铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3DNAND闪存至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426484.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426484.htm

长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？

长存/三星/SK海力士/美光最新3DNAND芯片对比：谁的密度更高？三星一直凭借其超高纵横比(UHAR)孔蚀刻实现的单层工艺主导了128层3DNAND。目前，三星仍然以最小的字线(WL)间距领先，这允许堆叠更多层，同时最大限度地减少对垂直通道(VC)高度和狭缝深度的工艺要求的影响。虽然看起来三星可能拥有最低的128层工艺成本，但它的裸片尺寸并不是最低的。这很重要，因为裸片面积越小，在300mm晶圆上可以制造的NANDFlash裸片数量就越多，利润也就越高。三星已开始在176层3DNAND（三星的第7代3DNAND）采用外围单元(COP)方法，这导致芯片尺寸相比上一代的73.60mm2显着减小至47.10mm2，存储密度也由6.96Gb/mm2提升至10.87Gb/mm2；美光从32层3DNAND（美光的第一代3DNAND）开始使用类似的方法，美光称之为CMOSunderarray，CuA，其上一代的176层芯片的尺寸为49.84mm2，存储密度为10.27Gb/mm2，而其最新量产的232层芯片存储密度则为14.60Gb/mm2；SK海力士则是从96层3DNAND（SK海力士的第四代3DNAND）开始使用类似的方法，SK海力士将其称为4DNAND，单元下外围或PUC），其176层芯片的尺寸为46.50mm2，存储密度为11.01Gb/mm2；长存在64层3DNAND（长存第二代3DNAND）应用自研的Xtacking技术，通过在外围电路上放置存储器阵列，实现了缩小芯片尺寸的优势，减小的裸片尺寸以及增加的有源字线(AWL)提高了位密度。长江存储最新的Xtacking3.0技术使得其232层3DNAND的存储密度得到了进一步提升，达到了15.03Gb/mm2，是目前最高的。根据长存YMTC232-L六平面1TbTLC芯片拆解来看，其具有CenterX解码器，具有15.03Gb/mm2的最高密度。下图1显示了该芯片的位密度(Gb/mm2)与AWL数量的关系。△图1：YMTC232-L1Tb芯片内部图像TechInsights预计，即将推出的232/238层芯片的平均存储密度将达到大约15Gb/mm2。在ISSCC2022上，三星的200＋层测片（配备四平面1TbTLC芯片和边缘X解码器）的位密度为11.55Gb/mm2。当量产时，TechInsights预计其位密度将增加到14.5Gb/mm2。此外，带有CenterX解码器的SK海力士238层六平面1TbTLC芯片的存储密度估计为14.75Gb/mm2，比上一代将增加34%。美光已量产的232层六平面1TbTLC裸片据称为其存储密度为14.60Gb/mm2。显然，在232/238层级别，长存显示出最高的存储密度，预计三星的存储密度最低。但这并不意味着三星已经落后，因为还需要考虑的更重要的因素——总体成本，因此每bit成本的指标是最理想的比较数据。TechInsights表示，目前正通过其最近收购的ICKnowledge在努力计算每位成本，很快将会提供这些信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339507.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339507.htm

2021年全球SSD出货量达到了1.27亿 金士顿和威刚位居前二

2021年全球SSD出货量达到了1.27亿金士顿和威刚位居前二尽管受到了主控芯片和PMIC组件的交货时间延长至32周的影响，但根据TrendForce的最新统计数据，2021年通过全球分销渠道的SSD出货量达到了1.27亿，同比增长11%。这些出货的SSD里面，42%的3DNAND芯片来自于三星、SK海力士、美光、铠侠（Kioxia）和西部数据，剩下的58%包括了仅购买组件进行组装的SSD厂商。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1327485.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1327485.htm

