台积电涉足硅光子技术 制定12.8Tbps COUPE封装互连路线图

台积电涉足硅光子技术制定12.8TbpsCOUPE封装互连路线图台积公司的紧凑型通用光子引擎(COUPE)采用该公司的SoIC-X封装技术,将电子集成电路堆叠在光子集成电路(EIC-on-PIC)上。该代工厂表示,使用其SoIC-X技术可实现芯片到芯片接口的最低阻抗,从而实现最高能效。EIC本身采用65nm级工艺技术生产。台积电的第一代三维光学引擎(或COUPE)将集成到OSFP可插拔设备中,运行速度可达1.6Tbps。这一传输速率远远超过了目前的铜以太网标准(最高可达800Gbps),凸显了光互连在重型网络计算集群中的直接带宽优势,更不用说预期的节能效果了。展望未来,第二代COUPE的设计目的是集成到CoWoS封装中,作为与交换机共同封装的光学器件,从而使光互连达到主板级。与第一代COUPE相比,第二代COUPE支持高达6.40Tbps的数据传输速率,并减少了延迟。台积电的COUPE第三代产品--在CoWoS互连器上运行的COUPE预计将进一步改进,将传输速率提高到12.8Tbps,同时使光连接更接近处理器本身。目前,CoWoS上的COUPE还处于开发的摸索阶段,台积电还没有设定目标日期。与许多同行不同的是,台积电至今尚未涉足硅光子市场,而是将这一领域留给了GlobalFoundries等公司。但随着三维光学引擎战略的实施,该公司将进入这一重要市场,以弥补失去的时间。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428787.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428787.htm

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1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸  研究机构TechInsights报告显示,台积电2023年总销售额达到692.76亿美元,成为全球半导体产业冠军。摩根大通(小摩)、摩根士丹利等金融服务机构均对台积电的后续发展给出乐观预测,小摩在最新报告中认为,台积电在技术创新和先进封装领域的领先地位,以及在AI时代的关键作用,通过一系列技术突破,有望在未来几年继续保持在半导体产业的领先地位。以下为台积电在2024北美论坛公布的六大半导体技术:A161.6nm制程技术台积电A16制程节点是其首个整合纳米片晶体管(nanosheet)以及背面供电技术“SuperPowerRail”的节点,特别适合高性能计算(HPC)及人工智能(AI)应用,是台积电N2P制程的迭代。根据台积电此前公布的路线图,N2、N2P2nm节点定于2025年量产,A16预计将于2026年下半年量产。与2nmN2P节点相比,A16提高了晶体管密度和能效,在相同Vdd(正电源电压)下可实现8~10%的速度提升;在相同速度下,功耗可以降低15~20%。该技术可以帮助数据中心计算芯片实现1.07~1.10倍的芯片密度。台积电在北美峰会同时宣布A14工艺节点,预计将采用第二代纳米片晶体管以及更先进的背面供电网络,有望在2027~2028年开始生产,预计不会采用HighNAEUV光刻机。根据路线图,台积电1nm制程A10已在规划中。消息人士于2024年1月透露,台积电将更先进制程的1nm晶圆厂规划在嘉义科学园区,已派人前往目标地块勘测。这一选址离嘉义高铁站车程仅七分钟,往北串起台积电中科、竹科厂,往南串连南科厂及高雄厂,便于工程师通勤交流。NanoFlex创新纳米片晶体管台积电即将推出的N2制程工艺将采用NanoFlex创新纳米片晶体管技术,这是该公司在设计与技术协同优化方面的又一突破。NanoFlex为N2制程标准单元提供设计灵活性,其中短小晶体管单元可实现更小的面积和更高能效,而高单元则最大限度提高性能。客户能够在同一设计内优化小单元和大单元的组合,调整设计,以达到最佳功耗、性能和面积平衡。N4C制程技术台积电宣布推出N4C技术,是N4P的迭代,可降低8.5%的芯片成本,计划于2025年量产。该技术提供具有高效面积利用率的基础IP和设计规则,与广泛应用的N4P兼容,缩小芯片尺寸并提高良率,为客户提供高性价比选择。CoWoS、SoIC和系统级晶圆(TSMC-SoW)台积电表示,CoWoS先进封装已成为AI芯片的关键技术,被广泛采用,允许客户将更多的处理器内核与HBM高带宽存储堆叠封装在一起。与此同时,集成芯片系统(SoIC)已成为三维芯片堆叠的领先解决方案,客户正越来越多地将CoWoS与SoIC及其他组件搭配使用,以实现最终的系统级封装(SiP)集成。台积电宣布推出CoW-SoW封装技术(TSMC-SoW),基于台积电于2020年推出的InFO-SoW晶圆上系统集成技术迭代而成。通过晶圆级系统集成封装技术(SoW),可以在单片12英寸晶圆上制造大型芯片阵列,提供更强算力的同时,减少空间占用,并将每瓦性能提升多个数量级。此前特斯拉的DojoD1超级芯片,就利用台积电的此类工艺实现,利用单片晶圆实现强大算力。据悉,特斯拉自研的DojoD1超级芯片采用台积电7nm制程,并结合InFO-SoW先进封装、垂直供电结构制造而成,用于训练自动驾驶汽车AI大模型。参数方面,每个模组包含5×5总计25颗芯片,每个单芯片包含高达354个核心,因此片上SRAM换从总计达11GB,算力9050TFLOPS。台积电表示,首款SoW产品——基于集成扇出型封装(InFO)技术的纯逻辑晶圆已投入生产。利用CoWoS技术的CoW-SoW晶圆预计将于2027年问世,届时将可以集成SoIC、HBM和其他组件,创建强大的单晶圆级系统,其计算能力可以与整个机架甚至整个服务器相媲美。这类芯片将拥有巨大的面积,可以集成四个SoIC芯片+12个HBM存储芯片以及额外的I/O芯片,功率可达数千瓦。硅光子集成COUPE台积电正在开发紧凑型通用光子引擎(COUPE)技术,以支持人工智能热潮带来的数据传输爆发式增长。COUPE采用SoIC-X芯片堆叠技术,在硅光子芯片堆叠电子芯片,并保证两片芯片之间最低的传输阻抗,能效比传统堆叠方式更高。台积电计划在2025年将COUPE技术用于小尺寸插拔式设备,速度可达1.6Tbps,相比当前最先进的800G以太网成倍提升。2026年,台积电将其整合入CoWoS封装中,作为共同封装光学器件(CPO)直接将光学连接引入封装中,这样可以实现高达6.4Tbps的速度。第三个迭代版本有望进一步改进,速度翻倍至12.8Tbps。汽车芯片先进封装继2023年推出N3AE“AutoEarly”制程后,台积电将继续通过整合先进芯片和先进封装,满足汽车客户对更高算力的需求,以及车规级认证的要求。台积电正在为高级辅助驾驶系统(ADAS)、车辆控制和车载中央计算机等应用开发InFO-oS和CoWoS-R解决方案,目标是在2025年第四季度之前获得AEC-Q1002级认证。日前台积电法说会之后,大摩预计台积电Q2营收将环比增长5%~7%,并给出860元新台币的目标股价预测。小摩预测台积电今年毛利率维持在52%~54%区间,预计今年年底3nm产能将达到10万片规模,明年将增加到15万片,并给出900元新台币的目标股价。小摩同时预计,台积电在未来3~4年内,在AI芯片的市场占有率仍将维持在90%以上,到2027年AI相关收入占比将升至总营收的25%。台积电法说会、多场技术论坛过后,给市场释出稳健信号,包括花旗银行、美银证券、瑞银在内的金融机构,均对台积电给出全年营收增长的预测。在人工智能市场需求持续增长的带动下,以及美日芯片工厂新产能的释放,预计台积电未来几年将持续领衔全球半导体产业,并凭借技术实力保持AI芯片领域的龙头地位。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429780.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1429780.htm

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台积电或与英伟达博通合作 推进硅光子技术开发

台积电或与英伟达博通合作推进硅光子技术开发据相关媒体报道,台积电(TSMC)已经组织了一支大约由200名专家组成的专门研发团队,专注于如何将硅光子学应用到未来的芯片。传闻台积电打算与英伟达及博通(Broadcom)等厂商合作,共同推进硅光子技术的开发。其中涉及的元器件覆盖45nm到7nm制程技术,预计相关产品最早于2024年下半年获得订单,2025年将进入大批量生产阶段。由于数据传输速率的提升,功耗和热管理变得更加关键,业界提出的解决方案包括使用光电共封装(CPO)技术,将硅光子元件与专用集成芯片封装在一起。台积电相关负责人表示,如果能提供一个良好的硅光子整合系统,就能解决能源效率和AI算力两大关键问题,现在可能处于一个新时代的开端。不少科技巨头都在推动整合光学和硅技术,比如英特尔。英特尔实验室在2021年12月还成立了互连集成光子学研究中心,以推动数据中心集成光子学方面的研究和开发工作,为未来十年的计算互连铺平道路。在更早之前,英特尔还展示了集成关键光学技术构件模块的硅平台,包括了光的产生、放大、检测、调制、CMOS接口电路和封装集成。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1383373.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1383373.htm

