设计这种超高密度超高层贫民窟的建商真可耻！

设计这种超高密度超高层贫民窟的建商真可耻！超高层住宅大楼现今以天通苑、花果园等为代表的“超级社区”，有人说这是中国式房地产开发的必然选择。它的优势在于：以超大规模的开发实现了规模效应，以超高密度的设计控制了价格，已有预测这种“超高层贫民窟”在中国未来会越来越多！对于购房的“刚需”而言，虽然实地看过的人都知道，超高层的吊顶、超高密度的规划、千奇百怪的小户型…自然是不好的，但以位于贵阳市老城区的花果园为例，它距离贵阳核心商业圈（喷水池、大十字）约2公里。在没有疫情时是个生活机能还可以的”中国特色新世纪超高层贫民窟”小编：喜欢我黄泥大墓碑吗

长电科技宣布4nm芯片封装产品出货

长电科技宣布4nm芯片封装产品出货1月5日，长电科技午间宣布，公司XDFOIChiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500mm2的系统级封装。长电科技表示，目前，长电科技XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点(μBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。同时，还可以在封装体背面进行金属沉积，在有效提高散热效率的同时，根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力，提升芯片成品良率。据了解，长电科技充分发挥这一工艺的技术优势，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，向下游客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1337739.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1337739.htm

研究人员利用多级磁记录技术实现磁区密度超过10Tbit/in²的超高密存储

研究人员利用多级磁记录技术实现磁区密度超过10Tbit/in²的超高密存储数据中心越来越多地将大量数据存储在硬盘驱动器（HDD）上，这些驱动器使用垂直磁记录（PMR）技术，以大约1.5Tbit/in²的磁区密度存储信息。然而，要过渡到更高的磁区密度，需要一种由铂铁晶粒组成的高各向异性磁记录介质，并结合热辅助激光写入技术。这种方法被称为热辅助磁记录（HAMR），能够维持高达10Tbit/in²的磁区记录密度。此外，与硬盘技术中使用的二进制记录层相比，通过存储3或4层的多记录层，根据新的原理，记录密度有可能超过10Tbit/in²。目前使用的HAMR系统（上）和三维磁记录系统（下）示意图。在三维磁记录系统中，每个记录层的居里温度相差约100K，通过调整激光功率将数据写入每个记录层。资料来源：高桥幸子NIMS、ThomasChang希捷科技、SimonGreaves东北大学在这项研究中，研究人员通过制造晶格匹配的FePt/Ru/FePt多层薄膜，并以Ru作为间隔层，成功地将铁铂记录层进行了三维排列。磁化测量结果表明，两个铁铂层具有不同的居里温度。这意味着，通过调整写入时的激光功率，可以实现三维记录。此外，我们还通过记录模拟，使用模仿制作介质的微观结构和磁性能的介质模型，证明了三维记录的原理。三维磁记录方法可以通过在三个维度上堆叠记录层来提高记录容量。这意味着可以用更少的硬盘存储更多的数字信息，从而为数据中心节约能源。今后团队还有计划开发缩小铁铂晶粒尺寸、改善取向和磁各向异性的工艺，并堆叠更多的铁铂层，以实现适合作为高密度硬盘实际使用的介质结构。这项研究发表于2024年3月24日的《材料学报》（ActaMaterialia）。编译来源：ScitechDaily...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427310.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427310.htm

