SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK海力士希望与铠侠合作在日本生产AI用HBM韩国SK海力士已与铠侠(Kioxia)提案，希望在日本生产下一代HBM内存，因为生成式AI的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买HBM内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据(WD)合资的工厂进行。铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。SK海力士有全球顶尖HBM市占率，若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产HBM的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产NANDFlsah，而之后若能生产最先进DRAM的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。铠侠和西部数据均生产NANDFlash产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。——

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

报道称特斯拉上海工厂扩建后将开始生产2.5万美元级电动汽车

报道称特斯拉上海工厂扩建后将开始生产2.5万美元级电动汽车上海Gigafactory是特斯拉产量最大的制造工厂，因为它得益于中国制造业对制造和工厂运营的适宜性，可以生产数十万辆汽车，在全球最热门的电动汽车市场上竞争。今天的报道来自中国当地媒体，它分享了特斯拉上海工厂的所谓细节。特斯拉最初计划在2021年扩建工厂，但后来为扩建计划重新分配了团队。现在，行业"内部人士"报告说，特斯拉不仅重新考虑了扩建计划，而且还可能把重点放在下一代电动汽车上。这些细节显示，上海扩建的第三阶段可能是生产价格更低的新特斯拉，而很多媒体报道都没有提到这一点。特斯拉及其掌门人埃隆-马斯克（ElonMusk）已制定了制造低于2.5万美元电动汽车的长期目标，而根据报道，由于特斯拉在中国和美国面临销售困境，该公司的兴趣再次被激发。今天的报道特别有趣，因为在此之前，马斯克在一次采访中对廉价特斯拉发表了新的评论。在接受桑迪-芒罗（SandyMunro）采访时，马斯克概述了他对低成本、高产量汽车生产计划的审查情况：很明显，我们正在研发一种低成本、大批量生产的电动汽车。我们在这项工作上已经取得了相当大的进展。相当先进。我每周都会查看生产线计划。我认为，这辆车所代表的制造业革命将让人们大吃一惊。它不同于任何人见过的任何汽车生产线。最有趣的是，这是一个生产系统。它的生产技术水平远远领先于地球上的任何汽车工厂。我需要指出的是，我们将在德克萨斯州的Gigafactory工厂首先启动生产。当被问及在墨西哥生产这款车的传言时，马斯克回答说，墨西哥将"是第二个地方"，因为"在墨西哥建成工厂需要太长时间"。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1402581.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1402581.htm

SK海力士中国公司经营异常

SK海力士中国公司经营异常天眼查经营风险信息显示，近日，SK海力士半导体(中国)有限公司因未依照规定的期限公示年度报告，被无锡国家高新技术产业开发区(无锡市新吴区)市场监督管理局列入经营异常名录。该公司成立于2005年4月，法定代表人为郭鲁正(KWAKNOHJUNG)，注册资本约51.96亿美元，经营范围为生产、加工、销售8英寸和12英寸集成电路芯片，自有房屋租赁，物业管理，半导体设备的销售、租赁，由SK海力士株式会社全资持股。——

SK海力士正在测试低温蚀刻设备 可在-70℃低温下生产闪存

SK海力士正在测试低温蚀刻设备可在-70℃低温下生产闪存与传统的蚀刻工艺相比，东京电子的这款低温蚀刻设备在工作温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行，而这款新设备能在-70℃的低温下运行，这样的低温环境为生产更高性能的3DNAND提供了可能。据东京电子提供的论文数据，这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完成10微米深的高深度比蚀刻，效率比现有工具高出三倍以上。这一显著的技术进步不仅提高了3DNAND的生产效率，还有望进一步推动闪存技术的发展。目前，SK海力士的321层3DNAND采用了三重堆栈结构。而采用东京电子的新设备后，该公司可能实现以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3DNAND，这将进一步提升生产效率。然而，这一目标的实现还需等待新设备在可靠性及性能一致性方面的进一步验证。值得一提的是，东京电子的这款低温蚀刻设备在环保方面也表现出色。它采用氟化氢（HF）气体作为蚀刻介质，相较于传统系统使用的氟碳化物气体，具有更低的温室效应，为半导体行业的绿色发展提供了有力支持。此外，全球半导体巨头三星也在验证这一新技术。与SK海力士不同，三星选择了直接引进东京电子的新设备进行测试，显示出其对新技术的高度关注和积极态度。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429938.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429938.htm