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传台积电携手博通、英伟达等开发硅光子及共同封装光学元件

传台积电携手博通、英伟达等开发硅光子及共同封装光学元件面对人工智能(AI)掀起的海量数据(维权)传输需求,硅光子及共同封装光学元件(CPO)成为业界新趋势。对于相关传闻,台积电表示,不回应客户及产品状况。不过,台积电高度看好硅光子技术,台积电副总余振华日前曾公开表示,“如果能提供一个良好的硅光子整合系统,就能解决能源效率和AI运算能力两大关键问题。这会是一个新的典范转移。我们可能处于一个新时代的开端。”硅光子是日前刚刚落幕的“SEMICONTaiwan2023国际半导体设备展”中,业界热议的话题,台积电、日月光等半导体巨头都发表相关主题专讲,主因是AI应用遍地开花,如何让巨量数据传输速度更快、达到信号无延迟等问题浮上台面,传统以电作为信号传输的方式已不敷需求,硅光子是将电转换成传输速度更快的光,成为业界高度期盼用以提升巨量数据传输速度的新世代技术。台积电、英特尔、英伟达、博通等国际半导体指标业者都陆续展开硅光子及共同封装光学元件技术布局,最快2024年就可看到整体市场出现爆发性成长。业界传出,台积电正与博通、英伟达等大客户联手开发硅光子及共同封装光学元件等新产品,制程技术一路从45nm延伸到7nm,最快2024年就会有好消息,2025年迈入放量产出阶段,届时可望为台积电带来全新商机。业界人士透露,台积电已筹组约200名先遣研发部队,未来将可望将硅光子导入CPU、GPU等运算制程当中,由于内部原有以电子传输线路更改为传输速度更快的光,运算能力将会是现有运算处理器的数十倍起跳,目前仍在研发及论文学术阶段,业界高度看好相关技术有望成为台积电未来数年营运爆发性增长的新动力(维权)。业界分析,高速数据传输目前仍采用可插拔光学元件,随着传输速度快速进展并进入800G世代,及未来进入1.6T至3.2T等更高传输速率,功率损耗及散热管理问题将会是最大难题,半导体业界推出的解决方案,是将硅光子光学元件及交换器特殊应用芯片(ASIC),透过CPO封装技术整合为单一模块,此方案已开始获得微软、Meta等大厂认证并采用在新一代网络构架。即便CPO技术因为刚进入市场,生产成本仍偏高,随着先进制程推进至3nm,AI运算将推动高速传输需求,并进一步带动高速网络构架重整,预期CPO技术将是不容忽视且必要的技术,2025年之后将大量进入市场。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382971.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1382971.htm

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台积电据报考虑将先进封装技术引入日本

台积电据报考虑将先进封装技术引入日本台湾积体电路制造公司(台积电)据报考虑将先进封装技术引入日本。路透社星期一(3月18日)引述两名匿名知情人士报道上述消息,并指此举将有望提振日本半导体产业。其中一名知情人士透露,台积电正考虑将CoWoS(ChiponWaferonSubstrate)先进封装技术引入日本。知情人士称,由于目前仍处于早期商讨阶段,尚未就潜在投资规模或时间表做出决定。CoWoS先进封装技术是将逻辑晶片和记忆体晶片堆迭在一起,并提高两者间的数据传输速度,在节省空间和降低功耗的同时,还能提高晶片处理能力。目前台积电所有的CoWoS产能都在台湾。台积电拒绝对上述报道置评。台积电总裁魏哲家今年1月曾说,公司今年能将CoWoS先进封装技术的产能翻倍,然后在2025年进一步提升产能。将CoWoS先进封装技术引入日本,将扩增台积电在日本境内的业务,该公司日本熊本县第一座工厂已在上月揭幕,并正为在当地投资兴建第二座工厂进行评估。2024年3月18日10:37AM

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台积电证实将在台湾嘉义设先进封装厂台积电今天(3月18日)证实,将在嘉义科学园区设先进封装厂,以满足市场对半导体先进封装产能强劲需求。台湾行政院副院长郑文灿3月18日在嘉义县政府宣布,台积电将在嘉义科学园区设立两座(CoWoS)先进封装厂。首座CoWoS厂预计今年5月动工,2028年开始量产。台积电表示,为应市场对半导体先进封装产能强劲需求,台积电目前计划先进封装厂将进驻嘉义科学园区。台积电并未进一步说明建设时间等相关细节。——

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台积电南科嘉义园区新厂据悉开始采购设备,冲刺CoWoS先进封装英伟达、AMD等大厂AI芯片热销,先进封装产能供不应求,业界传出,台积电南科嘉义园区CoWoS新厂正进入环差审查阶段,即开始采购设备,希望能加快先进封装产能建置脚步,以满足客户需求。同时,南科嘉义园区原定要盖两座CoWoS新厂还不够用,台积电也传出正勘察三厂土地。针对上述消息,台积电昨日表示,不评论市场传闻。(界面)

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