三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层报道显示，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。三星决定升级其西安工厂的原因主要由两个：第一个原因是三星想要在目前尚未复苏的NAND芯片市场继续保持全球领先地位。从去年年底开始的半导体市场疲软影响到了三星NAND业务，即便是4月开始采取减产措施后也没有明显改变。因此三星选择了升级工艺来确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。再加上由于三星的减产措施，其西安工厂的整体开工率也是大幅下降到了20%左右。另一个原因就是美国的无限期豁免。三星西安工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元（约合795亿元人民币），2017年开始建造的第二工厂，先后投资了150亿美元（约合1097亿元人民币）。目前三星西安工厂已经成为了世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。三星那么多的投资，再加上美国现在又对其进行了豁免，升级生产工艺也就在情理之中了。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390285.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390285.htm

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产目前，三星已经减少了主要NANDFlash生产基地的晶圆投入，包括韩国平泽、华城以及中国西安。业界猜测三星的NANDFlash产量可能会减少10%左右。不过，鉴于市场持续低迷，三星在4月份发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外，三星在发布第Q2财报时表示，2023年下半年将重点削减NANDFlash领域的产量。值得注意的是，第6代128层V-NAND系列工艺相对成熟，成为减产目标。目前，三星的主要销售来自第7代和第8代V-NAND产品，分别为176层和236层。值得注意的是，半导体公司通常采用在减产期间保持设备运行而不生产晶圆的方法。这主要是因为如果设备完全关闭，重新启动期间重新建立工艺、达到产量需要额外的时间和金钱投资。不过，三星正在考虑停止设备运转，不仅是为了增强减产效果，也是为了削减成本。据报道，包括半导体在内的三星设备解决方案（DS）部门仅在2023年上半年就累计亏损8.94万亿韩元（约合67.2亿美元）。因此，“降低成本”成为三星存储业务目标管理（MBO）目标的重点之一。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377189.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1377189.htm

三星西安半导体工厂进入紧急运营状态

三星西安半导体工厂进入紧急运营状态由于中国陕西省西安市实行了封闭式管理，与外界交通几乎切断，据报韩国三星电子设在当地的半导体工厂已进入紧急运营状态，确保工厂正常生产。据韩联社报道，三星电子称，目前正在最大限度地动用住在职工宿舍内的人员确保生产线正常运行。至于今后的具体运营方案，三星电子说，该公司还需同中国政府协商。据报道，三星电子安排生产线运转所需人员停留在工厂附近的职工宿舍而非私宅，避免他们与外界接触，并正在同当地有关部门就允许这些人员出入工厂进行协商。三星电子西安工厂是三星在海外唯一的半导体存储器生产基地，负责三星闪存芯片（NAND）产量的四成。两周内出现多起冠病病例的西安，周四（12月23日）起实行封闭式管理，以遏制疫情扩散。发布：2021年12月26日9:56AM

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

韩驻华使馆：三星西安半导体厂正常运转

韩驻华使馆：三星西安半导体厂正常运转韩国驻华大使馆高官昨天与韩国记者座谈时说，在中国陕西省西安市采取严格疫情防控措施导致大批当地工厂停运的情况下，三星电子和三星SDI设在当地的半导体工厂和电池工厂保持正常运转。韩联社引述这位未具名的韩国驻华大使馆高官说，目前西安当地企业经营活动受限，导致几乎所有工厂暂停运营。但得益于西安市政府采取的特别措施，三星电子半导体工厂和三星SDI电池厂正常运转。据韩联社早前报道，由于西安市实行了封闭式管理，与外界交通几乎切断，三星电子设在当地的半导体工厂已进入紧急运营状态，确保工厂正常生产。三星电子西安工厂是三星在海外唯一的半导体存储器生产基地，负责三星闪存芯片（NAND）产量的四成。过去几周出现多起冠病病例的西安，上周四（23日）起实行封闭式管理，以遏制疫情扩散。发布：2021年12月28日8:15PM

韩国：三星、SK 海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备

韩国：三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备据韩联社，韩国总统办公室周一宣布，美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。也就是说，在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。韩联社表示，美国商务部正在更新其“经过验证的最终用户”名单，以确定哪些实体可以获得特定技术的出口。一旦被列入名单，就不需要再单独获得出口许可，也就意味着美国出口管制政策实际上无限期暂停。SK海力士对此表示欢迎，并认为此决策有助于稳定全球半导体供应链。去年，三星电子和SK海力士已获得美国商务部一年的授权，允许其向位于中国的工厂供应芯片生产设备，这项授权已于今年10月到期。三星电子和SK海力士在中国有多家工厂，并在全球半导体市场中占据重要地位，控制了大部分的DRAM和NAND闪存市场份额。Source:Viavia@Zcocksize_bot投稿：@ZaiHuaBot频道：@TestFlightCN