Amprius研发的超高密度电池背心可以为未来作战人员提供双倍能量

Amprius研发的超高密度电池背心可以为未来作战人员提供双倍能量这个想法很简单：未来的士兵需要以最小的重量携带最大的能量，为他们在战场上穿戴、藏匿和随身携带的大量任务关键型电气硬件提供能量。Amprius声称，其超高密度电池的运行时间将是现有解决方案的两倍，使士兵们无需停下来充电，就能在野外坚持更长时间。美国陆军正在研发下一代可穿戴式共形电池（CWB），它将为士兵的集成视觉增强系统和其他任务关键型通信设备、传感器、可穿戴电子设备，以及一些现在可能只有科幻作家才会想到的硬件提供一体化电源。这种电池的设计理念是用一种单体流线型电源取代形状和大小各异的特定物品电池，这种单体流线型电源采用轻薄、灵活的结构设计，可与人体完美贴合。InventusPower公司生产当前一代的共形可穿戴电池，是2021年被选中参与订单竞争的四家国防承包商之一。Amprius是为该项目向Inventus公司提供高能量电池的电池专家之一，Enovix公司也是其中之一。该公司今年1月宣布已完成该项目的硅阳极安全锂电池的首次批量装运，本周又确认将为CWB电池组的进一步开发提供电池。Amprius公司首席执行官孙康博士在周四的公告中表示："此次电池组集成标志着我们在为美国陆军提供地面电源解决方案方面取得了重大进展。我们的SiMaxx安全电池以其高能量密度和安全特性而著称，将在提高下装士兵的任务时间和可靠性方面发挥至关重要的作用。"秘密成分：Amprius称其硅纳米线配置能更好地适应硅膨胀，并为离子和电子提供导电路径SiMaxx是Amprius公司独创的电池结构的最新商标名称，该结构将传统的石墨负极换成了纳米线结构的硅。硅能容纳多达10倍的锂离子，从而提高了能量容量，而纳米线结构则能更好地适应离子移动过程中的体积膨胀和收缩，从而防止硅降解。经MobilePowerSolutions于2023年验证，SiMaxx电池的能量密度达500Wh/kg（重量）和1300Wh/kg（体积）。Amprius公司在2022年开始出货时，最初估计的能量密度分别为450Wh/kg和1150Wh/kg。虽然我们已经看到有其他500Wh/kg的电池发布，有些甚至在实验室环境中超过了700Wh/kg，但SiMaxx电池仍然是我们所见过的最高密度电池，而且已经可以出货。与现有的军用电池解决方案相比，SiMaxx电池的这种超强能量密度可使电池组的能量增加一倍，而不会增加电池组的重量或体积。这样，士兵就可以执行更长时间的任务，而无需停下来充电。去年，采用凝胶聚合物电解质的390瓦时/千克SiMaxx电池迭代产品通过了美国军方要求的指甲穿透测试，这对于面临潜在子弹、弹片和其他战场危险的士兵佩戴的电池来说是至关重要的一步。这种电池包将与防弹衣集成，可佩戴在胸部、侧面或背部。AmpriusSiMaxx电池是能量密度最高的即用型锂电池芯陆军计划在2030年5月之前实施的CWB项目也帮助Amprius提高了生产能力。根据美国陆军资助的制造技术（ManTech）计划，该公司在1月份装运首批CWB电池之前完成了生产规模的扩大。4月份，它又完成了工具鉴定过程，将加州弗里蒙特工厂的产能提高到2兆瓦时。位于科罗拉多州的第二个生产基地预计将于2025年投产，届时公司的产能将达到千兆瓦时规模。除了大功率可穿戴设备，Amprius的电池技术还引起了电动航空、卫星和无人机行业的兴趣，并在太阳能汽车挑战赛中大放异彩，在去年的比赛中包揽了前四名。虽然我们还没有听到任何具体的电动汽车计划，但该公司提到了电动汽车领域是未来的一个市场，预计将其硅阳极电池应用于特斯拉Model3电池组，EPA续航里程将从310英里（500公里）提高到547英里（880公里）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430592.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430592.htm

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸  研究机构TechInsights报告显示，台积电2023年总销售额达到692.76亿美元，成为全球半导体产业冠军。摩根大通（小摩）、摩根士丹利等金融服务机构均对台积电的后续发展给出乐观预测，小摩在最新报告中认为，台积电在技术创新和先进封装领域的领先地位，以及在AI时代的关键作用，通过一系列技术突破，有望在未来几年继续保持在半导体产业的领先地位。以下为台积电在2024北美论坛公布的六大半导体技术：A161.6nm制程技术台积电A16制程节点是其首个整合纳米片晶体管（nanosheet）以及背面供电技术“SuperPowerRail”的节点，特别适合高性能计算（HPC）及人工智能（AI）应用，是台积电N2P制程的迭代。根据台积电此前公布的路线图，N2、N2P2nm节点定于2025年量产，A16预计将于2026年下半年量产。与2nmN2P节点相比，A16提高了晶体管密度和能效，在相同Vdd（正电源电压）下可实现8~10%的速度提升；在相同速度下，功耗可以降低15~20%。该技术可以帮助数据中心计算芯片实现1.07~1.10倍的芯片密度。台积电在北美峰会同时宣布A14工艺节点，预计将采用第二代纳米片晶体管以及更先进的背面供电网络，有望在2027~2028年开始生产，预计不会采用HighNAEUV光刻机。根据路线图，台积电1nm制程A10已在规划中。消息人士于2024年1月透露，台积电将更先进制程的1nm晶圆厂规划在嘉义科学园区，已派人前往目标地块勘测。这一选址离嘉义高铁站车程仅七分钟，往北串起台积电中科、竹科厂，往南串连南科厂及高雄厂，便于工程师通勤交流。NanoFlex创新纳米片晶体管台积电即将推出的N2制程工艺将采用NanoFlex创新纳米片晶体管技术，这是该公司在设计与技术协同优化方面的又一突破。NanoFlex为N2制程标准单元提供设计灵活性，其中短小晶体管单元可实现更小的面积和更高能效，而高单元则最大限度提高性能。客户能够在同一设计内优化小单元和大单元的组合，调整设计，以达到最佳功耗、性能和面积平衡。N4C制程技术台积电宣布推出N4C技术，是N4P的迭代，可降低8.5%的芯片成本，计划于2025年量产。该技术提供具有高效面积利用率的基础IP和设计规则，与广泛应用的N4P兼容，缩小芯片尺寸并提高良率，为客户提供高性价比选择。CoWoS、SoIC和系统级晶圆（TSMC-SoW）台积电表示，CoWoS先进封装已成为AI芯片的关键技术，被广泛采用，允许客户将更多的处理器内核与HBM高带宽存储堆叠封装在一起。与此同时，集成芯片系统（SoIC）已成为三维芯片堆叠的领先解决方案，客户正越来越多地将CoWoS与SoIC及其他组件搭配使用，以实现最终的系统级封装（SiP）集成。台积电宣布推出CoW-SoW封装技术（TSMC-SoW），基于台积电于2020年推出的InFO-SoW晶圆上系统集成技术迭代而成。通过晶圆级系统集成封装技术（SoW），可以在单片12英寸晶圆上制造大型芯片阵列，提供更强算力的同时，减少空间占用，并将每瓦性能提升多个数量级。此前特斯拉的DojoD1超级芯片，就利用台积电的此类工艺实现，利用单片晶圆实现强大算力。据悉，特斯拉自研的DojoD1超级芯片采用台积电7nm制程，并结合InFO-SoW先进封装、垂直供电结构制造而成，用于训练自动驾驶汽车AI大模型。参数方面，每个模组包含5×5总计25颗芯片，每个单芯片包含高达354个核心，因此片上SRAM换从总计达11GB，算力9050TFLOPS。台积电表示，首款SoW产品——基于集成扇出型封装（InFO）技术的纯逻辑晶圆已投入生产。利用CoWoS技术的CoW-SoW晶圆预计将于2027年问世，届时将可以集成SoIC、HBM和其他组件，创建强大的单晶圆级系统，其计算能力可以与整个机架甚至整个服务器相媲美。这类芯片将拥有巨大的面积，可以集成四个SoIC芯片+12个HBM存储芯片以及额外的I/O芯片，功率可达数千瓦。硅光子集成COUPE台积电正在开发紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术，以支持人工智能热潮带来的数据传输爆发式增长。COUPE采用SoIC-X芯片堆叠技术，在硅光子芯片堆叠电子芯片，并保证两片芯片之间最低的传输阻抗，能效比传统堆叠方式更高。台积电计划在2025年将COUPE技术用于小尺寸插拔式设备，速度可达1.6Tbps，相比当前最先进的800G以太网成倍提升。2026年，台积电将其整合入CoWoS封装中，作为共同封装光学器件（CPO）直接将光学连接引入封装中，这样可以实现高达6.4Tbps的速度。第三个迭代版本有望进一步改进，速度翻倍至12.8Tbps。汽车芯片先进封装继2023年推出N3AE“AutoEarly”制程后，台积电将继续通过整合先进芯片和先进封装，满足汽车客户对更高算力的需求，以及车规级认证的要求。台积电正在为高级辅助驾驶系统（ADAS）、车辆控制和车载中央计算机等应用开发InFO-oS和CoWoS-R解决方案，目标是在2025年第四季度之前获得AEC-Q1002级认证。日前台积电法说会之后，大摩预计台积电Q2营收将环比增长5%~7%，并给出860元新台币的目标股价预测。小摩预测台积电今年毛利率维持在52%~54%区间，预计今年年底3nm产能将达到10万片规模，明年将增加到15万片，并给出900元新台币的目标股价。小摩同时预计，台积电在未来3~4年内，在AI芯片的市场占有率仍将维持在90%以上，到2027年AI相关收入占比将升至总营收的25%。台积电法说会、多场技术论坛过后，给市场释出稳健信号，包括花旗银行、美银证券、瑞银在内的金融机构，均对台积电给出全年营收增长的预测。在人工智能市场需求持续增长的带动下，以及美日芯片工厂新产能的释放，预计台积电未来几年将持续领衔全球半导体产业，并凭借技术实力保持AI芯片领域的龙头地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429780.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429780.htm

