SK hynix推出24GB容量12层HBM3内存 正向客户提供样品

SKhynix推出24GB容量12层HBM3内存正向客户提供样品"继去年6月量产全球首款HBM3之后,公司成功开发了24GB封装产品,该产品的内存容量比之前的产品增加了50%,"SKhynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品,以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"SKhynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑(MR-MUF)技术,提高了工艺效率和性能稳定性,而硅通孔(TSV)技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%,实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。"SKhynix通过其在后端工艺中使用的领先技术,能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品,"SKhynix封装和测试主管SangHooHong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备,以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"由SKhynix在2013年首次开发的HBM,因其在实现高性能计算(HPC)系统中运行的生成式人工智能中的关键作用,已经引起了存储芯片行业的广泛关注。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355881.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1355881.htm

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SK hynix 宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存

SKhynix宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存SKhynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称,最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准,而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面,HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据,相当于在一秒钟内处理230多部每部5GB大小的全高清电影。此外,通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充(MR-MUF)尖端技术,该产品的散热性能提高了10%。它还具有向后兼容性,即使是为HBM3准备的系统也可以采用最新产品,而无需修改设计或结构。SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu表示,该公司通过开发HBM3E,进一步增强了HBM产品阵容的完整性,从而巩固了其市场领导地位,而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额,SKhynix还将寻求快速的业务转型。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378373.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1378373.htm

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SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb

SKhynixGDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒容量达24Gb虽然有报道称第一代GDDR7内存产品将使用28Gbps的芯片,容量为16GB(2GBVRAM),但DRAM制造商并没有停止展示他们的下一代产品。在GTC2024上,SKhynix展示了其GDDR7内存模块,它将提供40Gbps的针脚速度,每个模块的带宽高达160GB/s。GDDR7标准的基准速度为32Gbps,每个模块的带宽为128GB/s,因此未来的GDDR7变体在带宽方面将提升25%。三星也在加速GDDR7DRAM的生产,该公司还在GTC上展示了其内存模块,不过是16Gb和32Gbps两种规格。该公司还展示了引脚速度37Gbps的模块。此外,该公司还将推出不同容量的x显存,目前已上市的最高容量为24Gb,基准容量为16Gb。使用16Gb模块可获得2GB的VRAM容量,使用24Gb模块可获得3GB的VRAM容量。但我们已经报道过JEDEC公布的规格,这些规格证实GDDR7将达到48Gbps的速度和64Gb的密度(8GBVRAM容量)。这将标志着显存容量的大幅提升,256位标准接口可提供64GB容量。相比之下,目前256位总线接口使用16GbDRAM模块可达到的最大容量为16GB。24GBDRAM模块可将容量提升至24GB。但同样,这些速度和容量也不是我们一开始就能期待的。这样的规格可能要到2026-2027年之后才能实现,而现在距离2026-2027年还有很多年。以下是我们可以期待的第一代GDDR7内存产品:512位/28Gbps/32GB(最大内存)/1792GB/s(最大带宽)384位/28Gbps/24GB(最大内存)/1344GB/秒(最大带宽)256位/28Gbps/16GB(最大内存)/896.0GB/秒(最大带宽)192位/28Gbps/12GB(最大内存)/672.0GB/秒(最大带宽)128位/28Gbps/8GB(最大内存)/448.0GB/s(最大带宽)以下是SKhynix40Gbps和24GbGDDR7DRAM产品上市后的预期:512位/40Gbps/48GB(最大内存)/2560GB/秒(最大带宽)384位/40Gbps/36GB(最大内存)/1920GB/秒(最大带宽)256位/40Gbps/24GB(最大内存)/1280GB/秒(最大带宽)192位/40Gbps/18GB(最大内存)/960.0GB/秒(最大带宽)128位/40Gbps/12GB(最大内存)/640.0GB/秒(最大带宽)除了GDDR7内存模块,SKhynix还展示了DDR5MCRDIMM,每个模块的容量达64GB,速度达8800MT/s,电压为1.1V。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424510.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424510.htm

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SK hynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品

SKhynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品SKhynix与英伟达有着现有的合作关系--它在去年抵御了激烈的竞争,此后为H100"Hopper"TensorCoreGPU生产了(当前版本)HBM3DRAM。该内存制造商希望通过第五代产品保持其在HBM市场上的领先地位--副总裁ParkMyung-soo早在4月就透露说:"我们正在准备今年下半年的8GbpsHBM3E产品样品,并准备在明年上半年进行大规模生产"。与英伟达的新合作关系可以帮助SKhynix在HBM制造领域扩大其与最近的竞争对手--三星之间的差距。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1365867.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1365867.htm

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NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SKHynix的12层HBM3E原型样品2023年年中的报道称,NVIDIA在夏季前后获得了8层HBM3E(第4代)单元的样品,SKHynix也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite认为,英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的HBM产量问题。SK海力士、三星和美光在HBM3E领域展开了激烈的竞争,希望能将各自的产品应用到英伟达的H200AIGPU上。DigiTimesAsia称,SKHynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为,SKHynix的良品率足以通过NVIDIA的早期认证,先进的12层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为,SKHynix的发展势头使其处于有利地位:"(他们)在去年下半年提供了8层HBM3E样品,并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布,但预计最早将于本月开始量产。此外,SKHynix上个月还向英伟达提供了12层HBM3E样品。该样品属于极早期版本,主要用于建立新产品的标准和特性。SKHynix将其称为UTV(UniversalTestVehicle)。由于海力士已经完成了8层HBM3E的性能验证,预计12层HBM3E的测试不会花费太多时间"SKHynix副总裁最近透露,公司2024年的HBM产能已经预定一空,领导层已经在为2025年及以后的创新做准备。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422828.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1422828.htm

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美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备,每个设备的数据传输速率为9.2GT/s,峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比,HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%,这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构,计算性能与H100相同。同时,它配备了141GBHBM3E内存,带宽达4.8TB/s,比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β(1-beta)工艺技术生产其HBM3E,这对该公司来说是一项重大成就,因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品,这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品,代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固,与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就,目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要,因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品,从而有可能增加收入和利润率,同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示:"美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠:领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量,美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图,以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合,在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

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SK Hynix实现爆炸式财务增长 宣布推出64GB容量的32Gb DDR5 DRAM

SKHynix实现爆炸式财务增长宣布推出64GB容量的32GbDDR5DRAM该公司成功地从总收入中获取了23%的利润,这被认为是继2018年第一季度该公司业绩之后的第二高利润。SK海力士认为,该公司终于迎来了经济反弹,进入了持续主导市场的时代。此外,SK海力士还指出,他们的季度营业利润收入大幅增长了734%,这完全归功于人工智能对他们的巨大推动作用。该公司指出,在接下来的几个月里,人工智能部门将催化其财务业绩,而随着DRAM行业的复苏,该公司也将收回失去的利润。SKHynix还对其HBM3E供应表现出极大的乐观,声称已收到来自行业客户的大量兴趣。主要亮点包括:3月,开始量产/供应1bnmHBM3E根据客户需求增加HBM3E的供应量利用提高的生产能力扩大客户群与台积电签署开发HBM4和合作开发下一代封装技术的谅解备忘录128GB+模块的强劲销售促进了DDR5的销售将推出1bnm32GbDDR5产品以支持高密度SVDRAM需求计划在24年内推出PCIeGen5cSSD,供人工智能PC采用在谈到未来工艺时,SKHynix还宣布其1bnm32GbDDR5内存已步入正轨,将于今年内亮相,这意味着单条DIMM可实现64GB的容量,企业级产品更是可通过新技术获得128GB的容量。进入人工智能PC时代后,内存将在处理能力方面发挥至关重要的作用,韩国巨头希望充分利用这一点,与三星等公司一起采用第五代10纳米技术。人工智能又一次成功地将另一家公司从不断下滑的财务业绩中拯救出来,SK海力士看起来已经准备好在未来占据主导地位,尤其是凭借其与台积电和英伟达(NVIDIA)等领先企业的密切关系。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428737.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428737.htm

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