路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试
路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试HBM即高带宽存储器,这是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,主要适用于高存储器带宽需求的场景组合,尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的AI加速产品都需要极高的带宽来提高性能,因此英伟达最初与SK海力士达成合作,由后者独家供应HBM3内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的HBM3内存芯片,三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题,目前英伟达的主力供应商仍然是SK海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的HBM3和HBM3E的测试,其中8层和12层的HBM3E芯片最近的一次失败测试结果在4月公布。既然没有成功通过英伟达测试,那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商,这种情况似乎也凸显三星在HBM芯片上落后于SK海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准,三星其实也已经向其他客户供应此类芯片,可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题,只能看着SK海力士和美光了。注:HBM3:指的是HBM第三个标准,每个标准里面还有不同的“代”比如HBM3E,所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位三星为此撤换芯片主管...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432158.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432158.htm