上海科技大学研发出高密度光盘技术 可在100层结构中存下200TB数据

上海科技大学研发出高密度光盘技术可在100层结构中存下200TB数据上海科技大学的研究人员开发出一种光盘，其数据容量超过1petabit，相当于100TB以上。虽然这项技术主要是为企业使用而提出的，但在克服了重大障碍之后，消费者层面也有可能获得这项技术。科学家们通过采用三维平面记录结构，大大提高了光盘的容量。该技术使用了一种高度透明、均匀的光刻胶薄膜，其中掺杂了聚集诱导发射染料，并受到飞秒激光的刺激。这样就可以在一张与DVD或蓝光光盘厚度相同的光盘上，以一微米的间距排列数百层。最先进的蓝光光盘最多可支持四层，通常可存储约100GB的数据。相比之下，研究人员声称，他们的新格式可以在光盘两面各记录100层，总容量达1.6petabits，或约200TB。将许多Petabit存储介质堆叠在一起，可将exabit数据中心的规模缩小到目前典型规模的一小部分。整合服务器还能大幅降低热量和能耗。此外，利用超大容量光盘还能简化数据迁移过程，最大限度地减少迁移需求。另一个潜在优势是使用寿命长--研究人员称，Petabit光盘的使用寿命可达50到100年。虽然这种新介质可以与当前的光盘技术兼容，但研究人员尚未开发出快速、经济的驱动器。如果出现了这种驱动器，新光盘存储的数据量就可以与数十个硬盘驱动器、2000张PlayStation5游戏光盘或类似数量的4K蓝光光盘相媲美。除了媒体播放，开发人员还认为，Petabit光盘还能让个人或家庭拥有数据中心，将所有重要信息存储在家中的一个硬盘上，而不是多个设备和云服务器上。其他新型大容量存储方法也在研究之中。2021年，南安普顿大学的研究人员提出了一种在玻璃光盘上存储数据的"5D"方法。利用节能激光，该技术可以在DVD大小的光盘上存储500TB的数据，但还需要提高读写速度。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1419941.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1419941.htm