三星:2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺

三星:2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺据悉,调查结果表明,半导体行业将从2024年起全面反弹。随着智能手机市场逐渐复苏,预计一些市场将出现DRAM和NAND芯片的供应短缺,特别是在中国市场。三星的一位高级管理人员提到,越来越多的半导体公司已经完成库存调整阶段,特别是在与最大客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计NAND业务的亏损将大幅减少。在服务器DRAM业务方面,针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能(AI)需求,正在扩大基础设施投资。证券业人士表示,考虑到库存逐步稳定,预计从第四季度开始,存储市场供需改善和价格上涨趋势将同时显现。三星是否继续减少产量还需进一步关注。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388677.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388677.htm

相关推荐

封面图片

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资平泽P3晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将P3晶圆厂的产能增加8万片DRAM和3万片NAND晶圆,但现在产能扩张已削减至5万片DRAM和1万片NAND晶圆。尽管2023年下半年价格反弹,但三星对市场复苏的前景似乎仍然保守。P3扩产投资的缩减可能意味着三星预计未来一年的供应不会大幅增加,特别是在NAND方面。NAND投资削减幅度大于DRAM,这也意味着三星预计NAND市场复苏将放缓。预计2023年三星在设备上的资本支出将达到36万亿或37万亿韩元(约合270亿美元)。不过,随着最新的投资缩减,到今年底总支出可能会减少至29万亿韩元。同时,根据韩国证券公司报告,随着DRAM制造进入第四代10nm节点(1a)和第五代10nm节点(1b)加工技术,加工配方将发生重大变化。设备升级期间,生产线将暂停,安装新设备。这正是企业选择在淡季采取这一行动的原因,以避免对产量造成太大影响。因此,由于扩产缩减和设备升级,三星内存产线的利用率将在Q4处于较低水平,因此其DRAM和NAND供应在Q4可能会大幅减少。事实上,过去六个月DRAM价格已经触底并保持平稳,据报道,存储公司已要求客户提高NAND产品的合同价格。业界普遍预计,三星、SK海力士和美光将有望从经济周期中复苏,盈利能力也可能很快恢复。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388531.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388531.htm

封面图片

涨价前兆 PC、手机DRAM内存将出现供应短缺

涨价前兆PC、手机DRAM内存将出现供应短缺与HBMDRAM相比,通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片,这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来,通用型DRAM的产能仅提升了大约10%,而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减,也未能显著推动DRAM需求的复苏。与此同时,企业级固态硬盘(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增,导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。铠侠也在市场条件改善后结束了减产,NAND产能利用率恢复至100%。尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度,但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商,如三星和苹果,正在积极探索AI技术在各自产品中的应用,以期带动市场需求。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436147.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1436147.htm

封面图片

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示,同DRAM相比,NAND闪存需求复苏缓慢,包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商,也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加,DRAM的利润状况有改善,但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到,三星电子和SK海力士这两大厂商,正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存,以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看,在二季度的财报分析师电话会议上,三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量;SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到,三星电子和SK海力士半导体产品的库存,在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存,在上半年结束时已增至33.69万亿韩元,高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元,较去年年底也增加了5%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

封面图片

三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层报道显示,三星已开始采购最新的半导体设备,新设备预计将在2023年底交付,并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层(第8代)NAND的设备。三星决定升级其西安工厂的原因主要由两个:第一个原因是三星想要在目前尚未复苏的NAND芯片市场继续保持全球领先地位。从去年年底开始的半导体市场疲软影响到了三星NAND业务,即便是4月开始采取减产措施后也没有明显改变。因此三星选择了升级工艺来确保产品的竞争力和价格,毕竟比起第6代NAND技术,第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右,更能平衡市场供需。再加上由于三星的减产措施,其西安工厂的整体开工率也是大幅下降到了20%左右。另一个原因就是美国的无限期豁免。三星西安工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地,第一工厂投资了108.7亿美元(约合795亿元人民币),2017年开始建造的第二工厂,先后投资了150亿美元(约合1097亿元人民币)。目前三星西安工厂已经成为了世界上最大的NAND制造基地,约占了三星NAND总产量的40%。三星那么多的投资,再加上美国现在又对其进行了豁免,升级生产工艺也就在情理之中了。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390285.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1390285.htm

