首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片华为公司和中国一家秘密的芯片制造合作伙伴已为一种低技术但可能有效的先进半导体制造方法申请了专利。根据提交的专利申请，这两家公司正在开发涉及自对准四重成像(SAQP)的技术，这可能使他们无需ASML最先进的EUV光刻设备即可生产先进芯片。国资背景的硅开利、北方华创也在探索SAQP技术。尽管美国试图阻止中国制造先进芯片，但该方法仍有可能帮助中国使用过时工具制造某些5nm芯片。该技术曾在10nm以前的工艺中使用，但因为多重步骤带来制造成本上升和良率下降，在7nm以后的先进制程节点中现已被EUV全面替代。——

EUV光刻机耗能巨大 芯片制造商生产与节能减排难并重

EUV光刻机耗能巨大芯片制造商生产与节能减排难并重据彭博社报道，ASML新一代EUV每台耗电约1百万瓦，三星、台积电等芯片制造大厂能源消耗巨大；台积电对化石燃料高度依赖，2025年耗能估占中国台湾省的12.5%。世界仅此一家的EUV公司ASML，旗下新一代的EUV光刻机耗资高达1.5亿美元，包含10万个部件和长达2公里的布线。EUV光刻机体现着更先进芯片的制造过程正变得复杂和能源密集。ASML当前每台EUV的额定耗电量约为1百万瓦，约为前几代设备的10倍，但由于没有替代品来制造最先进的半导体，芯片行业可能成为减少全球碳排放的重要绊脚石。台积电为业界拥有最多EUV光刻机的公司，公司目前已有超过80台EUV，新一代设备还在安装中。预计到2025年，仅台积电一家公司就将占全中国台湾省整体能源消耗的12.5%，远高于2020年时的6%。除台积电外，另一储存芯片制造大厂美光科技计划在位于中国台湾的工厂使用至少一台EUV光刻机。据彭博分析师CharlesShum称，在三年内，中国台湾代工厂中四分之一的芯片制造将使用EUV光刻机。对于芯片制造的能源消耗问题，环保组织绿色和平（Greenpeace）气候能源项目主任郑楚忻曾表示，缺电必然发生，其他行业将受其牵连。比利时微电子研究中心（Imec）Lars-AkeRagnarsson指出，在使用高耗能设备的芯片厂，再生能源变得紧急且必要。彭博社提出，芯片制造对环境的影响将取决于用电来源。据悉，台积电高度仰赖化石燃料。2016年，中国台湾当局制定目标，即到2025年实现20%的电力来自可再生能源，但其7月发布的最新能源评估显示，截至2021年底，其电力只有6%来自可再生能源。韩国芯片制造巨头三星也面临着类似的能源消耗问题。三星在韩国拥有六个半导体制造基地，2021年占其功耗的3%。为了争取更多的客户订单来和台积电竞争，三星正在扩大对EUV的使用。该公司未公开说明拥有机器的数量。6月初，三星集团负责人JayLee前往荷兰与ASML达成新的交易。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1308975.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1308975.htm

阿斯麦与 SK 海力士拟合作开发 EUV 光刻机氢气回收技术

阿斯麦与SK海力士拟合作开发EUV光刻机氢气回收技术韩国产业通商资源部12月13日表示，总部位于荷兰的阿斯麦公司（ASML）计划扩大与韩国芯片制造商的业务合作。除ASML计划与三星电子共同投资1万亿韩元（约合7.04亿欧元）在韩国建芯片研究中心外，ASML还与韩国第二大芯片制造商SK海力士签署谅解备忘录，以开发回收极紫外（EUV）光刻机中使用的氢气的技术，以降低极紫外线光刻机能耗。

英特尔完成世界首台商用High NA EUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术

英特尔完成世界首台商用HighNAEUV光刻机的组装，计划用于推动下一代芯片制造技术英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的FabD1X研发晶圆厂完成了世界首台商用HighNA（0.55NA）EUV光刻机的组装。这台型号为TWINSCANEXE:5000的光刻机是ASML的首代产品，价值约3.5亿美元。目前，该光刻机已进入光学系统校准阶段。High-NAEUV光刻机相较于现有的0.33NAEUV光刻机，在一维密度上拥有1.7倍的提升，意味着在二维尺度上可以实现190%的密度提升。这将允许在更精细的尺度上制造半导体，从而继续推动摩尔定律的发展。英特尔计划从2025年的18A新技术验证节点开始，在其先进芯片的开发和制造中同时使用0.55NA和0.33NA的EUV光刻机。线索：@ZaiHuabot投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功

ASML庆祝TwinscanNXE:3800ELow-NAEUVLitho光刻设备首次安装成功"芯片制造商需要速度！第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片制造厂。凭借其新型晶圆平台，该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"TwinscanNXE:3800E是ASML0.33数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少，因为ASML公司尚未发布3800E产品页面。而前一个型号--TwinscanNXE:3600D支持3纳米和5纳米的EUV量产。ASML的路线图表明，TwinscanNXE:3800E是为生产2纳米和3纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线（EUV）芯片制造工具（HighNATwinscanEXE）预计成本约为3.8亿美元。上个月的报道指出，现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为1.83亿美元。另一台低噪点EUV设备将于2026年发布--ASML的下一代TwinscanNXE:4000F型号将与新兴的（更昂贵的）高噪点解决方案并存。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424138.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424138.htm