闪存市场,又打起来了?

闪存市场,又打起来了?图源:微博半导体市场的朋友,对于三星和海力士的名字自然不会感到陌生,前几年内存条价格暴涨的时候,更是因为各种奇怪的“失火”和“生产事故”而被网友们所熟知。甚至一度还传出或将限制闪存芯片出口的消息,不过后来因为影响实在太大,甚至会对全球的消费电子市场造成巨大冲击而作罢。后来的故事不少人估计都知道,国产闪存颗粒如今已经成为国内市场的重要组成部分,而且让固态硬盘的价格直接跳水了50%以上。谁能想到,一年前还要价过千的1TB固态硬盘,如今只要三四百就能买到,在价格战最激烈的时候甚至只要三百不到就能买到全新的1TB固态硬盘,价格甚至比机械硬盘还便宜。有意思的是,自从国产闪存颗粒进入量产后,三星海力士等闪存厂商的生产安全问题就突然都解决了,供应稳定且交货迅速。不过尝到了国产颗粒甜头的企业,不少还是继续选择国产闪存,毕竟便宜量大,谁会不爱呢?三星和海力士,急了国产闪存颗粒在市场上大杀四方的时候,三星和海力士则是在不停地丢失市场份额。不仅仅是消费者市场,在OEM市场也同样如此,国内不少消费电子企业都开始采购国产闪存,以降低存储芯片成本,逼迫三星等企业跟进降价,最近几个月发布的手机,大内存及大存储版本价格暴跌,背后也是国产闪存的功劳。图源:京东眼看着市场在不停地萎缩,三星和海力士显然坐不住了,而且此前的技术封锁已经被证明没有任何效果,此时再进行限制出口,无异于将自己的市场拱手相让。作为全球最主要的消费电子生产国,丢失中国市场的后果十分严重,是三星、海力士等厂商绝对不想看到的。或许有人不认可我的看法,那么我举个例子,今年5月份,三大闪存厂商之一的美光因为没有通过网络安全审查,被禁止在国内某些市场销售,当时镁光的CEO对外称禁售影响并不大,只会降低约10%的营收。不过,后续发布的财报却显示其总营收同比下滑超50%,业内有传闻称美光正在寻求重回国内市场的契机,只是在全球闪存芯片需求萎靡的前提下,如今国产+三星+海力士的闪存芯片已经能够满足所有的需求,甚至产能过剩。图源:雪球实际上,为了应对闪存供应过剩,价格过低的问题,三星和海力士已经进行了多轮减产,尽可能地提高闪存供应价格,虽然略有成效,但是营收恢复速度却低于预计,为了更快地恢复市场份额,三星和海力士必须寻求其他解决方法。显然,他们想到的方法就是解除出口禁令,让三星和海力士可以扩展国内的半导体工厂,将产能转移到国内,利用国内的相关补贴及较低的人工成本,降低闪存芯片的制造成本,提高芯片利润率,同时更便于为合作商就近供应芯片。不少人在看到“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”时,误以为是三星和海力士要售卖半导体设备给国内厂商。实际上,这项措施管控的是三星和海力士自己,让他们无法扩建位于大陆的晶圆厂,影响产能扩充、转移等需求。如无意外,接下来三星和海力士将会与国产闪存厂商进入正式的肉搏阶段,刺刀见红地拼杀出一个新的市场局势。闪存市场再迎风波虽然在先进制程的处理器方面我们还与国际领先水平有着不少差距,但是在闪存芯片上,国产厂商已经用实际产品回击了质疑者的疑问,从国内用户的测试来看,国产闪存芯片在耐用性、安全性、性能等方面的表现并不弱于三星、海力士的同规格产品。实际上,三星和海力士目前的技术优势主要集中在易失性闪存芯片(内存)方面,如GDDR6X等高性能的内存芯片。但是在非易失性存储芯片(硬盘所使用的芯片)上,国产厂商已经率先实现了233层存储芯片的量产,仅次于即将量产的海力士238层存储芯片。在没有技术代差的情况下,国产芯片的效能和寿命明显优于同价位的海外闪存芯片,作为老牌闪存厂商的三星和海力士自然不是没有更好的闪存芯片,但是价格嘛,一句话就可以形容:“不是给普通消费者用的”。所以,虽然服务器等高端市场尚且是保住了,但是消费者市场的节节败退显然也对三星和海力士影响明显。因为消费者市场除了固态硬盘等PC硬件外,手机等设备所使用的存储也是闪存芯片的重要市场之一,如果丢失中国的手机厂商订单,想要挽救营收的计划实施难度将骤升。而国内闪存厂商也可以从市场获取研发资金和使用情况,以此来推动芯片技术的更新换代,假以时日,追上三星和海力士的步伐并不是一桩难事,不过随着三星和海力士的反击开始,这个过程或许会被稍微延缓。前面提到,虽然在非易失性存储芯片上差距已经很小,但是在易失性存储芯片上的差距却不容忽视。只要三星和海力士提供诱人的价格,就会明显压缩国产内存的市场空间,在用户对手机性能越发看重的当下,厂商也只能选择性能更好的芯片来满足用户需求。其次,随着国产闪存芯片的技术追赶速度加快,三星、海力士等企业也在加速相关芯片技术的迭代,比如前面提到的海力士238层存储芯片,就是为了能够以更低廉的成本制造大容量存储硬件而设计的,主要针对的就是国产闪存目前正处于领先的233层存储芯片。不得不说,国产闪存芯片的崛起,既有必然,也有偶然,一方面作为全球最大的消费电子产品制造国,我们对闪存芯片的需求极高,过去也一直主要依赖海外企业来维持生产,随着芯片封锁的加剧,自研自产闪存芯片的事务也被提上了日程,此为必然。偶然则是三星、海力士面对禁令,导致手脚受限,无法第一时间遏制国产闪存芯片的发展,让国产闪存厂商在短时间内用低价大量出货的方式,迅速覆盖了各个消费级市场,给国内用户来了一次“国产大白菜”的震撼,一举打响了国产闪存芯片的名声。要知道,在此之前的大多数用户,其实对国产闪存芯片和国产固态品牌都是抱有顾虑的,担心寿命不达标或性能不佳,导致在使用过程中损坏而造成数据丢失,但是,在极低的价格诱惑下,这些问题都不复存在,或者是被选择性忽视了。当时网络上是如此形容国产固态的:“如果他卖1000,然后出了问题,我会痛骂他;如果他卖500,然后出了问题但是免费换新,我会建议朋友谨慎使用;如果他卖300还提供5年换新,那么一切问题的原因都在于我,和品牌无关”。虽然是调侃,但是也代表了当时相当多用户的想法,以从未想过的超低价买到大容量固态硬盘,即使故障率高于传统品牌,也是十分划算的。何况在实际测试中,国产固态硬盘的质量并不差,单就寿命而言与传统厂商是基本相同的。所以许多用户都接受并愿意使用国产品牌的固态硬盘,就此打开了整个国产固态硬盘的销量,并在随后的实际使用中累积了口碑,成为与传统固态厂商相抗衡的另一极。现如今,三星和海力士重整旗鼓并且摆出了架势,接下来就看国产厂商如何应对了,能否守住现有的市场和用户认知,将会是关键。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390021.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1390021.htm

