英伟达预告2026年推出下一代Rubin GPU架构，包括HBM4显存和Vera CPU

英伟达预告2026年推出下一代RubinGPU架构，包括HBM4显存和VeraCPU在2024年台北电脑展上，英伟达CEO黄仁勋宣布了下一代RubinGPU架构的预告，计划于2026年推出。英伟达致力于数据中心规模的GPU发展，遵循一年一更新的节奏，并使用统一架构覆盖整个产品线。2024年，Blackwell芯片已开始生产；2025年，将推出BlackwellUltra产品；2026年，推出Rubin产品；2027年，推出RubinUltra产品。RubinGPU架构的主要特点包括8SHBM4显存、VeraCPU、NVLink6Switch（速率达3600Gbps，是NVLink5的两倍）以及CX9SuperNIC和X1600IB/EthernetSwitch。RubinUltraGPU预计将在2027年推出，配备12SHBM4显存。黄仁勋确认所有预告产品都在积极开发中，展示了英伟达在高性能计算和网络技术方面的持续创新和发展。关注频道@ZaiHuaPd频道爆料@ZaiHuabot

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备

SKhynix宣布2026年量产HBM4为下一代AIGPU做准备随着人工智能在市场上的应用迅速增加，我们在迈向未来的过程中需要更强的计算能力，值得注意的是，HBM在人工智能计算如何定位自己的现代生活中发挥了至关重要的作用，因为它是制造人工智能加速器的关键部件。SKhynix副总裁KimChun-hwan在2024年韩国半导体展（SEMICONKorea2024）上发表主题演讲时透露，该公司打算在2026年之前开始量产HBM4，并声称这将推动人工智能市场的巨大增长。他认为，除了早日实现下一代产品过渡之外，重要的是要认识到HBM行业面临着巨大的需求；因此，创造一种既能无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。Kim认为，到2025年，HBM市场预计将增长高达40%，并已提前定位，以充分利用这一市场。关于对HBM4的期待，Trendforce分享的路线图预计，首批HBM4样品的每个堆栈容量将高达36GB，而完整规格预计将在2024-2025年下半年左右由JEDEC发布。首批客户样品和可用性预计将于2026年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存人工智能解决方案的实际应用还有很长的时间。目前还不确定哪种类型的人工智能产品将采用新工艺，因此我们暂时无法做出任何预测。随着SKhynix的加入，HBM市场的竞争似乎会变得更加激烈，哪家公司会崛起并登上王者宝座，让我们拭目以待。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415875.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415875.htm

英伟达首次宣布下一代 GPU 架构 “Rubin”

英伟达首次宣布下一代GPU架构“Rubin”6月2日晚间，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）开幕前发表主题演讲。黄仁勋分享了新半导体技术路线图，该路线图将每年更新。他首次宣布了Rubin平台，它将配备新GPU、基于Arm的新CPU—Vera，以及采用NVLink6、CX9SuperNIC和X1600、并融合InfiniBand/以太网交换机的高级网络平台。Rubin将作为Blackwell的下一代平台。黄仁勋透露，将于2026推出的Rubin平台采用HBM4高带宽内存产品。

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。”SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新的第四代HBM3芯片。2023年4月，SK开发出全球首款12层HBM3DRAM产品，内存容量为24千兆字节(GB)，为业内最大。2023年8月，该公司推出了业界性能最佳的第五代HBMDRAMHBM3E，用于AI应用，并向其客户NVIDIACorp.提供了样品以进行性能评估。今年3月，SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。大容量NAND受到业界关注SK海力士副总裁兼HBM工艺集成（PI）负责人KwonUn-oh表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人SonHo-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官KwakNoh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁OhHae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心(RTC)副总裁YiJae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器(SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和相变存储器(PCM)芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIACorp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433025.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433025.htm