存储芯片概念震荡走高 兆易创新涨超 8%

存储芯片概念震荡走高兆易创新涨超8%兆易创新涨超8%，力源信息涨超5%，通富微电、北京君正、江丰电子、紫光国微、江波龙等跟涨。消息面上，2023年第四季NANDFlash产业营收达114.9亿美元，环比增长24.5%。今年第一季，在供应链库存水位已大幅改善、价格仍处于上涨的态势下，客户为避免供货短缺及成本垫高的风险，持续增加采购订单，预估NANDFlash产业营收仍会季增两成。

存储芯片价格持续调涨，有望对利基存储器带来需求

存储芯片价格持续调涨，有望对利基存储器带来需求韩国两大存储芯片巨头股价双双走强：三星电子上涨0.62%，本月以来累计涨逾10%；SK海力士上涨5.33%，距离历史新高仅一步之遥。消息面上，三星电子将在今年三季度将服务器用DRAM和企业用NAND闪存价格上调15%至20%。此前，三星电子已在二季度将企业级NAND闪存的价格上调20%以上。随着人工智能的需求激增和对内存竞争的加剧，存储芯片行业业绩有望持续提升。国金证券认为，随着主流存储持续涨价，厂商库存持续消化，资金回笼后重点投向DDR5及HBM等未来需求强劲的领域，将加快退出利基存储市场。需求方面，今年一季度以来，非手机类消费电子特别是家电、耳机、IOT、电子烟等终端需求较快复苏，有望对利基存储器带来需求。（上证报）

华为最新手机采用中国长江存储的存储芯片

华为最新手机采用中国长江存储的存储芯片华为最新的旗舰智能手机已转向国内供应商提供主要组件，这是朝着打造完全中国制造的设备迈出的又一步。TechInsights拆解显示，Pura70系列搭载华为自研的麒麟9010芯片，使用长江存储技术有限公司的NAND存储。Pura手机并非完全没有外国制造的技术：TechInsights发现内部的DRAM是由三星电子制造的。拆解显示，这是一年前首次出现在三星GalaxyS23+智能手机中的一代内存。——、

存储芯片行业已达拐点 行业人士：明年厂商料继续压制产量 有望提振价格

存储芯片行业已达拐点行业人士：明年厂商料继续压制产量有望提振价格“SK海力士在季度报告中表示，动态随机存储器（DRAM）部门在今年前两个季度出现亏损后，第三季度恢复了盈利。”这两家韩国公司是全球最大的两家DRAM芯片制造商，美国的美光公司位列第三。DRAM这种内存芯片主要用于笔记本电脑和智能手机等消费设备中。道尔顿投资公司（DaltonInvestments）的高级研究分析师JamesLim对此表示，“内存芯片价格回升的一大推动力是全行业的供应减少，从而导致库存下降。”Lim还指出，“个人电脑和移动客户的库存似乎已经大幅下降，极低的内存价格往往会促使下游企业补充库存、或者为每台设备增加内存容量。”市场复苏疫情结束以来，芯片制造商一直在通过减产来减少过剩的库存，也压低了内存芯片的价格。三星在上周的报告中表示，“随着全行业减产，越来越多的人意识到行业已经触底，我们收到了许多采购意向。”金融服务公司晨星（Morningstar）的研究主管KazunoriIto表示，“财报电话会议证实，存储行业已经如预期的那样触底反弹。”Ito在一份报告中指出，“三星的DRAM平均销售价格已上涨了个位数，这是三星八个季度以来首次涨价，而SK海力士的平均销售价格上涨了10%。”晨星公司补充道，三星的股票“被低估了”，SK海力士的股票则“比我们的公允价值估计高出18%-20%”，并且晨星公司预计其他芯片制造商也前景强劲。此前，全球最大的代工芯片制造商台积电的业绩超出了分析师的预期，并预测芯片行业最糟糕的时期可能很快就会过去。总部位于美国的高通公司也对当前季度给出了强劲的预测，指出芯片市场将复苏。继续维持产能晨星公司的Ito也补充道，“尽管库存水平在2023年年中见顶，但目前仍处于高位，尤其是NAND闪存芯片。”NAND是另一种重要的存储芯片，通常与个人电脑、服务器和智能手机中的DRAM一起使用。他认为，“内存供应商预计将继续维持较低的产能利用率，并对明年增加产能持谨慎态度，由于供应仍有限，这应有利于内存价格。"TrendForce公司则表示，预计内存供应商将继续“在2024年缩减DRAM和NAND闪存的产量”。同时，该公司还预测，到2024年，DRAM和NAND闪存的需求将分别增长13%和16%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395121.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1395121.htm

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——