三星发布首款3纳米可穿戴芯片

三星发布首款3纳米可穿戴芯片据业界3日消息，三星电子发布业界首款3纳米可穿戴设备芯片“ExynosW1000”，预计将用于三星智能手表新产品GalaxyWatch7。三星电子表示，ExynosW1000采用三星3纳米GAA工艺，低耗电设计和LPDDR5内存升级，让用户在延长佩戴使用时间的同时享受智能手表升级体验。预计ExynosW1000将用于三星电子即将推出的GalaxyWatch7。三星电子定于10日晚10时在巴黎举行今年第二场Galaxy新品发布会，届时将发布折叠屏手机和智能穿戴设备等新品。——

NAND和DRAM产业遭遇“双重暴击” 业绩创下2009年以来新低

NAND和DRAM产业遭遇“双重暴击”业绩创下2009年以来新低作为全球最大的存储芯片和电视制造商，三星电子在一份简短的初步财报中估计，今年1月~3月营业利润预计将从去年同期的14.12万亿韩元大幅下滑至6000亿韩元（约4.555亿美元），为2009年全球金融危机以来新低。与此同时，三星表示将削减存储芯片产量。芯片需求骤降，三星Q1利润“雪崩”“存储芯片需求急剧下降……由于宏观经济形势和客户购买的情绪放缓，许多客户出于财务目的继续调整库存，”三星电子在一份声明中写道。6000亿韩元的一季度利润，远低于RefinitivSmartEstimate给出的8730亿韩元的预期，而且这8730亿韩元的预期是已经被下修之后的数据。FnGuide的预期则是三星电子一季度的营业利润为1万亿韩元。图片来源：彭博社除了营业利润外，三星电子表示，公司一季度营收可能同比下降19%至63万亿韩元。公司定于本月晚些时候公布详细的一季报，包括细分业绩。周五公布的初步业绩中，三星电子没有公布按行业划分的收益预期，但分析人士估计，公司半导体业务一季度的运营亏损可能超过4万亿韩元。三星电子是全球最大的内存芯片制造商，约占动态随机存取存储器（下称DRAM）市场份额的40%，占NAND闪存芯片市场份额的1/3。由于从智能手机到个人电脑的各种电子产品的需求疲软，消费者和企业正在应对经济衰退的风险，内存芯片价格的跌幅超过了预期。彭博社的报道中称，三星电子一季度的内存芯片亏损或达30亿美元。DRAM方面，元大证券分析师BaikGilhyun说，DRAM是一种用于处理数据的存储器，预计本季度其价格将进一步下降约10%。需要指出的是，DRAM价格已经在今年一季度下降了约20%，去年四季度的价格降幅更是达30%。《每日经济新闻》记者注意到，三星电子的一季度初步业绩发布之际，正值传统上受经济周期影响的内存芯片需求大幅下降，导致市场供过于求。TrendForce上周在一份报告中称，“由于对服务器、智能手机和笔记本电脑等产品的需求仍太疲弱，NAND闪存仍供过于求。供需回归市场均衡的关键在于NAND供应商能否进一步减产。”TrendForce预测称，如果需求保持稳定，NAND价格将在今年第四季度反弹。然而，该机构同时表示，如果需求低于预期，那么NAND芯片市场的复苏将需要更长的时间。尽管一季度营业利润同比大幅下滑，但对于三星电子来说，好消息是其智能手机业务表现良好，有助于支撑其整体的业绩表现。Shinyoung证券估计，由于三星Galaxy23智能手机的流行，三星电子专注于智能手机的移动体验和网络部门一季度的营业利润可能达到3.8万亿韩元。HanwhaInvestment&Securities分析师KimKwangjin表示，今年一季度，三星Galaxy23的销量达到了约1100万部，比上一代Galaxy智能手机增长了50%。Kim估计，三星一季度智能手机的利润将环比增长123%达到3.3万亿韩元。一直拒绝减产的三星，终于妥协了与一季度初步业绩一同公布的，还有三星电子的减产计划。该公司称，将把内存芯片的产量削减到“有意义的水平”。在库存堆积损害了定价和利润后，三星电子的竞争对手一直在等待其减产决定。《每日经济新闻》记者注意到，过去几个月以来，三星电子一直拒绝减产，部分原因是为了从竞争对手手中夺取市场份额。此外，三星电子正斥资数千亿美元在韩国建设全球最大的芯片工厂，并在美国建设一家新工厂。三星电子在一份声明中表示，“在评估公司已经获得了足够的产量以应对未来内存芯片需求变化的情况下，公司正在调整，以确保额外供应的产品为核心，将内存芯片产量降低到有意义的水平，并优化已经在进行的生产线运营。”彭博社报道截图财报显示，三星电子的库存在去年年底就已经膨胀到了52.2万亿韩元，此前公司在需求大幅下滑的情况下仍然维持了生产。相比之下，竞争对手海力士（SKHynixInc.）和美光科技已经削减了产量，以处理芯片库存。美国最大的内存芯片制造商美光科技表示，其客户库存正在下降，并预计供需平衡将逐步改善。海力士的高管也曾表示，内存芯片供应商的减产应该会在下半年开始生效，并帮助支撑价格。不过美光和海力士均强调称，复苏的步伐将取决于同行减产的努力。EugeneInvestment&Securities分析师LeeSeung-woo表示，“三星电子的减产是一项非常有意义的举措。三星电子的减产可能很快就会影响内存芯片的现货价格，因为就目前来看，市场对内存芯片几乎没有需求。”尽管宣布减产，但三星电子仍暗示不会放弃进取的战略。公司在声明中表示，“我们已经削减了短期生产计划，但随着我们预计中长期的强劲需求，我们将继续投资于基础设施，以确保必要的竞争力，并扩大研发投资，以巩固技术方面的领先地位。”记者/蔡鼎编辑/高涵...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1353469.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1353469.htm

