美国将阻止台积电和英特尔在中国增建先进芯片生产工厂

美国将阻止台积电和英特尔在中国增建先进芯片生产工厂美国国会通过了一项历史性的520亿美元的联邦计划，以提高国内的芯片制造能力，其中包括一个重要的注意事项：获得资金的公司必须承诺不在中国增加先进芯片的生产。这个条件肯定会加剧华盛顿和北京之间不断升级的紧张关系。这些限制将打击英特尔公司和台湾半导体制造有限公司等公司，这些领先的芯片制造商一直试图在中国建立他们的业务。台积电将无法大幅升级或扩大其现有设施，实际上失去了在世界最大半导体市场的一些增长机会。具体而言，《芯片和科学法案》禁止获得联邦资助的公司在10年内实质性地扩大在中国--或像俄罗斯这样的相关国家--生产比28纳米更先进的芯片。虽然28纳米的芯片比现在最先进的半导体晚了好几代，但它们仍然被广泛用于包括汽车和智能手机在内的各种产品。该禁令涵盖了逻辑和存储芯片。——

台积电据报考虑在日本建第三工厂生产三纳米芯片

台积电据报考虑在日本建第三工厂生产三纳米芯片知情人士透露，台湾半导体巨头台积电考虑在日本建设第三座芯片工厂，生产先进三纳米芯片。这可能使日本成为一个重要的全球芯片制造中心。彭博社引述知情人士说，台积电已经告知供应链合作伙伴，其考虑在日本南部的熊本县建设第三个工厂，项目代号台积电Fab-23三期。台积电目前正在日本建设第一个工厂，生产性能较低的芯片。据此前报道，台积电还计划建设第二座芯片工厂。目前尚不清楚何时开建第三工厂。三纳米芯片制程是目前商用的最先进芯片制造技术，不过等到新工厂量产时，三纳米可能会落后届时最新技术一至两个世代。台积电在电邮声明中说，该公司进行必要投资以满足客户需求。“在日本，我们目前专注于评估建设第二工厂的可能性，没有其他信息可以提供。”2023年11月21日1:33PM

台积电确认将在其亚利桑那州工厂生产3纳米芯片

台积电确认将在其亚利桑那州工厂生产3纳米芯片在台北的一次新闻发布会上，张忠谋说："有关3纳米，台积电现在有一个计划，但还没有完全敲定，"路透社报道。"在亚利桑那州的同一地点，它几乎已经被敲定，共分为两个阶段。5纳米是第一阶段，3纳米是第二阶段。"在其网站上，台积电称其3纳米技术即N3将比其5纳米技术有整整一个节点的进步，与前代技术相比，逻辑密度提高70%，相同功率下速度提高15%，相同速度下功率降低30%，目标是在今年下半年实现批量生产的技术准备。作为世界上最大的芯片代工厂，台积电制造了几乎一半的世界最先进的芯片，但随着世界范围内的芯片短缺阻碍了电子产品的生产，这也让人质疑供应链的依赖性。台积电在亚利桑那州的工厂，以及据说在规划阶段的第二家工厂，是拜登政府支持美国芯片制造战略的一部分。台积电还在日本建厂，并正在与德国政府商谈在该国再建一座工厂。其他从事3纳米芯片的代工厂包括三星电子，该公司于6月开始生产3纳米芯片，领先于台积电。这家韩国科技巨头正在其的半导体工厂生产3纳米芯片。三星去年表示，它将在2030年前对其逻辑芯片和代工业务投资171万亿韩元（1320亿美元），而且它还在德克萨斯州建造一座半导体工厂。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1333411.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1333411.htm

