三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究

PLC闪存远非终点铠侠已投入HLC和OLC颗粒研究https://www.cnbeta.com/articles/1160067.htm铠侠最近披露表示，PLC(pentalevelcell)之后，还有存储6电位的HLC(hexalevelcell)和存储8电位的OLC(octalevelcell)。目前，铠侠已经在-196°C的液氮环境中，实现了HLC闪存1000次P/E。预计量产后，恐怕会降到100次P/E。当然，大家不用太担忧，因为HLC时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在600~1000次甚至更多，这意味要写满一次SSD，需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。（论日本的科技树）

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储 但有232层

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据，新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60％，同时在写入性能、读取延迟方面改善了20％，整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新，成本方面也进一步优化。闪存类型方面，TLC、QLC都可以。不过，西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用，会首先用在哪些产品上。事实上，长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层，还有2400MT/sI/O速度，并应用于致态TiPlus7100SSD系列，但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份，美光第一家公开了232层闪存，但受市场需求疲软影响，官方称暂时不会商用。随后，SK海力士宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层。现在看来，NAND闪存这一轮的竞争，西数、铠侠不但速度最慢，反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3DNAND计划于明年提升到430层据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427377.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427377.htm

西数与铠侠闪存业务合并 打造全球最大NAND制造商

西数与铠侠闪存业务合并打造全球最大NAND制造商不过，两家厂商在合并的道路上仍会面临许多挑战，比如全球各地监管机构的审查，以及竞争对手及相关利益者的反对。此外，根据TrendForce的数据，2023年第二季度里，铠侠占据19.6%的市场份额，而西部数据为14.7%，三星和SK海力士分别是31.1%和17.8%。因此，铠侠和西部数据合并后，市场份额达到了34.3%，超越三星成为最大的NAND闪存供应商。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390093.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390093.htm

铠侠提升 NAND 闪存产能利用率 群联 CEO 潘建成乐见原厂增产

铠侠提升NAND闪存产能利用率群联CEO潘建成乐见原厂增产此前报道，铠侠表示将重新审视NAND闪存减产策略，本月内将开工率提升至90%。群联执行长潘建成表示群联目前仍处于缺货状态，如果NAND闪存原厂可以合理价格提供稳定供货，对群联算是好事。威刚董事长陈立白则分析称，铠侠目前还可能处于亏损状态，因此有必要拉升产能利用率。不过即使本月就调升了产能，NAND出货量的提升还将等到6月份，届时闪存出货价格已升至盈利线上。(科创板日报)