中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证为EUV光刻胶开发做技术储备且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。上述具有自主知识产权的光刻胶体系在产线上完整了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425913.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425913.htm

恒坤股份：自主研发的 KrF、ArF 光刻胶已通过大厂验证并产业化 目前该类光刻胶国产化率不到 2%

恒坤股份：自主研发的KrF、ArF光刻胶已通过大厂验证并产业化目前该类光刻胶国产化率不到2%厦门市集成电路行业协会官微消息，厦门恒坤股份是国内主要芯片企业的材料供应商，占据12英寸晶圆制程用国产光刻胶主要市场份额，有效填补该领域的多项国内空白。据了解，厦门恒坤已建成海沧总部研发中心和三个生产基地，在12英寸晶圆制造前道制程应用上，自产光刻胶累计出货突破20000加仑，前驱体累计出货300吨，填补先进技术节点多项国内空白，有效解决了集成电路产业链“卡脖子”问题。据悉，厦门恒坤自主研发的KrF、ArF光刻胶已通过大厂验证并实现产业化，截至目前该类光刻胶国产化率不到2%。此外，厦门恒坤几十款光刻材料产品已批量供货给国内多家芯片制造龙头企业，并可就近配套省内的集成电路企业，助推福建省集成电路产业升级。

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶相关媒体在报道中表示，东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻胶，是为了满足阿斯麦这一类极紫外光刻机大量投产之后的需求。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，是他们在推出TWINSCANNXE:3400C、TWINSCANNXE:3600D等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200两个型号。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值孔径将由0.33增至0.55，用于2nm及以下的制程工艺，首台交由客户用于制程工艺研发的产品，计划在今年年底出货，用于大规模生产的，预计2025年开始在客户的工厂全面投入运营。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367465.htm

容大感光：公司 PCB 光刻胶约占全球市场 15% 左右的份额

容大感光：公司PCB光刻胶约占全球市场15%左右的份额容大感光在互动平台表示，公司主要产品为PCB光刻胶（液态），约占公司总营业收入的95%左右。PCB光刻胶（液态）市场主要呈现为中国大陆、日本、中国台湾地区三足鼎立的格局，目前尚无权威的第三方市场信息数据，我们仅能靠当前有限的信息进行推测，公司PCB光刻胶（液态）约占中国大陆市场25%左右、约占全球市场15%左右的份额。

南大光电：有两款ArF光刻胶进入批量验证阶段 部分原材料外购解决

南大光电：有两款ArF光刻胶进入批量验证阶段部分原材料外购解决南大光电称，面对激烈的市场竞争，公司充分发挥协同效应，利用高品质、好服务、低成本的优势，在巩固存量市场份额的同时，通过提高产品品质和渠道建设，加速全球IC客户的渗透和海外OLED市场的开拓，提升增量空间，努力保持三氟化氮业务的平稳增长。对于市场关注较高的ArF光刻胶进展，南大光电称，ArF光刻胶验证阶段主要分为PRS（光刻胶性能测试）、STR（小试）、MSTR（批量验证）及Release（通过验证）四个阶段。公司已有两款胶通过客户验证，多款胶正在验证过程中。验证中的ArF光刻胶因开始时间不一，验证进度也不同，其中有两款胶进入MSTR阶段。当前公司光刻胶事业部主要任务是尽快完成更多产品的验证，加强市场拓展，争取早日实现规模量产，形成业绩贡献。南大光电还表示，公司用于生产ArF光刻胶的核心原材料，由公司自主研发，对于国内具备供应能力的原材料，通过外购解决。不过，据行业人士透露，南大光电ArF光刻胶验证主要在国内存储大客户，短期来看出货量可以忽略不计。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382681.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1382681.htm

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“PowerVia”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm