机构：HBM3e 产出放量带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

机构：HBM3e产出放量带动，2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%据TrendForce集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alphanm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%HBM的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约50-60%的有限产量和比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的TSV容量，预计到今年年底，HBM将占先进工艺晶圆投入的35%，其余晶圆容量将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SKhynix和美光仍是主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向英伟达出货。采用1Alphanm工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了HBM需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达1.75TB的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石Rapids和AMDGenoa等需要DDR5内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5的渗透率将超过50%。同时，由于HBM3e的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求预计也将增加。不过，由于2023年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于HBM生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对HBM生产的更多关注可能会导致DRAM供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到2024年底，现有设施将全部使用完毕。新的P4L工厂计划于2025年完工，而15号生产线工厂将从1Y纳米工艺过渡到1beta纳米及以上工艺。SKhynix的M16工厂的产能预计将在明年扩大，而M15X工厂也计划于2025年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于2025年竣工，随后进行设备安装，并计划于2026年量产。TrendForce指出，虽然新工厂计划于2025年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于2024年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于2025年量产的GB200将采用HBM3e192/384GB，有可能使HBM产量翻番。随着HBM4的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM的优先发展可能会导致DRAM因产能限制而供应不足。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431653.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431653.htm

机构：2024 全年 HBM 供给位元年增预估高达 260%，产能将占 DRAM 产业 14%

机构：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%据TrendForce集邦咨询预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

机构：2024 全年 HBM 供给位元年增预估高达 260% 产能将占 DRAM 产业 14%

机构：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%产能将占DRAM产业14%由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提

存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10~20%涨幅，但若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。(台湾电子时报)

据集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1a

据集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alphanm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。（界面）