内存、闪存全面涨价!1TB、12/16GB大内存手机且买且珍惜

内存、闪存全面涨价!1TB、12/16GB大内存手机且买且珍惜10月15日消息,TrendForce发布新的报告,自2024年第四季度起,DRAM和NAND闪存均价开始全面上涨。其中DRAM预计按季度上涨3~8%,涨势是否能够延续还要看供应商是否坚持减产策略,以及市场的回暖程度,重点在于通用型服务器领域。报告中还指出,随着三星、SK海力士等存储大厂持续减产,10月前后DRAM、NAND原厂芯片价格出现小幅上升。目前合约价已陆续落底,库存跌价损失将获得改善,去库存化成效的显现有望使营业利益率转亏为盈。在这之前,有供应链上下游龙头公司透露,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点,国内有存储器下游龙头企业,NAND闪存芯片采购成本上涨近20%,DRAM内存芯片采购成本上涨约30%。预计从今年第四季度开始,存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端,笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。来源:https://www.eet-china.com/mp/a258373.html投稿:@ZaiHuaBot频道:@TestFlightCN

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NAND 闪存现货价格持续上涨 DRAM 定价趋势不稳定

NAND闪存现货价格持续上涨DRAM定价趋势不稳定业内消息人士称,NAND闪存现货价格持续上涨,而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声,11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产,上游NAND供应依然紧张,存储模组厂商无法在价格进一步上涨之前建立足够的库存。渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨,进一步推动芯片供应商实现收支平衡。

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三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来,三星一直奉行减产战略,1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量,眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹,而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是,三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20%。三星电子预计,从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外,原厂近期已通知下游厂商,Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同,但涨幅几乎都在双位数水平,其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成,DRAM则约涨一成。10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业苦熬两年,黑暗将过,2024年下半年更可能出现短缺。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价,陈立白估计,DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%,三星甚至计划调涨20%,仍待观察成交价。从行业供给端来看,中信证券预计,2023年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高,看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上,分析师预计下半年随着库存去化,需求逐步回归,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇,建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm

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涨价前兆 PC、手机DRAM内存将出现供应短缺

涨价前兆PC、手机DRAM内存将出现供应短缺与HBMDRAM相比,通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片,这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来,通用型DRAM的产能仅提升了大约10%,而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减,也未能显著推动DRAM需求的复苏。与此同时,企业级固态硬盘(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增,导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。铠侠也在市场条件改善后结束了减产,NAND产能利用率恢复至100%。尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度,但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商,如三星和苹果,正在积极探索AI技术在各自产品中的应用,以期带动市场需求。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436147.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1436147.htm

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NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示,同DRAM相比,NAND闪存需求复苏缓慢,包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商,也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加,DRAM的利润状况有改善,但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到,三星电子和SK海力士这两大厂商,正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存,以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看,在二季度的财报分析师电话会议上,三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量;SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到,三星电子和SK海力士半导体产品的库存,在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存,在上半年结束时已增至33.69万亿韩元,高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元,较去年年底也增加了5%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

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存储芯片行业已达拐点 行业人士:明年厂商料继续压制产量 有望提振价格