3D NAND原厂技术比拼 哪家垂直单元效率更高？

3DNAND原厂技术比拼哪家垂直单元效率更高？传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构，包括控制栅极（ControlGate）和浮动栅极（FloatGate）。通过向单元施加电压，电子在浮动栅极中存储和移除。多年来，供应商将平面NAND的单元尺寸从120nm缩小到1xnm节点，使容量增加了100倍。然而，当单元尺寸达到了14nm的极限，这意味着该技术不再可扩展，由此NAND原厂纷纷转向3DNAND，以实现超过2DNAND结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。具体来说，平面NAND由带有存储单元的水平串组成，而在3DNAND中，存储单元串被拉伸、折叠并以“U形”结构垂直竖立。实际上，这些单元以垂直方式堆叠以缩放密度，因此，3DNAND存储单元有多个层级。3DNAND的层数描述了堆叠在一起的字线（WordLine）数量。在这些字线层上切出一个垂直柱，柱子与每条字线的交点代表一个物理单元。也就是说，每个3DNAND存储单元都类似于一个微小的圆柱形结构。每个微小单元由中间的垂直通道和结构内部的电荷层组成，通过施加电压，电子可以进出绝缘电荷存储膜，然后读取信号。平面NAND在每个节点上都减小了单元尺寸， 3DNAND则采用了更宽松的工艺，大约在30nm到50nm之间。3DNAND内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3DNAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应商平均每代3DNAND都会增加30%至50%的层数，而每一代新的芯片将会增加10%至15%的晶圆成本。这也使得NAND的每bit成本能够平均以每年约20%幅度降低。现在，超过200层的TLCNAND产品已经逐渐成为主流，比如三星236层NAND、SK海力士238层NAND、美光232层NAND、YMTC232层NAND。此外还有一些接近200层的厂商，比如铠侠（KIOXIA）和西部数据的112层/162层NAND和Solidigm的144层/192层(FG)NAND。Techinsights从SK海力士2TBSSDPC811HFS002TEM9X152N(设备：H25T3TDG8C-X682)中提取了SK海力士238L512Gb3DNAND芯片，该芯片尺寸为34.56mm2，位密度为14.81Gb/mm2。谈到3DNAND单元效率，垂直单元效率(VCE，verticalcellefficiency)对于NAND单元工艺、设计、集成和设备操作而言非常重要。随着堆叠的总栅极数量的增加，单元VC（verticalcell）孔高度也会增加。为了降低VC高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummygates）、通过栅极（passinggates）和选择栅极（selectgates）的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以用总栅极中activecell的百分比来定义，也就是用activeWL（WordLine）除以集成的总栅极数来计算。垂直单元效率越高，工艺集成度越高，纵横比越低，整体效率越高。VCE可定义为活跃单元占总栅极的比例，即ActiveWL 数量除以总集成栅极数量x100%。例如，一个NAND串由ActiveWL、通道WL（含dummyWL）和选择器（源极/漏极）组成。若其包含96个ActiveWL和总计115个栅极，则VCE为83.5%，计算方法为96/115×100%。VCE越高，对工艺集成越有利，能实现更低的纵横比和更高的生产效率。Techinsights发现，在多代3DNAND产品中，三星始终以最高的垂直单元效率领跑行业。他们最新的多层V-NAND在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。美光和YMTC也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。△3DNAND垂直单元效率趋势总结来看，三星每一代产品的VCE都是最高的，比如采用单层结构的128层是94.1%，176层COPV-NAND是92.1%，236层2ndCOPV-NAND是94.8%。YMTC的232层Xtacking3.0的VCE是91.7%，美光232层是91%。铠侠162层的VCE稍低一些，为88%。SK海力士238层共有259个门，VCE为91.9%，仍然低于三星的236L。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435216.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435216.htm

铠侠在英特尔创新大会上强调PCIe 5.0 SSD的高端特性

铠侠在英特尔创新大会上强调PCIe5.0SSD的高端特性在本周的英特尔创新活动期间，铠侠（Kioxia）美国公司展示了CM7系列PCIe5.0NVMeSSD，可知其致力于为企业和数据中心工作负载带来新一代性能水平体验。CM7系列可选E3.S（EDSFF）和2.5英寸外形，在PCIe5.0的加持下，其理论性能较上一代PCIe4.0产品线轻松翻番，辅以扩展的外形尺寸选项、更大的容量、以及其它高级特性。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1321695.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1321695.htm

SK海力士确认反对西数与铠侠合并

SK海力士确认反对西数与铠侠合并但SK海力士首席财务官KimWoohyun周四在发布财报后的电话会议上对分析师表示，这笔交易低估了其在铠侠的股份的价值，鉴于对公司在铠侠投资的整体价值的影响，SK海力士“目前不同意这笔交易”。西部数据和铠侠多年来一直在讨论可能的合并，但讨论一直围绕着控制权、领导力、经济和政治等问题。从理论上讲，合并两家公司将有助于两家公司与内存芯片行业最大的公司竞争。这两家公司目前正寻求在本月结束谈判，并希望在西部数据10月30日公布财报之前宣布交易。铠侠已与日本投资公司（JapanInvestmentCorp．）接洽，希望注资以加快交易进程。当贝恩资本（Baincapital）牵头的一个财团从东芝公司手中收购铠侠的控股权时，SK海力士成为了铠侠的间接股东。目前尚不清楚SK海力士的反对将如何影响收购结果。据知情人士称，贝恩资本和铠侠正在制定一项解决方案，尽管遭到SK海力士的反对，但交易仍可能宣布。虽然多位人士表示，SK海力士对这笔交易没有否决权，但也有人表示，SK海力士作为主要投资者，必须征得其同意。相关文章:SKHynix可能会对Kioxia与西部数据合并案施压...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392387.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1392387.htm