相关推荐

封面图片

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示,同DRAM相比,NAND闪存需求复苏缓慢,包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商,也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加,DRAM的利润状况有改善,但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到,三星电子和SK海力士这两大厂商,正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存,以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看,在二季度的财报分析师电话会议上,三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量;SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到,三星电子和SK海力士半导体产品的库存,在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存,在上半年结束时已增至33.69万亿韩元,高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元,较去年年底也增加了5%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

封面图片

全球闪存芯片格局剧变:韩国两公司掌控50%以上份额

全球闪存芯片格局剧变:韩国两公司掌控50%以上份额全球闪存市场原本有六大原厂,分别掌握在美国、日本及韩国公司手中,美国就占了三家,韩国两家,日本一家,随着Intel闪存业务被SK海力士收购,现在变成了五大原厂,其中三星+SK海力士合计份额超过50%。根据集邦科技发布的Q2季度闪存报告,三星在Q2季度营收59.8亿美元,环比下滑5.4%,市场份额33%,位列第一。SK海力士收购Intel闪存业务之后成立了合资公司Soldigm,两者合计贡献36.15亿美元营收,环比增长12.1%,市场份额19.9%。SK海力士+Soldigm的合并改变了市场格局,不仅超越铠侠成为第二,还与三星两家公司在闪存市场上的份额合计达到了53%,使得韩国公司在控制内存市场之后再次控制了闪存市场。其他厂商中,铠侠营收28.32亿美元,环比大跌16.3%,之后是西数及美光,二者的营收比较接近,分别是24亿、22.88亿美元,份额13.2%、12.6%。留给其他厂商的份额之后5.6%,这里面显然有部分是国产的长江存储,只不过份额相比五大原厂太低,仍需不断提升。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1312369.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1312369.htm

封面图片

三星已连续30年是全球第1大DRAM厂商 连续20年是最大NAND闪存厂商

三星已连续30年是全球第1大DRAM厂商连续20年是最大NAND闪存厂商外媒在报道中还提到,在去年三季度,三星电子在全球DRAM市场的份额高达40.6%,在NAND闪存市场的份额也高达31.6%,市场份额较第二大厂商均高出超过10个百分点。不过,外媒在报道中也提到,虽然三星电子目前在全球DRAM和NAND闪存市场的份额遥遥领先,但他们也面临其他厂商的挑战。外媒在报道中表示,在NAND闪存方面,美国最大的存储芯片制造商美光科技,在去年7月份就已率先量产232层NAND闪存,同期三星电子制造的是176层NAND闪存,SK海力士在去年也已研发出了全球最高的238层NAND闪存,三星电子则是在去年11月份开始批量生产236层NAND闪存。外媒在报道中还提到,一位业内的分析师称,在存储芯片领域,三星电子正被后来者追赶,而在代工业务方面,台积电则是遥遥领先,三星电子正面临巨大的挑战。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1341557.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1341557.htm

封面图片

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示,对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料;对于NAND闪存,正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士,SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术,其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器,然后将它们组装在一起。与老对手三星不同,SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术,每组分别堆叠120层、110层和91层,最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠,双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手,从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上,三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺,要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

封面图片

韩国闪存芯片制造商开始提高产能 固态硬盘等产品年底或许有希望降价

韩国闪存芯片制造商开始提高产能固态硬盘等产品年底或许有希望降价其中西部数据将其NAND工厂的产能削减到50%以下,SK海力士也同样削减了产能,而三星电子撑了一段时间后最终也决定削减产能。在削减产能后人工智能行业又迎来爆发式增长,该行业对于存储方面的需求也是挺高的,所以NAND芯片再次出现价格一路上涨的情况。既然市场已经有了更大的需求并且现有价格对NAND制造商来说仍然是有利可图的,这时候市场竞争的好处就显现了:三星、SK海力士、铠侠和西部数据等厂商已经开始提高产能希望尽早销售更多的产品提前获得收益。韩国本土有网站报道称,在2024年人工智能行业对闪存的需求已经增加不少,尤其是是适用于人工智能数据中心的高端NAND产品需求量大增,这刺激NAND厂商再次提高产能。三星的NAND闪存芯片产能恢复到此前的70%左右,SK海力士则是提高大容量NAND产品的产能,西部数据与铠侠联合运营的NAND工厂产能也已经提高到90%左右。产能的提高意味着市场上的供应会逐渐增加,尽管没有提到消费级SSD,但随着一段时间的增加产能后,预计消费级SSD的价格也会稳定或有所下降。所以准备装机或更换固态硬盘的网友不妨再观察观察后续情况,尤其是关注市场分析公司集邦咨询的预测,这家公司的预测准确度相对来说比较高。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435431.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1435431.htm

