3D NAND原厂技术比拼 哪家垂直单元效率更高？

3DNAND原厂技术比拼哪家垂直单元效率更高？传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构，包括控制栅极（ControlGate）和浮动栅极（FloatGate）。通过向单元施加电压，电子在浮动栅极中存储和移除。多年来，供应商将平面NAND的单元尺寸从120nm缩小到1xnm节点，使容量增加了100倍。然而，当单元尺寸达到了14nm的极限，这意味着该技术不再可扩展，由此NAND原厂纷纷转向3DNAND，以实现超过2DNAND结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。具体来说，平面NAND由带有存储单元的水平串组成，而在3DNAND中，存储单元串被拉伸、折叠并以“U形”结构垂直竖立。实际上，这些单元以垂直方式堆叠以缩放密度，因此，3DNAND存储单元有多个层级。3DNAND的层数描述了堆叠在一起的字线（WordLine）数量。在这些字线层上切出一个垂直柱，柱子与每条字线的交点代表一个物理单元。也就是说，每个3DNAND存储单元都类似于一个微小的圆柱形结构。每个微小单元由中间的垂直通道和结构内部的电荷层组成，通过施加电压，电子可以进出绝缘电荷存储膜，然后读取信号。平面NAND在每个节点上都减小了单元尺寸， 3DNAND则采用了更宽松的工艺，大约在30nm到50nm之间。3DNAND内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3DNAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应商平均每代3DNAND都会增加30%至50%的层数，而每一代新的芯片将会增加10%至15%的晶圆成本。这也使得NAND的每bit成本能够平均以每年约20%幅度降低。现在，超过200层的TLCNAND产品已经逐渐成为主流，比如三星236层NAND、SK海力士238层NAND、美光232层NAND、YMTC232层NAND。此外还有一些接近200层的厂商，比如铠侠（KIOXIA）和西部数据的112层/162层NAND和Solidigm的144层/192层(FG)NAND。Techinsights从SK海力士2TBSSDPC811HFS002TEM9X152N(设备：H25T3TDG8C-X682)中提取了SK海力士238L512Gb3DNAND芯片，该芯片尺寸为34.56mm2，位密度为14.81Gb/mm2。谈到3DNAND单元效率，垂直单元效率(VCE，verticalcellefficiency)对于NAND单元工艺、设计、集成和设备操作而言非常重要。随着堆叠的总栅极数量的增加，单元VC（verticalcell）孔高度也会增加。为了降低VC高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummygates）、通过栅极（passinggates）和选择栅极（selectgates）的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以用总栅极中activecell的百分比来定义，也就是用activeWL（WordLine）除以集成的总栅极数来计算。垂直单元效率越高，工艺集成度越高，纵横比越低，整体效率越高。VCE可定义为活跃单元占总栅极的比例，即ActiveWL 数量除以总集成栅极数量x100%。例如，一个NAND串由ActiveWL、通道WL（含dummyWL）和选择器（源极/漏极）组成。若其包含96个ActiveWL和总计115个栅极，则VCE为83.5%，计算方法为96/115×100%。VCE越高，对工艺集成越有利，能实现更低的纵横比和更高的生产效率。Techinsights发现，在多代3DNAND产品中，三星始终以最高的垂直单元效率领跑行业。他们最新的多层V-NAND在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。美光和YMTC也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。△3DNAND垂直单元效率趋势总结来看，三星每一代产品的VCE都是最高的，比如采用单层结构的128层是94.1%，176层COPV-NAND是92.1%，236层2ndCOPV-NAND是94.8%。YMTC的232层Xtacking3.0的VCE是91.7%，美光232层是91%。铠侠162层的VCE稍低一些，为88%。SK海力士238层共有259个门，VCE为91.9%，仍然低于三星的236L。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435216.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435216.htm

长江存储再次实现突破 全球最先进的3D NAND存储芯片被发现

长江存储再次实现突破全球最先进的3DNAND存储芯片被发现本次的发现，超越了同样在开发232层QLC3DNAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。长江存储232LQLC芯片致态Ti6001TB固态硬盘TechInsights表示，尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单，但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供了机遇，使其具有领先的更高比特密度的3DXtackingNAND。值得注意的是，三星目前的战略是专注于V93DNAND的TLC和QLC，因此没有在236层(V8)3DNAND上开发QLC。但是，三星在上周举行的“内存技术日”上，首次公开了面向移动市场的QLC产品——采用176层(V7)技术的512GBUFS3.1产品。SK海力士的主要业务是TLC，而不是QLC产品。越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。此前，TechInsights是首批拆解华为Mate60Pro的机构，在拆解完之后，TechInsights副主席DanHutcheson给出了如下评价：“这确实是一个令人惊叹的质量水平，是我们始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我们要祝贺中国，能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。”...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392211.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1392211.htm

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3DNAND计划于明年提升到430层据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427377.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427377.htm

长江存储实现了232层3D NAND的量产 击败了前四大闪存供应商

长江存储实现了232层3DNAND的量产击败了前四大闪存供应商这家中国内存和NAND闪存巨头早在2022年8月就宣布了这种内存型号：YMTCX3-9070，以及其新的Xtacking3.0架构--一种该公司能够可靠地堆叠大量NAND闪存层的专有方法。与此同时，美光科技已经准备好自己的232层3DNAND闪存，但还没有进入生产阶段。考虑到长江存储在2016年才涉足这一业务，与其他参与者相比，这是一个令人难以置信的壮举，其它闪存供应商各自都有超过20年的市场存在。长江存储向232层的攀升紧随其2020年出人意料的128层3DNAND生产的壮举，其开创性足以赢得苹果公司的供应合同，然后在2022年10月由于非技术原因失去了合同。Xtacking3.0架构涉及存储单元晶圆的背面源连接（BSSC），与Xtacking2.0（最多128层）相比，它带来了更简单的工艺和更低的成本，它引入了硅化镍（NiSi），而不是硅化钨（WSi），以提高CMOS晶圆的器件性能和I/O速度。长江存储最初的Xtacking架构早在2016年首次亮相，层数达64层，依靠的是具有成本效益的晶圆对晶圆粘接。长江存储的232层3DNAND闪存可以再消费电子行业找到大量的客户，包括智能手机、消费存储设备、电视和其他电器，较高的层数对存储容量密度有直接影响，这可以帮助设计者通过使用更少的芯片降低成本，或增加容量。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1334071.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1334071.htm

三星3D NAND涨价10% 传与长江存储被列UVL清单有关

三星3DNAND涨价10%传与长江存储被列UVL清单有关据报道，在被列入UVL数月后，美国政界人士公开宣称长江存储对美国国家安全构成威胁。导致苹果公司虽然认证了长江存储的产品，但未从长江存储采购3DNAND产品。随后，市场出现连锁反应，国内许多PC厂商出于规避地缘政治风险的考虑也暂停了与长江存储的合作，转而向其他存储厂商购买。三星借机做出提高3DNANDFlash价格的决定。TrendForce第三季度数据显示，由于消费电子产品及服务器的出货量低于预期，导致NAND闪存的出货量与平均价格双双下滑，NAND闪存的销售额也降至137.1亿美元，环比下滑24.3%。三星、美光和SK海力士都在减少产量。三星此次调涨3DNAND对整个市场的影响尚不明朗。不过，TrendForce此前认为，由于终端设备商仍有大量3DNAND库存。因此，三星等NAND厂的减产动作的影响将不会在第四季度呈现。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1335901.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1335901.htm

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”