封面图片

三星在DRAM和NAND巨亏的背景下开始投产第三款3纳米芯片

三星在DRAM和NAND巨亏的背景下开始投产第三款3纳米芯片在谈及三星晶圆代工的财报时,该公司仍对下半年的需求复苏持不确定态度。三星在一份声明中写道:"在下半年市场复苏力度存在相当大的不确定性的情况下,需求将逐步恢复,消费者情绪将在通胀缓解和客户结束库存调整的情况下反弹。"更广泛地说,三星营收大幅下降,同比下降22%,降至469.15亿美元。三星半导体部门(包括内存、SoC和代工业务)的收益下降至298.6亿美元,同比下降48%。内存销售额达到70亿美元,同比下降57%,但季度环比增长1%。总体而言,由于商品内存需求低迷以及商品3DNAND和DRAM价格下降,三星半导体业务亏损34亿美元。不过,三星的DRAM业务也有一些亮点。对DDR5模块和HBM内存等高性能、高密度高端产品的需求增加,部分抵消了商品内存销售的放缓。三星表示:"由于我们扩大了服务器产品的销售,同时积极应对DDR5和AI用HBM需求的增长,比特增长超过了预期。在主要超大规模企业加大对人工智能投资的推动下,高密度/高性能产品的需求保持强劲。"虽然三星预计内存需求将在下半年复苏,但该公司预计将颁布更多减产措施,以进一步支撑内存价格。"我们预计下半年内存市场将逐步复苏,但市场反弹的速度可能取决于我们的宏观变量,"内存部门执行副总裁JaejuneKim说。"三星还将进一步调整部分产品的产量,包括3DNAND。三星在一份声明中写道:"整个行业的减产可能会在下半年继续,随着客户继续去库存(芯片),需求有望逐步恢复。得益于3nm工艺的稳定,我们的第三款GAA产品的量产进展顺利,我们正在根据GAA的量产经验,按计划开发3nm的改进工艺。"作为三星财报的一部分,该公司还透露已开始生产其第三款3纳米(GAAFET)芯片。最近有消息称,三星代工厂在其SF3E节点(以前称为3GAE,即3nmGate-all-aroundearly)上生产WhatsminerM56S++加密货币挖矿ASIC已经有一段时间了。后来又有消息称,另一家加密货币挖矿硬件开发商PanSemi也在使用三星的SF3E制造其挖矿ASIC。现在,三星证实又有一家客户使用了其最新的生产节点,不过该公司并未透露有关该客户或其芯片的更多细节。生产微小的加密货币挖矿专用集成电路(ASIC)是在商业应用中测试新制造工艺的好方法,因为即使缺陷密度相对较高,此类芯片的良品率也可能足够高。同时,三星代工厂的SF3E工艺技术有望提高加密货币挖矿ASIC的性能并降低功耗(与上一代节点上生产的同类芯片相比),而这些正是加密货币矿工们为提高收益而希望达到的目标。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373717.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1373717.htm

封面图片

三星谈论下一代DRAM解决方案:GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND

三星谈论下一代DRAM解决方案:GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND三星公布了其下一代DRAM和内存解决方案的计划,包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作为先进半导体技术的全球领导者,三星电子今天在2022年三星技术日上展示了一系列尖端的半导体解决方案,这些解决方案将在十年内推动数字转型。自2017年以来的年度会议,该活动在三年后回到了圣何塞希尔顿酒店的SigniabyHilton酒店亲自出席。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1324271.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1324271.htm

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人