台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点

台积电称无需ASML的High-NAEUV即可实现下一代A16工艺节点台积电高管周二表示,不一定需要使用ASML下一代HighNAEUV机器,用于即将推出的芯片制造技术A16,该技术正在开发中,预计于2027年推出。HighNA光刻工具有望帮助将芯片设计缩小三分之二,但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本,以及ASML的旧技术是否可能更可靠、更好。每台HighNAEUV工具的成本预计超过3.5亿欧元,而ASML常规EUV机器的成本则为2亿欧元。台积电是全球最大的合同芯片制造商,也是ASML常规EUV机器的最大用户。而另一方面,英特尔则已经打包预定了ASML今年所有的HighNA设备出货量。——

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传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问:NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息,台积电并没有为A16制程准备High-NA(高数值孔径)EUV光刻机,而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下,英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术,英特尔原本计划在20A(2nm)制程导入,称其为“PowerVia”,但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN,根据早些时候消息,三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机,并完成组装。业界认为,台积电选择在这时推出A16制程,给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步,但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机,也展现了其技术实力,可以在不采用最新设备的情况下,将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上,去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式,在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时,还降低了缺陷密度。台湾分析师表示,台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求,尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限,如何在三大晶圆代工巨头之间分配,势必成为一大挑战。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm

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台积电CEO访问ASML总部预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法台积电的宿敌英特尔公司(Intel)希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻(High-NAEUVlithography)领域取得不可逾越的领先地位。事实上,首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A(1.8纳米)工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线(EUV)光刻技术,然后再将其正式纳入14A(1.4纳米)制造工艺。相比之下,台积电公开表示,其现有的低噪点EUV光刻机阵容可以支持生产到2026年。对于即将到来的A16工艺节点,该公司显然满足于现有的工艺改进,包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。这就是问题的关键所在。5月26日,台积电首席执行官魏哲家没有出席2024年技术研讨会,而是秘密访问了ASML位于荷兰的总部。根据BusinessKorea的报道,从ASML首席执行官ChristopherFuke和通快集团首席执行官NicolaLeibinger-Kammüller的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。根据台积电的既定计划,这家合约芯片制造商希望在推出基于1.6纳米的产品后,才采用高数值孔径EUV光刻技术。然而,魏哲家对ASML总部的秘密访问却让人颇感意外,尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流,或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432586.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432586.htm

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