存储芯片行业已达拐点行业人士:明年厂商料继续压制产量有望提振价格“SK海力士在季度报告中表示,动态随机存储器(DRAM)部门在今年前两个季度出现亏损后,第三季度恢复了盈利。”这两家韩国公司是全球最大的两家DRAM芯片制造商,美国的美光公司位列第三。DRAM这种内存芯片主要用于笔记本电脑和智能手机等消费设备中。道尔顿投资公司(DaltonInvestments)的高级研究分析师JamesLim对此表示,“内存芯片价格回升的一大推动力是全行业的供应减少,从而导致库存下降。”Lim还指出,“个人电脑和移动客户的库存似乎已经大幅下降,极低的内存价格往往会促使下游企业补充库存、或者为每台设备增加内存容量。”市场复苏疫情结束以来,芯片制造商一直在通过减产来减少过剩的库存,也压低了内存芯片的价格。三星在上周的报告中表示,“随着全行业减产,越来越多的人意识到行业已经触底,我们收到了许多采购意向。”金融服务公司晨星(Morningstar)的研究主管KazunoriIto表示,“财报电话会议证实,存储行业已经如预期的那样触底反弹。”Ito在一份报告中指出,“三星的DRAM平均销售价格已上涨了个位数,这是三星八个季度以来首次涨价,而SK海力士的平均销售价格上涨了10%。”晨星公司补充道,三星的股票“被低估了”,SK海力士的股票则“比我们的公允价值估计高出18%-20%”,并且晨星公司预计其他芯片制造商也前景强劲。此前,全球最大的代工芯片制造商台积电的业绩超出了分析师的预期,并预测芯片行业最糟糕的时期可能很快就会过去。总部位于美国的高通公司也对当前季度给出了强劲的预测,指出芯片市场将复苏。继续维持产能晨星公司的Ito也补充道,“尽管库存水平在2023年年中见顶,但目前仍处于高位,尤其是NAND闪存芯片。”NAND是另一种重要的存储芯片,通常与个人电脑、服务器和智能手机中的DRAM一起使用。他认为,“内存供应商预计将继续维持较低的产能利用率,并对明年增加产能持谨慎态度,由于供应仍有限,这应有利于内存价格。"TrendForce公司则表示,预计内存供应商将继续“在2024年缩减DRAM和NAND闪存的产量”。同时,该公司还预测,到2024年,DRAM和NAND闪存的需求将分别增长13%和16%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395121.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1395121.htm

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三星、美光闪存先后大涨价 幅度达35%客户也接受

三星、美光闪存先后大涨价幅度达35%客户也接受摩根士丹利在最新报告中指出,由于NAND价格已触底,闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强,部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。今年8月初,业内就传出消息称,三星已通知客户,打算将512GbNANDFlash晶圆的报价提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。有两大厂商私下对此予以证实,并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位,未来不会再出现了”。随后在8月17日,Digitime爆料称,国内的NANDFlash模组厂近日已暂停报价及接单,将配合原厂(三星)报价调高8~10%。此举将有望拉动NANDFlash价格逐步回升到制造成本线。9月3日,市场研究机构TrendForce发布报告指出,近期NANDFlash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。近日,日系外资也发布报告称,DRAM受AI服务器需求带动,库存水平下滑而价格上涨,NAND Flash价格已经低于供应商现金成本,未来价格下降幅度有限,预计7-9月维持稳定,10-12月份开始回升。存储芯片市场的企稳,主要是得益于铠侠、美光、SK海力士、三星等头部存储厂商的积极减产。有业内人士爆料称,三星已制定生产计划,目标年底NANDFlash库存正常化(6-8周水平)。今年年初,三星NANDFlash库存周转天数超过20周,最高一度飙升至28周,但最近已降至了18周。TrendForce的报告显示,三星最初的减产幅度为25%,第四季减产可能扩大到35%。随着这些头部厂商的持续扩大减产,这也自然将加速存储市场的触底反弹。至于模组厂,由于NANDFlash晶圆涨价已带来成本提升压力,模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向,主要体现在SSD产品方面,金士顿(Kingston)、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易,不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。另外,据台媒8月31日消息,近1个月来,NANDFlash现货价格持续小幅调升,单月涨幅约达5%,逐渐靠拢合约价。不过也有机构提醒,由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现,是否有实际终端订单支撑仍待观察。近期,康佳集团旗下存储企业——康盈半导体创始人兼CEO冯若昊在接受芯智讯采访时也表示,近期上游NANDFlash原厂确实在涨价,涨幅大概在10%左右,但是对于模组厂来说,想配合,但是客户端并不一定会接受,所以客户都还是在观望。但是随着上游原厂持续减产,以及一些需求的缓慢恢复,四季度随着供应持续减少,客户库存消耗加速,会达到供需平衡或者供应偏紧张的情况,从而带动整体市场对于涨价的接受。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382529.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1382529.htm

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