SK 海力士与台积电据悉结成 AI 芯片联盟，合作开发 HBM4

SK海力士与台积电据悉结成AI芯片联盟，合作开发HBM4据韩国媒体PulseNews报道，韩国芯片生产商SK海力士公司正在与台积电结成联盟，以推动双方的人工智能合作伙伴关系，该战略联盟旨在通过汇集两家公司在下一代人工智能半导体封装方面的技术专长，巩固两家公司在人工智能芯片市场的地位。据业内人士透露，SK海力士与台积电形成了OneTeam战略，包括合作开发第六代HBM，即HBM4。（界面新闻）

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片，预期2026年投产在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。从HBM4产品开始，海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。https://api3.cls.cn/share/article/1652041

台积电据悉协同创意电子拿下 SK 海力士芯片大单

台积电据悉协同创意电子拿下SK海力士芯片大单台积电继独家代工英伟达、超微（AMD）等科技巨头AI芯片之后，市场近日传出协同旗下创意电子取得下世代HBM4关键的基础界面芯片大单。另一方面，SK海力士已宣布与台积电冲刺HBM4及先进封装商机。业界指出，创意已经拿下SK海力士在HBM4芯片委托设计案订单，预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12纳米及5纳米生产，预期下半年委托设计（NRE）开案将明显贡献营收，抢进HBM供应链。

传台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单

传台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单报道称，业界传出，创意电子已经拿下SK海力士在HBM4芯片委托设计案订单，预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12纳米及5纳米生产，预期下半年委托设计（NRE）开案将明显贡献营收，抢进HBM供应链。报道指出，业界推测，HBM4最大转变除了堆叠高度增加到16层DRAM堆叠之外，为了增加频宽传输速度，HBM底部还需要加上逻辑IC，成为新一代HBM4最大变革，亦可能是JEDEC放宽堆叠高度限制的原因之一，而这颗至为关键的逻辑IC即基础介面芯片。ASIC芯片设计服务、IP公司创意电子（GUC）公布2024年第一季度财务数据，当季合并营收56.9亿元新台币（单位下同），年减13%、季减9.8%；毛利率29.7%，年减2.2%；税后纯益6.63亿元，年减29%，EPS4.94元。财报显示，创意电子第一季度营收，来自委托设计（NRE）为13.86亿元新台币，年减7%；晶圆产品（Turnkey）营收41.64亿元，年减16%。另外，人工智能与网络通信应用芯片合计贡献创意第一季营收39%，与消费性电子应用占比相当；工业应用则占14%、其他应用8%。显示创意在AI及网通应用领域已具备一定实力。（校对/赵碧莹）相关文章:台积电与SKhynix结成AI战略联盟共同推进面向下一代GPU的HBM4存储...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435885.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435885.htm