SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存带宽为上代1.4倍SK海力士HBM负责人KimGwi-wook表示,当前业界HBM

None

相关推荐

封面图片

SK海力士或于2026年量产第7代高带宽存储器,较此前计划提前1年SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭表示:“当前HBM技术

封面图片

SK海力士将于3月量产HBM3ESK海力士将于3月开始大规模生产五代高带宽内存产品HBM3E。

封面图片

在人工智能热潮中 SK海力士酝酿“差异化”HBM内存

在人工智能热潮中SK海力士酝酿“差异化”HBM内存SKHynix高级封装开发主管HoyoungSon以副总裁的身份表示:"开发客户专用的人工智能存储器需要一种新方法,因为技术的灵活性和可扩展性变得至关重要。"在性能方面,采用1024位接口的HBM内存发展相当迅速:从2014-2015年的1GT/s数据传输速率开始,到最近推出的HBM3E内存设备,其数据传输速率已达到9.2GT/s-10GT/s。随着HBM4的推出,内存将过渡到2048位接口,这将确保带宽比HBM3E有稳步提升。但这位副总裁表示,有些客户可能会受益于基于HBM的差异化(或半定制)解决方案。HoyoungSon在接受BusinessKorea采访时说:"为了实现多样化的人工智能,人工智能存储器的特性也需要变得更加多样化。我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装技术。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。"由于采用2048位接口,根据我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的情况,许多(如果不是绝大多数)HBM4解决方案很可能是定制的,或者至少是半定制的。一些客户可能希望继续使用内插器(但这一次内插器将变得非常昂贵),而另一些客户则倾向于使用直接接合技术将HBM4模块直接安装在逻辑芯片上,但这种技术也很昂贵。生产差异化的HBM产品需要复杂的封装技术,包括(但肯定不限于)SKHynix的高级大规模回流模塑底部填充(MR-RUF)技术。鉴于该公司在HBM方面的丰富经验,它很可能会推出其他产品,尤其是差异化产品。HoyoungSon说:"要实现不同类型的人工智能,人工智能存储器的特性也需要更加多样化。我们的目标是拥有一系列先进的封装技术,以应对不断变化的技术环境。展望未来,我们计划提供差异化的解决方案,以满足所有客户的需求。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422033.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1422033.htm

封面图片

SK海力士:计划2026年量产HBM4预计到2025年HBM市场规模将增长40%SK海力士副总裁KimChun-hwan日前透露

封面图片

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片,预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片,预期2026年投产在此次合作前,所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺,包括制造封装内最底层的基础裸片,然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。从HBM4产品开始,海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。另外,双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合(2.5D封装)。https://api3.cls.cn/share/article/1652041

封面图片

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片预期2026年投产(来源:SK海力士)背景:什么是高带宽内存众所周知,高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔(TSV)连接这些芯片,从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功,后来被称为HBM1的芯片通过AMD的RadeonR9Fury显卡首次登陆市场。后续,HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称,HBM3E带来了10%的散热改进,同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。(HBM3E芯片成品,来源:SK海力士)技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言,根据英伟达官方的规格参数表,H100产品主要搭载的是80GB的HBM3,而使用HBM3E的H200产品,内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么?在此次合作前,所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺,包括制造封装内最底层的基础裸片,然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。(HBM3E演示视频,来源:SK海力士)两家公司在公告中表示,从HBM4产品开始,准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能,公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外,双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合(2.5D封装)。通过与台积电的合作,SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商,海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片,今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言,AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下,维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间,约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息,目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下,这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月,美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月,正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GBHBM3E12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证,以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算,2024年的HBM市场里,SK海力士能够占到52.5%的份额,三星和美光则占42.4%和5.1%。另外,在动态随机存取存储器(DRAM)行业内,HBM的收入份额在2023年超过8%,预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事,普华永道高科技行业研究中心主任AllenCheng认为是“明智的举措”。他表示:“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户,进一步加深伙伴关系,意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。”...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427912.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1427912.htm

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人