三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3DNAND闪存至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426484.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426484.htm

获“无限期豁免”后 三星西安工厂将升级236层NAND技术

获“无限期豁免”后三星西安工厂将升级236层NAND技术△三星1TbitGen8V-NAND芯片报道引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层，相比其第7代V-NAND的176层数增长了34%。这也被业界视为在当前全球NANDFlash闪存需求疲软，导致产能下降的应对计划。根据公开数据显示，三星中国半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。其中，三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外内存半导体生产基地，于2014年开始运营，并在2020年增建第二座工厂后，主要以生产128层堆叠NANDFlash闪存为主，月产能达20万片12寸晶圆，占三星NANDFlash产总量的40%以上。资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3DNAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391579.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391579.htm

三星高管透露将于2024年推出300层以上的V-NAND

三星高管透露将于2024年推出300层以上的V-NAND被反超显然是三星不能忍的。三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-baeLee)最新披露，第9代V-NAND进展顺利，将在明年初量产，基于双堆栈架构，达成业界最高堆叠层数。Jung-BaeLee指出："在即将到来的10纳米以下DRAM和1,000层垂直V-NAND时代，新的结构和材料创新至关重要。因此，我们正在为DRAM开发三维堆叠结构和新材料，同时为V-NAND增加层数、降低高度并最大限度地减少单元干扰。计划于2024年推出的第9款V-NAND将采用11纳米级的DRAM。此外，博文还重申了对CXL内存模块（CMM）的承诺，CMM将支持下一代系统的可组合基础设施，特别是采用V-NAND的大容量固态硬盘。"他没有披露具体的层数，但此前就有说法称，会提高到300层以上，能不能超过SK海力士的321层不好说，但至少在近期是新高。显然，三星给第9代闪存加码了。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391053.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391053.htm

3D NAND原厂技术比拼 哪家垂直单元效率更高？

3DNAND原厂技术比拼哪家垂直单元效率更高？传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构，包括控制栅极（ControlGate）和浮动栅极（FloatGate）。通过向单元施加电压，电子在浮动栅极中存储和移除。多年来，供应商将平面NAND的单元尺寸从120nm缩小到1xnm节点，使容量增加了100倍。然而，当单元尺寸达到了14nm的极限，这意味着该技术不再可扩展，由此NAND原厂纷纷转向3DNAND，以实现超过2DNAND结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。具体来说，平面NAND由带有存储单元的水平串组成，而在3DNAND中，存储单元串被拉伸、折叠并以“U形”结构垂直竖立。实际上，这些单元以垂直方式堆叠以缩放密度，因此，3DNAND存储单元有多个层级。3DNAND的层数描述了堆叠在一起的字线（WordLine）数量。在这些字线层上切出一个垂直柱，柱子与每条字线的交点代表一个物理单元。也就是说，每个3DNAND存储单元都类似于一个微小的圆柱形结构。每个微小单元由中间的垂直通道和结构内部的电荷层组成，通过施加电压，电子可以进出绝缘电荷存储膜，然后读取信号。平面NAND在每个节点上都减小了单元尺寸， 3DNAND则采用了更宽松的工艺，大约在30nm到50nm之间。3DNAND内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3DNAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应商平均每代3DNAND都会增加30%至50%的层数，而每一代新的芯片将会增加10%至15%的晶圆成本。这也使得NAND的每bit成本能够平均以每年约20%幅度降低。现在，超过200层的TLCNAND产品已经逐渐成为主流，比如三星236层NAND、SK海力士238层NAND、美光232层NAND、YMTC232层NAND。此外还有一些接近200层的厂商，比如铠侠（KIOXIA）和西部数据的112层/162层NAND和Solidigm的144层/192层(FG)NAND。Techinsights从SK海力士2TBSSDPC811HFS002TEM9X152N(设备：H25T3TDG8C-X682)中提取了SK海力士238L512Gb3DNAND芯片，该芯片尺寸为34.56mm2，位密度为14.81Gb/mm2。谈到3DNAND单元效率，垂直单元效率(VCE，verticalcellefficiency)对于NAND单元工艺、设计、集成和设备操作而言非常重要。随着堆叠的总栅极数量的增加，单元VC（verticalcell）孔高度也会增加。为了降低VC高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummygates）、通过栅极（passinggates）和选择栅极（selectgates）的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以用总栅极中activecell的百分比来定义，也就是用activeWL（WordLine）除以集成的总栅极数来计算。垂直单元效率越高，工艺集成度越高，纵横比越低，整体效率越高。VCE可定义为活跃单元占总栅极的比例，即ActiveWL 数量除以总集成栅极数量x100%。例如，一个NAND串由ActiveWL、通道WL（含dummyWL）和选择器（源极/漏极）组成。若其包含96个ActiveWL和总计115个栅极，则VCE为83.5%，计算方法为96/115×100%。VCE越高，对工艺集成越有利，能实现更低的纵横比和更高的生产效率。Techinsights发现，在多代3DNAND产品中，三星始终以最高的垂直单元效率领跑行业。他们最新的多层V-NAND在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。美光和YMTC也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。△3DNAND垂直单元效率趋势总结来看，三星每一代产品的VCE都是最高的，比如采用单层结构的128层是94.1%，176层COPV-NAND是92.1%，236层2ndCOPV-NAND是94.8%。YMTC的232层Xtacking3.0的VCE是91.7%，美光232层是91%。铠侠162层的VCE稍低一些，为88%。SK海力士238层共有259个门，VCE为91.9%，仍然低于三星的236L。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435216.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435216.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm