机构:HBM3e 产出放量带动,2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

机构:HBM3e产出放量带动,2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%据TrendForce集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alphanm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

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TrendForce:HBM3e 带动,2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

TrendForce:HBM3e带动,2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%https://www.ithome.com/0/769/351.htm目前三大原厂的新厂规划如下:三星现有厂房2024年底产能大致满载,新厂房P4L规划于2025年完工,同时Line15厂区将进行制程转换,由1Ynm转换至1betanm以上。SK海力士明年预计扩大M16产能,M15X同样也规划于2025年完工,并于明年底量产。美光中国台湾厂区将于明年恢复至满载,后续产能扩张将以美国厂为主,Boise厂区预计于2025年完工并陆续移机,计划2026年量产。

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据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1a

据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alphanm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。(界面)

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HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%HBM的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而,约50-60%的有限产量和比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的TSV容量,预计到今年年底,HBM将占先进工艺晶圆投入的35%,其余晶圆容量将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。关于HBM的最新发展,TrendForce指出,HBM3e将成为今年的市场主流,出货量将集中在下半年。目前,SKhynix和美光仍是主要供应商,两者都采用1beta纳米工艺,并已向英伟达出货。采用1Alphanm工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证,并于今年年中开始供货。除了HBM需求的比例不断增加外,个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中,服务器的产能增幅最大,主要是由单位容量达1.75TB的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石Rapids和AMDGenoa等需要DDR5内存的新平台的量产,预计到今年年底,DDR5的渗透率将超过50%。同时,由于HBM3e的出货量预计将集中在下半年,而下半年又是内存需求的旺季,因此市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求预计也将增加。不过,由于2023年出现财务亏损,制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言,由于HBM生产的晶圆投入比例较高,先进工艺的产出将受到限制。因此,下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能,对HBM生产的更多关注可能会导致DRAM供应短缺。目前,新工厂计划如下:三星预计到2024年底,现有设施将全部使用完毕。新的P4L工厂计划于2025年完工,而15号生产线工厂将从1Y纳米工艺过渡到1beta纳米及以上工艺。SKhynix的M16工厂的产能预计将在明年扩大,而M15X工厂也计划于2025年竣工,并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产,未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于2025年竣工,随后进行设备安装,并计划于2026年量产。TrendForce指出,虽然新工厂计划于2025年竣工,但量产的确切时间表仍不确定,取决于2024年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法,加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外,英伟达(NVIDIA)将于2025年量产的GB200将采用HBM3e192/384GB,有可能使HBM产量翻番。随着HBM4的开发在即,如果不在扩大产能方面进行大量投资,HBM的优先发展可能会导致DRAM因产能限制而供应不足。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431653.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431653.htm

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全球晶圆产能排名:先进制程三星第一 成熟制程台积电第一

全球晶圆产能排名:先进制程三星第一成熟制程台积电第一根据KnometaResearch对于制程的划分标准:先进制程:3~6nm晶圆代工制程、Intel4~Intel7MPU、11~14nmDRAM、≥176L3DNAND次先进制程:7~16nm晶圆代工制程、Intel10~Intel14MPU、15-20nmDRAM、64-144L3DNAND成熟制程:20nm-0.11μm逻辑制程,>20nmDRAM大线宽制程:≥0.13μm具体来说,在所有包括存储、逻辑及模拟在内的全球芯片产能当中,截至2022年底,三星、SK海力士,美光等三大存储芯片制造商合计拥有全球先进制程产能的76%,其中绝大部分用于先进的DRAM和3DNANDFlash的生产。其中,三星占据了32%的份额,美光占据了25%的份额,SK海力士占据了19%的份额,此外另一大存储芯片制造商铠侠则占据了5%的份额。台积电作为全球最大的晶圆代工厂,拥有最多的逻辑前沿制程产能,但是在包括存储在内的整体前沿制程产能当中的占比仅为9%。在次先进制程产能当中,三星、铠侠、SK海力士这三家存储芯片制造商也同样取得了高达61%的份额。其中三星以31%的份额位居第一,排名第二的铠侠份额为16%,SK海力士则以14%的份额排名第四。台积电则凭借其庞大的7~16nm晶圆代工制程,也取得了16%的份额。英特尔也得益于其目前最大的Intel10~Intel14产能拿到了9%的份额。在成熟制程产能当中,台积电则以20%的份额位居第一,排名第二的三星份额为9%,成熟制程大厂联电份额也为9%。中芯国际凭借近几年的持续大规模扩产成熟制程产能,份额也达到了8%。排名第五的则是图像传感器大厂索尼,份额为7%。在大线宽制程产能当中,模拟芯片大厂德州仪器(TI)以11%的份额位居第一,排名第二的台积电份额为10%,联电份额为7%,意法半导体份额为5%,中芯国际也拿到了5%的份额。KnometaResearch表示,三星因为是业界最大的DRAM和NANDFlash芯片制造商,全球第二大先进逻辑制程芯片的制造商之一,因此是业界先进和次先进制程产能的最大拥有者。台积电是业界顶级的纯晶圆代工,在所有四个工艺产能的排名中均位于前五。目前,台积电拥有39条晶圆厂生产线,提供多样化的工艺技术组合,迎合各种各样的客户。联电和中芯国际等其他纯晶代工厂在成熟的技术领域发挥着重要作用。作为业界领先的模拟和以模拟为中心的混合信号芯片供应商,德州仪器是大线宽制程产能的最大拥有者。意法半导体则是业界最大的模拟和微控制器产品供应商之一,这些产品通常也采用成熟和大线宽工艺制造。不过,KnometaResearch并未在已公开的报告中公布截至2022年底各大晶圆厂商总产能的排名。但是根据KnometaResearch去年公布的截至2021年底的数据来看,三星当时的月产能为405万片约当200mm晶圆每月,在全球总产能当中的份额为19%,位居第一。台积电则以280.3万片当200mm晶圆每月的产能,占据了全球总产能13%的份额。紧随其后的则是美光(205.4万片,10%)、SK海力士(198.2万片,9%)、铠侠(132.8万片,6%)。由于在2022年,台积电位于中国台湾的Fab18的四期五期工程以及南京厂的二期工程的投产,预计将推动台积电整体产能的进一步提升。相比之下,由于存储市场需求下滑,铠侠和美光这两大存储厂在2022年四季度都相继宣布了减产30%和20%,预计截至2022年底,这两大存储厂商的产能将相比2021年底可能略低。三星和SK海力士在2022年底前均未宣布减产,预计产能相比2021年底要更高一些。另外,根据中芯国际财报显示,截至2022年底,其月产能为71.4万片约当200mm晶圆。显然,中芯国际目前的产能与前五大晶圆厂相比仍有较大差距。如果排除存储厂商,仅从晶圆代工厂来看,以营收数据来衡量,根据芯思想依据各家财报数据统计显示,2022年,台积电位居第一,市场份额高达63.14%;联电位居第二,市场份额为7.77%;格芯排名第三,市场份额为6.66%;中芯国际则是排名第四,市场份额为6.01%,相比上一年略有下滑。另外值得一提的是,KnometaResearch不久前公布的另一份报告显示,截至2022年底,美国企业月产能为460万片200毫米当量晶圆,其中200万片在美国国内晶圆厂生产,260万片在海外生产。也就是说,美国芯片制造商有56%的晶圆产能建在美国以外。其中,美国公司最大的离岸产能分布在新加坡(占总量的22%)、中国台湾(12%)、日本(10%)、德国(4%)、爱尔兰(3%)和以色列(2%)。存储芯片制造商美光是美国迄今为止最大的离岸产能所有者。该公司在美国境外经营着12家晶圆厂,占美国海外生产的260万片晶圆总量的65%。格芯(GlobalFoundries )以14%的份额位居第二,紧随其后的是英特尔占9%,德州仪器占5%。不过,美国政府已经于2022年7月通过了配套有520多亿美元的《芯片与科学法案》,此举已经推动了台积电、三星、英特尔、美光、格芯等晶圆制程厂商加大了对于美国的投资。预计未来,随着新建晶圆厂的启用,美国本土的晶圆制造产能将获得大幅提升。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1347849.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1347849.htm