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm

三星电子公布2纳米芯片量产路线图 将于2027年量产1.4纳米芯片

三星电子公布2纳米芯片量产路线图将于2027年量产1.4纳米芯片根据该计划，三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。三星表示，与3纳米工艺相比，2纳米芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%。作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业，三星电子还表示，将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。去年6月，三星电子开始量产采用GAA（全环绕栅极）技术的3纳米芯片。当时，三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年量产。但在周二的SFF论坛上，三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367841.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367841.htm

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资平泽P3晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将P3晶圆厂的产能增加8万片DRAM和3万片NAND晶圆，但现在产能扩张已削减至5万片DRAM和1万片NAND晶圆。尽管2023年下半年价格反弹，但三星对市场复苏的前景似乎仍然保守。P3扩产投资的缩减可能意味着三星预计未来一年的供应不会大幅增加，特别是在NAND方面。NAND投资削减幅度大于DRAM，这也意味着三星预计NAND市场复苏将放缓。预计2023年三星在设备上的资本支出将达到36万亿或37万亿韩元（约合270亿美元）。不过，随着最新的投资缩减，到今年底总支出可能会减少至29万亿韩元。同时，根据韩国证券公司报告，随着DRAM制造进入第四代10nm节点（1a）和第五代10nm节点（1b）加工技术，加工配方将发生重大变化。设备升级期间，生产线将暂停，安装新设备。这正是企业选择在淡季采取这一行动的原因，以避免对产量造成太大影响。因此，由于扩产缩减和设备升级，三星内存产线的利用率将在Q4处于较低水平，因此其DRAM和NAND供应在Q4可能会大幅减少。事实上，过去六个月DRAM价格已经触底并保持平稳，据报道，存储公司已要求客户提高NAND产品的合同价格。业界普遍预计，三星、SK海力士和美光将有望从经济周期中复苏，盈利能力也可能很快恢复。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388531.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388531.htm

三星：2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺

三星：2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺据悉，调查结果表明，半导体行业将从2024年起全面反弹。随着智能手机市场逐渐复苏，预计一些市场将出现DRAM和NAND芯片的供应短缺，特别是在中国市场。三星的一位高级管理人员提到，越来越多的半导体公司已经完成库存调整阶段，特别是在与最大客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计NAND业务的亏损将大幅减少。在服务器DRAM业务方面，针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能（AI）需求，正在扩大基础设施投资。证券业人士表示，考虑到库存逐步稳定，预计从第四季度开始，存储市场供需改善和价格上涨趋势将同时显现。三星是否继续减少产量还需进一步关注。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388677.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388677.htm