ASML否认特供版DUV：没有面向中国市场推出特别版光刻机

ASML否认特供版DUV：没有面向中国市场推出特别版光刻机1980Di是ASML现有效率比较低的光刻机，支持NA1.35光学器件、分辨率可以达到<38nm，理论上可以支持7nm工艺。大多数晶圆厂使用1980Di光刻机，主要生产14nm及以上工艺芯片，很少使用其生产7nm芯片。最近荷兰发布新规定，企业出口先进设备需要申请许可，9月1日后生效。ASML表示，根据新出口管制条例规定，该公司需要向荷兰政府申请出口许可证才能发运最先进的浸润式DUV系统（即TWINSCANNXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统）。荷兰政府将决定是否授予或拒发出口许可证，并将向ASML提供许可证所附条件的细节。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1369385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1369385.htm

DUV光刻机遭进一步限制 中国仍有破局之路

DUV光刻机遭进一步限制中国仍有破局之路例如台积电的16nm和12nm工艺技术，最小金属间距为64nm，台积电的7nm工艺技术最小金属间距为40nm。台积电的5nm工艺技术最小金属间距为28nm，出口禁令应基于这些参数制定适用标准。Patel还认为，通过SAQP等工艺和浸没式DUV光刻机，中芯国际已经实现了7nm工艺技术，而且这并不是经济上可实现的极限，台积电N5工艺使用的28nm最小金属间距可以在没有EUV的情况下制造。使用ArFi光刻的SAQP理论上也可以实现。如果目标是阻止中国实现5nm制程技术，那么ArFi的出货就必须被阻止，ASML和Nikon可以制造该类机台。如果目标是阻止中国实现7nm工艺技术的大批量生产，那么就必须阻止所有能够实现最小金属间距40nm的光刻工具，这就必须涉及到限制干式ArF光刻机。如果目标是阻止中国扩大其14纳米工艺技术大规模量产，那么必须阻止所有可以实现节点上最小金属间距64纳米的工具，理论上，连KrF光刻机业需要纳入限制，SAQP搭配KrF光刻机，尽管经济效益已经不是最优的，但足以应对紧急的国内需求，根据Patel推算，不考虑经济成本，仅凭现有的DUV工具，中芯国际理论上就可以实现每月超过100000片晶圆的7nm代工产能。这高于三星和英特尔先进节点（<=7nm）代工产能的总和。如果华虹、华力、长江存储、长鑫存储等本土企业的所有存量DUV设备都被中芯国际调用，那么他们所能建设的7nm产能将甚至远超台积电。此外，Patel还认为光刻胶和光刻机关键零部件目前并无出口限制，这也是一个重大的漏洞，如果目标是遏制中国在前沿节点上的能力，也必须阻止这些工具的流通，关键供应商很容易被上海微电子等本土光刻机厂商所触及。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1341839.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1341839.htm

ASML将推中国特供版DUV光刻机？完全没必要

ASML将推中国特供版DUV光刻机？完全没必要7月6消息，据DigiTimes报道，荷兰光刻机大厂ASML正在考虑发布其深紫外光刻(DUV)设备的特殊版本，以便使得该设备符合美国及荷兰最新的出口规则，并且无需许可证即可运送给中国客户。报道称，该特别版DUV光刻机基于TwinscanNXT:1980Di光刻系统改造，而NXT: 1980Di是10年前推出的旧型号，不在限制范围内。PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1369569.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1369569.htm

中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。——

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm

先进工艺过剩 台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电

先进工艺过剩台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，只有ASML公司才能生产，单台售价约10亿人民币，之前三星、台积电等公司还要抢着买，然而今年半导体形势已经变了，EUV光刻机反而因为耗电太多，台积电计划关闭省电。来自产业链的消息人士手机晶片达人的消息称，由于先进制程产能利用率开始下滑，而且评估之后下滑时间会持续一段周期，台积电计划从年底开始，将部分EUV设备关机，以节省EUV设备巨大的耗电支出。据了解台积电目前拥有大约80台EUV光刻机，主要用于7nm、5nm及以下的先进工艺，今年9月份还会量产3nm工艺，都需要EUV光刻机，然而随着PC、手机、显卡等产品的需求下滑，先进工艺生产的芯片势必会受到影响。苹果今年的iPhone14Pro系列的A16处理器也没有急着上3nm工艺，还在用4nm工艺，此外苹果还因为3nm能效问题，取消了初代3nm生产芯片的计划。相比之前的DUV光刻机，EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，早期效率只有0.02%，现在量产的说是可以达到2%效率，但也意味着绝大多数电力都要消耗掉。EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度，是十足的电老虎。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1311049.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1311049.htm