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台积电拟针对先进制程和先进封装涨价

台积电拟针对先进制程和先进封装涨价台积电3纳米供不应求,苹果、英伟达等七大客户产能全包,预期订单满至2026年。据悉,3纳米代工价涨幅或在5%以上,先进封装明年年度报价也约有10%-20%涨幅。据供应链消息,除3纳米代工价格看涨,先进封装产能也同步看涨。台积电竹南先进封装厂(AP6)启用至今一年,随着AP6C机台陆续到位,已成为全台湾最大CoWoS基地,第三季度CoWoS月产能有望从1.7万片增至3.3万片,实现倍数增长。——

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台积电先进制程订单饱满 OPPO、特斯拉等均下单

台积电先进制程订单饱满OPPO、特斯拉等均下单车用领域,台积电与福斯、通用、丰田合作。另外,亚马逊、百度、阿里巴巴等早在台积电投片,继小米、vivo后,OPPO也走上自研芯片之路,传OPPO已在台积电投片,已签定4nm合作。对手不够猛,技术、良率不如预期在竞争对手技术、良率不如预期下,台积电持续取得手机、HPC等大客户以外订单。当前,三星电子与英特尔苦陷先进制程投资黑洞,巨额成本恐难以回收。展望2023年上半,台积电或将无法避免进入产业高库存、低需求暴风圈。市场预期,台积电营收成长动能将明显减弱,但到下半年,随着库存去化告一段落及需求回升,众厂新品将面市带动下,营运将明显弹升。而对于三星和英特尔,2023年上半低迷市况,两大厂面临巨额投资却未见客户下单困境,接下来扩产计划恐将令处境更为艰难。三星已确定失去英伟达GPU大单,高通也大降投片比重,两大客户估计占三星晶圆代工业务约40%,叠加自家3nmGAA制程屈指可数的客户难支撑先进制程投资。另一个正面临PC、服务器市占流失,以及设计、代工拆分两难的英特尔,回归市场竞争,不具技术与成本优势,难以获取同是竞争对手的AMD、英伟达与高通等订单。7nm以下先进制程投片价格昂贵,有实力下单的芯片大厂已随着制程推进大大减少;3nm制程客户群以手机、HPC厂商为主,下单客户更是屈指可数。当前包括苹果、联发科、高通、AMD、英伟达、英特尔与博通等都在台积电下单。自研芯片潮带来商机近年在苹果自研芯片研发扩大至Mac家族、5G调制解调器、RF等领域,叠加全球“缺芯”后,吹起了一股自研芯片潮——品牌汽车、手机与网络云端大厂陆续投入自研芯片行列。设备厂商表示,在车用领域方面,“缺芯”潮改变传统供应链模式,国际车厂开始直接对口晶圆代工厂,台积电最新正与福斯、通用、丰田合作。另外,因三星5/3nm制程技术难以满足特斯拉要求,台积电4nm制程传出也接获特斯拉下世代自驾芯片订单。在手机领域,继小米、vivo后,OPPO也走上自研芯片之路。近日盛传OPPO已在台积电投片,已签定4nm合作,事实上早在1年多前即已传出。中国大陆的手机品牌正进入5nm时代,以维持竞争力。三星5nm以下良率欠佳下,只能下单台积电。随着苹果所带动的自研芯片风潮席卷,设备应用更为多元的形势,且无同级对手比拼下,台积电成为投片首选,竞争优势持续扩大。台积电7nm以下先进制程长期接单表现稳健,此外,台积电代工报价不断扬升,营收、获利在度过2023年上半产业修正风暴后,运营将恢复成长轨道。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1337465.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1337465.htm

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