俄罗斯完成制造首台 350 纳米制程的光刻机

俄罗斯完成制造首台350纳米制程的光刻机俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长VasilyShpak指出，该设备可支持生产最终到达350纳米工艺的芯片。Shpak告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。——

俄称自行开发光刻机将于2028年问世 可产出7纳米芯片

俄称自行开发光刻机将于2028年问世可产出7纳米芯片俄罗斯科学院发豪语2028年自行研发的光刻机将问世，可生产出7纳米芯片。据报道，国际制裁对俄罗斯断供后，造成俄国芯片短缺，加以美国、英国和欧盟也祭出多项制裁，几乎所有拥有先进晶圆制造商都停止与俄罗斯实体合作，ARM也无法将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329993.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329993.htm

中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。——

ASML部分先进DUV光刻机出口受限：对准精度不高于2.5nm

ASML部分先进DUV光刻机出口受限：对准精度不高于2.5nm同时公司还表示“新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，先进程度相对较低的浸润式光刻系统已能很好满足成熟制程为主的客户的需求。”据中国经营报，荷兰方面的动议未提及会对服务采取限制措施的表述，换言之，业内人士相信，已完成进口的DUV设备大都还处在关键部件的设计寿命以内，只要正常维护保养就暂无影响。一般，DUV设备6个月进行一次维护以替换或维修老化和损耗部件。另外，按照目前业界理解，不受出口限制的DUV将停留在对准精度2.5纳米的水平。ASML已经出货的DUV光刻机中对准精度最高的是1.5nm的NXT:2050i。所谓“对准精度”是指，光刻机在进行芯片加工时，在对准芯片和掩模图案时能够达到的精度。对准精度一般以纳米衡量，纳米数值越小，产品越先进。至于所谓浸没式光刻机（浸润式光刻机），属于193nm（光源）光刻机（分为干式和浸没式），可以被用于16nm至7nm先进制程芯片的制造，但是目前也有被业界广泛应用在45nm及以下的成熟制程当中。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1350131.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1350131.htm