封面图片

三星逆势增资 拿下苹果中国闪存供应

三星逆势增资拿下苹果中国闪存供应但是,提价10%很可能并非三星电子的主要诉求。从各种迹象看,三星将于年内开启其闪存大幅降价的大幕。从逆势增资扩产,到大幅降价,个中原因,不问可知。逆势增资:三星心路人知受低迷的存储芯片市场影响,三星电子利润受到打击,但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。全球存储器市场结构怎样?据英国市场追踪机构Omdia统计数据显示,截至2021年,三星在DRAM市场份额为42.7%,其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%;NAND闪存方面,截至2022年Q2,三星电子拥有33.9%的市场份额,位列全球第一;通过收购IntelNANDFlash闪存业务,SK海力士组建了新公司Solidigm,市场份额升至19.9%,紧随三星电子之后排名第二。值得一提的是,三星电子在NADA闪存市场获得全球第一的市场地位,源自在2006-2009年一系列NADA闪存诡谲风云中三星的逆势增资扩张。这是一次极为成功的逆势“加仓”之后的惊人逆袭。三星电子在行业低迷期扩大投资规模,最终击败当时市场份额领先于三星电子的对手,比如德国奇梦达、日本“国家队”尔必达和东芝。这次成功经验,充分解释了三星电子再次遇到行业低迷期,为何仍敢于逆势增资扩产的信心迷局。2022年,半导体行业进入下行周期,存储市场占据半导体约30%的比例,故受到较大行业下行影响:包括三星电子、美光和SK海力士在内的多家存储厂商均出现亏损。因此,行业风格保守,一众巨头也开始收缩业务。比如美光计划将2023财年投资额,从2022财年的120亿美元,下调至70亿-75亿美元;同时,还将大幅减少2024财年的资本支出;SK海力士也在2022年10月宣布,2023年的设备投资预算幅度,将比2022年减少超过50%。但是三星例外,其投资风格极为激进,这与美光和SK海力士因市场低迷而收缩业务规模的做法,显得格外与众不同。公开消息显示,三星电子已决定,在2023年提升其存储器和晶圆厂10%的产能。这些产能也有部分来自中国的三星新投资项目。1月12日,华尔街见闻从供应链了解到,三星西安三期项目12寸(300mm)晶圆厂将于2月中旬开工。这个项目原本定于2022年12月启动,但受内外多种因素影响,故而有所延期。三星电子西安三期项目总投资高达3000亿元人民币。目前,这个工厂的定位是三星电子NAND闪存半导体的生产基地,与前两期项目的产能合并后,将占据三星电子NAND全球总产能的40%。前两期项目已达产,每月生产12英寸晶圆量达25万张,年营收高达1000亿元人民币。与台积电或英特尔均已做出的减产计划相比,三星电子同样属于逆势“加仓”。此举说明三星电子野心极大,既想称霸存储器市场,也想在晶圆代工领域反超台积电。除了中国项目,三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂(P1)的NAND闪存设备做升级。P1的NAND线预计将改造为V8(238层)NAND量产线,可加工约3万张晶圆。此前,有消息称,三星电子可能会在2023年下半年,投资已完成外装工程的平泽4号厂房(P4)一期工程新的NAND生产线。据中国台湾市场研究公司TrendForce的统计数据,截至2022年底,三星电子NAND晶圆月产量约为64.5万张。就半导体投资而言,三星电子决定在所有领域都保持2021年的水平。另据英国市场研究公司Omdia的数据显示,NAND市场价值约为665亿美元。鉴于此等规模的市场前景,三星或许想通过增加NAND产能,以挤压或吞并规模较小的行业企业。目前,在NAND领域,仍有6-7家企业在争夺全球范围内的市场份额。手段:提价、扩产、降价1月6日,这家韩国市值最高的公司对外表示,2022年10月-12月季度营业利润可能同比下降69%,低于市场预期的38%降幅,创下2008年同季度以来的最大降幅纪录。与2022年三季度相比,用于智能手机和其他设备的NAND闪存基准在2022年四季度期间,跌幅达到14%。可以说,三星电子面临行业低迷和公司业绩下滑的双重压力,却仍在逆势增资扩产。这家公司表示,将继续从中长期的角度为市场复苏做准备。由上文可知,三星对逆势投资有过成功经验。多年来,三星常常在行业不景气时期做巨额投资,以在下一个繁荣时期击败竞争对手,从而引领全球内存市场。俗话说,手中有粮,心中才能不慌。三星敢于逆势大举增资,底气来自其拥有的规模庞大的现金储备。截至2022年9月底,三星持有约128.8万亿韩元(约合1010亿美元)现金,约是其竞争对手SK海力士或美光的10倍。韩国政府也很给力。韩国在2023年1月3日宣布,计划将半导体和电池等战略技术资本支出的税收减免,从8%扩大到15%,接近翻倍。除了想靠技术实力、产能规模压制对手,复制2006-2009年的那次成功逆袭,还有个重要原因,即三星电子已成功进入苹果NAND闪存供应链。此事得益于中国本土一家NAND闪存巨头遇到的众所周知的技术限制。这家中国公司在遭遇技术约束后,三星电子成为了苹果公司在中国的NAND存储芯片替代供应商。华尔街见闻获悉,三星电子位于西安的NAND闪存工厂将为苹果供应NAND闪存。目前,这个工厂的三期工程将于2月动工。值得一提的是,不久前,三星电子官宣其闪存产品将提价10%,而部分中国公司已接受这一报价。但是,据公开报道显示,三星电子可能会于2023年开启包括NAND闪存在内的大幅降价,以进一步提高在全球存储芯片市场的份额。对NAND技术、产能和价格三者之间关系的理解,也能从另一个角度解释三星电子为何逆势增资的意图。在NAND领域,NAND制造商做的激烈技术角逐,集中在增加垂直层数方面。SK海力士和美光都已推出200多层的NAND技术,但三星认为,“重要的不是层数,而是产能以及专注于提供具有价格竞争力的更优解决方案”。说是这么说,但三星并没有放松NAND的技术迭代,其技术水平也极为高超。目前,三星电子生产的第八代V-NAND高达230层;第9代V-NAND也已在研发过程中,预计2024年量产。2030年,三星将推出高达1000层的V-NAND产品。鉴于DRAM的对于消费电子级的重要性,三星也在重兵布局这个方向。为推进10nm范围以外的微缩,三星电子正在开发图案、材料和架构方面做持续突破。2022年底,三星官方透露,其即将推出的DRAM解决方案包括32GbDDR5DRAM、8.5GbpsLPDDR5XDRAM和36GbpsGDDR7DRAM。三星还谈到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决方案。此外,三星计划到2030年实现亚纳米DRAM。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339185.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1339185.htm

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人