机构:Blackwell 出货在即 CoWoS 总产能持续看增 预估 2025 年增率逾七成

机构:Blackwell出货在即CoWoS总产能持续看增预估2025年增率逾七成根据TrendForce集邦咨询研究,属Blackwell平台的B100等,其裸晶尺寸(diesize)是既有H100翻倍,估计台积电(TSMC)2024年CoWos总产能年增来到150%,随着2025年成为主流后,CoWos产能年增率将达七成,其中NVIDIA需求占比近半。HBM方面,随着NVIDIAGPU平台推进,H100主搭载80GB的HBM3,至2025年的B200将达搭载288GB的HBM3e,单颗搭载容量将近3~4倍成长。而据三大原厂目前扩展规划,2025年HBM生产量预期也将翻倍。

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机构:2025年HBM价格调涨约5~10%,占DRAM总产值预估将逾三成根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(ConventionalDRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。吴雅婷指出,今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价,不过受限于DRAM总产能有限,为避免产能排挤效应,供应商已经初步调涨5~10%,包含HBM2e,HBM3与HBM3e。

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