三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK海力士、三星电子：整体DRAM生产线已超两成用于HBM内存https://www.ithome.com/0/767/877.htm———2024-05-132024-05-022024-04-222024-03-212024-03-142024-03-072024-03-012024-02-232024-02-13

SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管

SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位三星为此撤换芯片主管此举是因为三星在其核心业务--内存芯片的一个关键增长领域已经落后。SKHynix在高带宽内存或HBM芯片领域处于领先地位，这种芯片因用于训练人工智能模型而实现了爆炸式增长。三星最近公布了至少自2010年以来最快的营收增长速度，投资者越来越关注三星对其较小竞争对手的回应。这推动SKHynix股价自2024年年初以来上涨了36%，远远超过了变化不大的三星股价。周二，股市最初反应平淡。公告发布后，三星股价保持跌势，跌幅不到1%。SKHynix是全球用于开发类似ChatGPT服务的内存的最大供应商。到明年，其此类芯片的生产能力几乎已被预订一空。该公司计划斥资约146亿美元在韩国建造一座新的综合设施，以满足对HBM芯片的需求，HBM芯片与NVIDIA公司的加速器一起用于创建和托管人工智能平台。此外，该公司还将在印第安纳州建造一座价值40亿美元的封装厂，这也是该公司在美国的第一座封装厂。三星公司也生产逻辑芯片并经营代工业务，它还开始了全球扩张，包括在美国芯片制造领域投资400亿美元。该公司表示已开始量产其最新的HBM产品--8层HBM3E，并计划在第二季度量产12层HBM芯片。该公司预计，与去年相比，2024年的HBM供应量将增加至少三倍。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431705.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431705.htm

DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20％

DDR3内存时代终结三星、SK海力士停产涨价20％而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10％。数据显示，HBM内存在2023年的市占率只有2％，2024年可扩大至5％，2025年再次翻番到10％。在这种情况下，原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然，直接导致DDR3内存近期价格明显上涨，最高幅度达20％。此举连带也会影响DDR5的供应，再加上存储行业处于上升周期，预测价格也会上涨20％。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3，但美光也可能不会坚持太久。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430973.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430973.htm