铠侠建议 SK 海力士在其日本工厂生产芯片

铠侠建议SK海力士在其日本工厂生产芯片日本存储芯片制造商铠侠（KioxiaHoldingsCorp.）向SK海力士公司(SKHynixInc.)提交了一份提议，建议SK海力士在铠侠与西部数据公司联合运营的一家日本工厂生产芯片。铠侠希望加强与这家韩国公司的关系，以此获得SK海力士同意其与西部数据的合并。SK海力士是铠侠的间接股东之一，反对铠侠与西部数据的合并。（环球市场播报）

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK海力士希望与铠侠合作在日本生产AI用HBM韩国SK海力士已与铠侠(Kioxia)提案，希望在日本生产下一代HBM内存，因为生成式AI的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买HBM内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据(WD)合资的工厂进行。铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。SK海力士有全球顶尖HBM市占率，若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产HBM的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产NANDFlsah，而之后若能生产最先进DRAM的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。铠侠和西部数据均生产NANDFlash产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。——

SK Hynix可能会对Kioxia与西部数据合并案施压

SKHynix可能会对Kioxia与西部数据合并案施压目前，SK海力士是NAND闪存的第二大制造商，在一定程度上落后于三星，但如果KioxiaWD合并发生，SK海力士将被挤到市场第三的位置，这对公司没有好处。因此，SK海力士正试图为Kioxia争取一个相当奇怪的选择，即SK海力士希望日本软银（拥有Arm等公司）作为Kioxia的合作伙伴介入。然而，SK海力士似乎忘记了西部数据的内存芯片与Kioxia的内存芯片是在同一个工厂生产的，因此西部数据不太可能热衷于看到SK海力士在最后一刻提出的这一建议。根据目前的资产状况，Kioxia和WD合并后，Kioxia将拥有新公司63%的股份，WD将拥有37%的股份。然而，西部数据的目的是为合并增加更多资本，从而为其股东获得最终公司50.1%的股份，而Kioxia最终将获得49.9%的股份。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390773.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390773.htm

SK海力士确认反对西数与铠侠合并

SK海力士确认反对西数与铠侠合并但SK海力士首席财务官KimWoohyun周四在发布财报后的电话会议上对分析师表示，这笔交易低估了其在铠侠的股份的价值，鉴于对公司在铠侠投资的整体价值的影响，SK海力士“目前不同意这笔交易”。西部数据和铠侠多年来一直在讨论可能的合并，但讨论一直围绕着控制权、领导力、经济和政治等问题。从理论上讲，合并两家公司将有助于两家公司与内存芯片行业最大的公司竞争。这两家公司目前正寻求在本月结束谈判，并希望在西部数据10月30日公布财报之前宣布交易。铠侠已与日本投资公司（JapanInvestmentCorp．）接洽，希望注资以加快交易进程。当贝恩资本（Baincapital）牵头的一个财团从东芝公司手中收购铠侠的控股权时，SK海力士成为了铠侠的间接股东。目前尚不清楚SK海力士的反对将如何影响收购结果。据知情人士称，贝恩资本和铠侠正在制定一项解决方案，尽管遭到SK海力士的反对，但交易仍可能宣布。虽然多位人士表示，SK海力士对这笔交易没有否决权，但也有人表示，SK海力士作为主要投资者，必须征得其同意。相关文章:SKHynix可能会对Kioxia与西部数据合并案施压...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392387.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1392387.htm

长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？

长存/三星/SK海力士/美光最新3DNAND芯片对比：谁的密度更高？三星一直凭借其超高纵横比(UHAR)孔蚀刻实现的单层工艺主导了128层3DNAND。目前，三星仍然以最小的字线(WL)间距领先，这允许堆叠更多层，同时最大限度地减少对垂直通道(VC)高度和狭缝深度的工艺要求的影响。虽然看起来三星可能拥有最低的128层工艺成本，但它的裸片尺寸并不是最低的。这很重要，因为裸片面积越小，在300mm晶圆上可以制造的NANDFlash裸片数量就越多，利润也就越高。三星已开始在176层3DNAND（三星的第7代3DNAND）采用外围单元(COP)方法，这导致芯片尺寸相比上一代的73.60mm2显着减小至47.10mm2，存储密度也由6.96Gb/mm2提升至10.87Gb/mm2；美光从32层3DNAND（美光的第一代3DNAND）开始使用类似的方法，美光称之为CMOSunderarray，CuA，其上一代的176层芯片的尺寸为49.84mm2，存储密度为10.27Gb/mm2，而其最新量产的232层芯片存储密度则为14.60Gb/mm2；SK海力士则是从96层3DNAND（SK海力士的第四代3DNAND）开始使用类似的方法，SK海力士将其称为4DNAND，单元下外围或PUC），其176层芯片的尺寸为46.50mm2，存储密度为11.01Gb/mm2；长存在64层3DNAND（长存第二代3DNAND）应用自研的Xtacking技术，通过在外围电路上放置存储器阵列，实现了缩小芯片尺寸的优势，减小的裸片尺寸以及增加的有源字线(AWL)提高了位密度。长江存储最新的Xtacking3.0技术使得其232层3DNAND的存储密度得到了进一步提升，达到了15.03Gb/mm2，是目前最高的。根据长存YMTC232-L六平面1TbTLC芯片拆解来看，其具有CenterX解码器，具有15.03Gb/mm2的最高密度。下图1显示了该芯片的位密度(Gb/mm2)与AWL数量的关系。△图1：YMTC232-L1Tb芯片内部图像TechInsights预计，即将推出的232/238层芯片的平均存储密度将达到大约15Gb/mm2。在ISSCC2022上，三星的200＋层测片（配备四平面1TbTLC芯片和边缘X解码器）的位密度为11.55Gb/mm2。当量产时，TechInsights预计其位密度将增加到14.5Gb/mm2。此外，带有CenterX解码器的SK海力士238层六平面1TbTLC芯片的存储密度估计为14.75Gb/mm2，比上一代将增加34%。美光已量产的232层六平面1TbTLC裸片据称为其存储密度为14.60Gb/mm2。显然，在232/238层级别，长存显示出最高的存储密度，预计三星的存储密度最低。但这并不意味着三星已经落后，因为还需要考虑的更重要的因素——总体成本，因此每bit成本的指标是最理想的比较数据。TechInsights表示，目前正通过其最近收购的ICKnowledge在努力计算每位成本，很快将会提供这些信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339507.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339507.htm

Kioxia与西部数据合资企业将获得1500亿日元的政府补贴

Kioxia与西部数据合资企业将获得1500亿日元的政府补贴这是Kioxia和WesternDigital的合资生产设施第二次获得日本政府的补贴。此前，位于四日市的合资生产设施已获准在2022年从日本政府获得高达929亿日元的补贴。凭借长达20多年的合资伙伴关系，Kioxia和西部数据将继续加强日本四日市工厂和北上工厂的尖端闪存开发和生产能力。此外，两家公司还将为半导体相关产业和人才的发展做出贡献。"我们感谢日本政府的支持，并将继续生产尖端闪存。有了这笔补贴，我们将继续为半导体行业的进步以及地方和国内经济的发展做出贡献。"西部数据公司首席执行官DavidGoeckeler说："我们感谢日本政府对我们在日本的合资闪存制造工厂的持续和坚定承诺，以及我们在NAND闪存行业的长期创新记录。这种支持肯定了先进的内存和数据存储技术在解决多样化和不断增长的数据驱动应用方面的重要作用。"Kioxia和西部数据是半导体行业合作时间最长、最成功的合资企业，共同开发了3D闪存等令人耳熟能详的产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1416509.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1416509.htm