存储半导体业务的三星电子，已开始同积极拓展移动业务的索尼，洽谈相关的合作。三星电子设备解决方案部门负责人庆桂显，是在去年11月份为期3天的日本商务旅行期间到访索尼的。在当时的会面中，庆桂显介绍了三星电子的技术实力，并探讨与索尼加强合作。除了正在探讨的汽车半导体合作，三星电子及旗下的三星显示，同索尼目前已有相关的合作。外媒在报道中就提到，三星电子是索尼的存储半导体供应商，三星显示也向索尼供应电视面板。对于与索尼洽谈的汽车半导体业务合作事宜，外媒在报道中提到，如果两家公司能顺利合作，就有助于三星电子轻松实现在汽车存储市场的目标。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1348207.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1348207.htm