俄罗斯首台光刻机 真的制造成功了？

俄罗斯首台光刻机真的制造成功了？当时，IPFRAS计划在六年内打造出俄罗斯自产7nm光刻机的工业样机，2024年将创建一台“Alpha机器”，2026创建"测试机"，2026年～2028年俄罗斯本土光刻机将获得更强大的辐射源，改进的定位和进给系统，并将开始全面的工作，2028年，这些设备全面运行。时隔两年，俄罗斯所说的真的实现了——首台光刻机正式制造成功并进入测试。有实际意义的突破据塔斯社报道，俄罗斯第一台能够生产最大350nm（行业一般说0.35μm）尺寸芯片的光刻机已经创建并正在测试中。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（VasilyShpak）在CIPR期间向塔斯社报告了这一点。他表示，“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。去年10月有报道称，第一台俄罗斯国产130nm光刻机原型可能在2026年之前问世。再下一步，将是开发90nm光刻机。他说："我们将继续逐步向90nm及以下迈进。因此，俄罗斯不会止步于此，同时已经在实施一项全面的电子工程项目。尽管350nm的芯片虽然被认为是大尺寸芯片，但仍具备一定实际的意义，可用于许多行业，包括汽车行业、能源和电信行业。欧盟此前在俄罗斯武器上发现大量民用芯片，包括洗衣机，洗碗机等家电用具，这也是无奈之举。而接下来，或许俄罗斯可以进而实现“洗衣机芯片”自由。网友也给出了俄罗斯未来的路线：优化一下，就能180nm，看产出，每小时出几片，套准精度3-sigma多少纳米。加上doublepattern，其他指标ok，就能90nm，65nm也有机会了。光源改进一下，i-line换ArF193纳米，不就进28nm了吗？不过，目前还不太清楚俄罗斯所说的350nm（0.35μm）光刻机是哪种类型光刻机，此前俄媒曾提到过基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机，而从目前来看350nm（0.35μm）的波段达到i线（365nm）。各个工艺节点和光刻技术的关，图源丨中泰证券350nm芯片，什么水平历史上，350nm（0.35μm）诞生于1995年，现在依然拥有产品应用，主要是一些不太刚需制程的特色工艺产品，比如模拟芯片、功率半导体、传感器或者低端MCU、军工产品。除此之外，其应用可能还包括各类FPV和“自杀小摩托”这些属于一次性用品，使用时间比较短。作为对比，半导体制程工艺发展史简单总结如下：1971年，10μm工艺是当时最高工艺，代表芯片是Intel1103DRAM、4004CPU（1971）、8008CPU（1972）;1974年，步入6μm工艺，大名鼎鼎的Intel8080便采用这一制程；1977年，3μm工艺开启元年，从此x86处理器Intel8086（含8085、8088）正式诞生；1982年1.5μm工艺用在Intel80286上，1985年1μm工艺用在Intel80386上，1989年，0.8μm工艺用在Intel80486上；1995年，0.35μm（也就是350nm）工艺开启元年，PentiumP54CS、IBMP2SC（1996）、IBMPOWER3（1998）都采用了这一工艺；1997年，主节点为0.25μm工艺，开始引入国际半导体技术路线图（ITRS）主节点和半节点定义，即：1998年半节点220nm工艺，1999年主节点0.18μm工艺（180nm），2000年半节点150nm工艺；2001年，130nm是当时的主节点，典型芯片是130nm的奔腾3处理器，2002年半节点为110nm工艺；2004年，步入90nm元年，英特尔、英飞凌、德州仪器、IBM、联电和台积电基本都能达到90nm，典型芯片包括90nm的奔腾4处理器；2012年，制程步入22nm阶段，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等厂商都具备生产能力；2015年联电止步于14nm，2017年英特尔卡在了10nm，2018年格芯放弃7nm，此时先进制程的战场只剩下台积电和三星；2019年6nm量产导入，2020工艺5nm开始量产，而国内也开始量产14nm芯片；2024年，随着英特尔开始重新重视制程技术，英特尔、台积电、三星正在争夺2nm的先发地位。当然，毕竟350nm（0.35μm）芯片性能较差，面对现代比较复杂的应用需求，使用过程中芯片热量会急剧增加，从而继续带来更大的性能损耗，因此在数字芯片中更多可能是将就用，比较追求性能的消费产品可能更是无法使用。难点还有很多当然，芯片制造也不是说有了光刻机就行了。《光刻技术六十年》中写道，在芯片制造的全流程中，整个过程涉及几十道光刻工艺，每一道光刻工艺之后紧接着是众多复杂的半导体IC平面加工工艺。这些工艺中的每一道又细分成多道工序，而每一道工序又由多个步骤组成，每一步骤都至关重要，不容有失。这有多难？就比如，看似最简单的基片表面处理和清洗步骤，也需要重复多次，其中一步出了问题，整个IC制造过程就全部报废。因此，每一步骤出问题的可能性被严格控制在0.000001%以下。由于每一步骤都是在前一步的基础上进行的，最终成品率是每一步成功率的乘积。若整个流程包含超过两千个步骤，即使每一步都能达到99%的成功率，最终生产出来的成品率也只有0。因此在芯片制造技术中，好的设备很关键，尤其是需要高精度的光刻机，但有了好的工艺设备后，人才是最关键的。在芯片制造技术中，最难的在于如何建立一个能够齐心协力的团队，这需要整个公司上上下下所有人都是最敬业的。世界上没有任何一个人为制造出来的东西，可以像芯片这样要求百分之百精准度。3月，Tomshardware就曾报道，受欧美制裁影响，俄罗斯本土最大芯片设计厂商贝加尔电子芯片制造只能更多的交由国内厂商，当地的芯片封装合作厂商的生产良率仅有50%。注意，这里并非生产良率，而是封装良率。如果晶圆制造厂、Foundry厂和封测厂三个站点的良率均为99%，则：总良率=99%X99%X99%=97%。所以，50%的封装良率切实影响着俄罗斯的芯片生产，因此，俄罗斯要突破的还有很多。最后还是要说，不要轻易取笑，毕竟有志者事竟成。而从从技术角度来看，俄罗斯也是在重新发明轮子。付斌丨作者...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432431.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432431.htm

阿斯麦与 SK 海力士拟合作开发 EUV 光刻机氢气回收技术

阿斯麦与SK海力士拟合作开发EUV光刻机氢气回收技术韩国产业通商资源部12月13日表示，总部位于荷兰的阿斯麦公司（ASML）计划扩大与韩国芯片制造商的业务合作。除ASML计划与三星电子共同投资1万亿韩元（约合7.04亿欧元）在韩国建芯片研究中心外，ASML还与韩国第二大芯片制造商SK海力士签署谅解备忘录，以开发回收极紫外（EUV）光刻机中使用的氢气的技术，以降低极紫外线光刻机能耗。