长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？

长存/三星/SK海力士/美光最新3DNAND芯片对比：谁的密度更高？三星一直凭借其超高纵横比(UHAR)孔蚀刻实现的单层工艺主导了128层3DNAND。目前，三星仍然以最小的字线(WL)间距领先，这允许堆叠更多层，同时最大限度地减少对垂直通道(VC)高度和狭缝深度的工艺要求的影响。虽然看起来三星可能拥有最低的128层工艺成本，但它的裸片尺寸并不是最低的。这很重要，因为裸片面积越小，在300mm晶圆上可以制造的NANDFlash裸片数量就越多，利润也就越高。三星已开始在176层3DNAND（三星的第7代3DNAND）采用外围单元(COP)方法，这导致芯片尺寸相比上一代的73.60mm2显着减小至47.10mm2，存储密度也由6.96Gb/mm2提升至10.87Gb/mm2；美光从32层3DNAND（美光的第一代3DNAND）开始使用类似的方法，美光称之为CMOSunderarray，CuA，其上一代的176层芯片的尺寸为49.84mm2，存储密度为10.27Gb/mm2，而其最新量产的232层芯片存储密度则为14.60Gb/mm2；SK海力士则是从96层3DNAND（SK海力士的第四代3DNAND）开始使用类似的方法，SK海力士将其称为4DNAND，单元下外围或PUC），其176层芯片的尺寸为46.50mm2，存储密度为11.01Gb/mm2；长存在64层3DNAND（长存第二代3DNAND）应用自研的Xtacking技术，通过在外围电路上放置存储器阵列，实现了缩小芯片尺寸的优势，减小的裸片尺寸以及增加的有源字线(AWL)提高了位密度。长江存储最新的Xtacking3.0技术使得其232层3DNAND的存储密度得到了进一步提升，达到了15.03Gb/mm2，是目前最高的。根据长存YMTC232-L六平面1TbTLC芯片拆解来看，其具有CenterX解码器，具有15.03Gb/mm2的最高密度。下图1显示了该芯片的位密度(Gb/mm2)与AWL数量的关系。△图1：YMTC232-L1Tb芯片内部图像TechInsights预计，即将推出的232/238层芯片的平均存储密度将达到大约15Gb/mm2。在ISSCC2022上，三星的200＋层测片（配备四平面1TbTLC芯片和边缘X解码器）的位密度为11.55Gb/mm2。当量产时，TechInsights预计其位密度将增加到14.5Gb/mm2。此外，带有CenterX解码器的SK海力士238层六平面1TbTLC芯片的存储密度估计为14.75Gb/mm2，比上一代将增加34%。美光已量产的232层六平面1TbTLC裸片据称为其存储密度为14.60Gb/mm2。显然，在232/238层级别，长存显示出最高的存储密度，预计三星的存储密度最低。但这并不意味着三星已经落后，因为还需要考虑的更重要的因素——总体成本，因此每bit成本的指标是最理想的比较数据。TechInsights表示，目前正通过其最近收购的ICKnowledge在努力计算每位成本，很快将会提供这些信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339507.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339507.htm

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

Kioxia向SK海力士提出合作方案 共同推进在日芯片制造业务

Kioxia向SK海力士提出合作方案共同推进在日芯片制造业务Kioxia似乎急于恢复与西部数据的谈判，但需要SKHynix点头同意-据Jiji的消息人士透露，这家总部位于东京的制造商准备向其韩国竞争对手提供一份不错的非易失性存储器生产协议。Kioxia在日本最好的3DNAND生产设施可以为SKHynix的设计提供支持，但现在就断定这一出价是否被接受还为时尚早。四日市工厂和北上工厂将获得1500亿日元的政府补贴--Kioxia和西部数据的合资企业有望进军尖端半导体生产领域，这也不难看出日本政府希望在行业动荡时期确保其本土业务的持续。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1418991.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1418991.htm

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。来源：

三星、SK 海力士调高 2024 年半导体设备投资额及半导体出货量目标

三星、SK海力士调高2024年半导体设备投资额及半导体出货量目标三星和SK海力士正在计划增加明年半导体设备投资，其中三星电子计划投资约27万亿韩元，SK海力士计划投资约5.3万亿韩元；与今年相比，投资额分别增长25%和100%。同时，两家公司也调高了明年的出货量，三星计划将DRAM和NAND产量分别扩大约24%，SK海力士计划将DRAM产量提高到去年年底前的水平。(科创板日报)

韩国：三星、SK 海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备

韩国：三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备据韩联社，韩国总统办公室周一宣布，美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。也就是说，在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。韩联社表示，美国商务部正在更新其“经过验证的最终用户”名单，以确定哪些实体可以获得特定技术的出口。一旦被列入名单，就不需要再单独获得出口许可，也就意味着美国出口管制政策实际上无限期暂停。SK海力士对此表示欢迎，并认为此决策有助于稳定全球半导体供应链。去年，三星电子和SK海力士已获得美国商务部一年的授权，允许其向位于中国的工厂供应芯片生产设备，这项授权已于今年10月到期。三星电子和SK海力士在中国有多家工厂，并在全球半导体市场中占据重要地位，控制了大部分的DRAM和NAND闪存市场份额。Source:Viavia@Zcocksize_bot投稿：@ZaiHuaBot频道：@TestFlightCN