日本芯片公司Rapidus计划携手IBM 在2025年前生产2纳米制程的原型产品

日本芯片公司Rapidus计划携手IBM在2025年前生产2纳米制程的原型产品如果成功，该路线图将使该公司紧随行业巨头台湾半导体制造公司（TSMC）之后，后者也希望在2025年进入2纳米的大规模生产。Rapidus和IBM在12月宣布合作，进一步开发和制造IBM在2021年首次公布的2纳米半导体制程。该工艺通过将超过500亿个晶体管装入指甲大小的芯片，这比7纳米节点的性能提升45%。它还可以提供与7纳米相同的性能的同时减少75%的能耗。IBM这家美国科技巨头现在并不自己生产芯片，通常它将其设计授权给合作伙伴。Koike说，日本公司的长期目标是在2020年代末的某个时候实现2纳米的大规模生产，这项努力是日本和美国私营公司合作的一部分，日本政府的经济产业部提供了部分资金。集团希望在2025至2027财年之间建立日本第一批2纳米制造设施，最初的一波半导体可能会用于量子计算机、数据中心、旗舰智能手机，以及可能的军事应用。旗舰智能手机也是台积电N33纳米节点的主要着眼点，该节点在去年年底前全面投入生产。该公司早期N3应用的主要客户是苹果公司，它将把这些芯片用于其计划在今年晚些时候推出的iPhone15。同时，英特尔希望在2024年首次推出其20Ångström（20A），基本上可以被看成重新命名的2纳米工艺以赶上台积电，即将推出的节点的第一批客户将是亚马逊和骁龙芯片制造商高通。排在台积电之后的第二大厂商三星于6月开始制造3纳米芯片，并计划在2024年进行改进设计。与台湾的竞争对手一样，该公司希望在2025年开始2纳米的大规模生产。10月，三星披露了一份路线图，计划到2027年达到1.4纳米的级别。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1341151.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1341151.htm

台积电首度揭示两纳米制程 2025年量产

台积电首度揭示两纳米制程2025年量产全球芯片制造商巨头台积电今天首次推出采用纳米片电晶体的下一世代先进两纳米制程技术，成为全球第一家率先提供两纳米制程代工服务的晶圆厂，预计2025年开始量产。综合台湾《联合报》《自由时报》报道，台积电北美技术论坛今天于美国加州圣克拉拉市恢复举办实体论坛，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。台积电此次在论坛上首度宣布两纳米（N2）技术进展明确时程，指出N2技术自N3大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快10％至15％；在相同速度下，功耗也降低25％至30％，开启了高效效能的新纪元。台积电称，N2将采用纳米片电晶体架构，使效能及功耗效率提升一个世代，协助台积客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本，N2技术平台也涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。台积电总裁魏哲家称，半导体业身处快速变动、高速成长的数字世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快，为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。在此令人兴奋的转型与成长之际，台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显公司的技术领先地位，也代表公司支持客户的承诺。台积电技术论坛主要的技术焦点还包括支援三纳米（N3）及N3E的TSMCFINFLEX技术，公司称，领先业界的N3技术预计于2022年下半年进入量产，并将搭配创新的TSMCFINFLEX架构，提供晶片设计人员更多灵活性。台积电称，TSMCFINFLEX技术提供多样化的标准元件选择，鳍结构支援超高效能，也支援最佳功耗效率与电晶体密度，能精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支援所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的晶片上。...发布：2022年6月17日3:41PM

台积电2纳米芯片或2025年量产

台积电2纳米芯片或2025年量产台湾芯片代工厂台积电2纳米制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星（Samsung）及英特尔（Intel）。综合中央社和台湾经济日报报道，台积电先进制程进展顺利，3纳米在今年下半年量产，升级版3纳米（N3E）制程将于3纳米量产1年后量产，即2023年量产，2纳米预计于2025年量产。台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备（high-NAEUV），为客户发展相关的基础设施与构架解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则说，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。台积电2纳米厂将座落于竹科宝山二期扩建计划用地中，台湾竹科管理局已展开公共设施建设，台积电2纳米厂也开始进行整地作业。台积电2纳米首度采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功率下，速度提升10%至15%，在相同速度下，功耗降低25%至30%。台积电总裁魏哲家此前在台湾技术论坛中强调，台积电2纳米将会是密度最小、效能最好的技术。市场也看好，台积电2纳米进度将领先对手三星及英特尔。发布：2022年9月13日9:12AM